SSD: thread generale e consigli per gli acquisti [Archivio] - Pagina 94

@Liupen

06-06-2025, 13:22

Lo sbaglio è nel non considerare che le 32L 2-bit a 86 Gbit siano state fatte e che solo dopo siano comparse le 32L 2-bit e 3-bit con Die da 128 Gbit.

Naturalmente la teoria della nand emulata esclude questa possibilità.
Tu credi che le 32L siano nate come celle a 3-bit, da 128 Gbit, corretto?

Ti basi sul quei documenti che ho linkato?
The die size is 68.9 mm² per il “A 128 Gb 3b/cell V-NAND Flash Memory” cioè la 32L 3-bit
TechInsights has completed detailed analysis of the two device types; looking from cell architecture, materials, layouts and package viewpoints.1 Here are some highlights of that analysis: ..
The 32L V-NAND die area is 84.3 mm2 while the 48L V-NAND die measures 99.8 mm2, which is a 17.3% increase due to greater die length. [confronto da 32L a 48L] The NAND memory array area increased from 48.9 mm2 to 68.7 mm2 which is 40.3% larger. Da “Samsung’s 3D V-NAND 32L vs 48L–Just Vertical Expansion?” Jeongdong Choe.
Ho trovato anche questo https://sst.semiconductor-digest.com/2016/page/30/ che forse è quello a cui ti riferisci. Uno scritto del 2016 come gli altri, quindi più di 2 anni dopo l’uscita delle prime 32L e un anno dopo l’uscita dei modelli 850 PRO 2 TB con le nuove 32L a a 2-bit e 3-bit da 128 Gbit.
In questo scritto si dice – occhio, sempre in riferimento alla seconda versione delle 32L con Die da 128 Gbit – che: Micron’s 32L 3D NAND die size (168.2 mm2) is much larger than Samsung’s 32L (84.3 mm2) and 48L (99.8 mm2) 3D V-NAND devices.

Temo che si tratti di una successiva analisi di TechInsights pubblicata nel 2016 sempre sulle 32L ma quelle 128 Gbit.

Se si và invece a prendere l’analisi indiretta di Andrew Walker che parla dell’analisi di TechInsights del 2014 – di cui affermo essere 32L die 86 Gbit - si parla di “die size = 87.4 mm²; array efficiency = 66%”
https://semiconductorexpert.blogspot.com/2014/12/samsungs-3d-nand-teardown-patent.html
https://www.3dincites.com/2014/08/samsungs-3d-vnand-flash-product-spires-el-dorado/
Agosto 2014

Naturalmente con tutte le pinze del mondo tra dimensione del Die e dell’array, si legge:
1 - die size is 68.9 mm²
2 - die area is 84.3 mm2, array 48,9 mm²
3 - die size Samsung’s 32L (84.3 mm2)
4 - die size = 87.4 mm²

Ora, con dati da 4 fonti, sembra che già la prima die analizzata da TechInsights avesse quella dimensione che poi si ritrova dopo e fino alle 3-bit, che, con 68.9 mm², hanno una dimensione minore per die.
Quindi si, hai ragione nel parallelo.

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Abbian detto che il Samsung 850 PRO da 2TB (recensione Anandtech) contiene die n. K9UMGB8S7A ed è sicuramente una seconda versione 128 Gbit.

Il die K9ADGD8S0A è effettivamente una NAND TLC.
TechInsights mostra che il package K9HQGY8S5M e K9LPGY8S1M estratti dagli SSD Samsung 850 Pro da 128 GB contengono entrambi il die K9ADGD8S0A a 32 layer. Nell’analisi viene specificato che si tratta di una memoria TLC appunto.
Però come detto K9LPGY8S1M e K9HQGY8S5M sono identificati come 86 Gbit.
Per strana che sia questa matrioska, se così fosse non fa una piega, sono pMLC.
K9HQGY8S5M è stato analizzato da TechInsights più di una volta, vedo. Ho richiesto il paper, mi sembra ormai l’unico modo per esserne certo.

Non riuscendo a trovare ssd aperti al di là dei semple delle recensioni, e sbattendo la testa su questo https://www.techinsights.com/products/sar-1407-802?utm hai tutte le ragioni per affermare che usino pMLC.

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Il fatto che un 2TB sia con pacchetti 128 Gbit 2-bit nativi, non è che depone poi molto bene dal punto di vista del modus operandi di Samsung: Faccio i sample con le die da 128Gbit 3-bit che ho già realizzato e poi per il taglio da 2TB ti metto le 128 Gbit 2-bit?!
E che più vedo questa https://picture.iczhiku.com/resource/eetop/SyKfpzdggfewpbbV.pdf e più mi viene da pensare che avevi ragione dall’inizio.

DOC-BROWN

06-06-2025, 13:28

Quindi, in poche parole, SD 9.1 indica le schede SD Express che hanno come funzionalità gestione della potenza, gestione termica e Access Rule for Multi-stream Recording.

grande come sempre !!!! e scusate OT ....

Black (Wooden Law)

06-06-2025, 16:39

Son contento che (forse, attendiamo il paper di TechInsights anche se io sono sicuro di quello che dico) abbiamo trovato un punto d'incontro Liupen.
Lo sbaglio è nel non considerare che le 32L 2-bit a 86 Gbit siano state fatte e che solo dopo siano comparse le 32L 2-bit e 3-bit con Die da 128 Gbit.

Naturalmente la teoria della nand emulata esclude questa possibilità.
La esclude perché non è così infatti: le V2 MLC da 86Gb non esistono, esistono soltanto quelle da 128Gb sull'850 PRO da 2TB con die K9GDGD8U0A. Queste sono comparse dopo le TLC 128Gb, ovvero nel 2015, quindi il contrario di quello che dici in questa parte del commento.
Tu credi che le 32L siano nate come celle a 3-bit, da 128 Gbit, corretto?
Esatto, io credo che le NAND flash V2 di Samsung siano nate e lanciate come TLC 128Gb ma dette MLC 86Gb (il che torna visto che 128 - 33% = 86Gb) perché in pMLC. Il fatto che la produzione delle V2 TLC sia iniziata ad ottobre 2014 non torna neanche con questo articolo (https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-takes-3d-memory-to-new-heights-with-sixth-generation-v-nand-ssds-for-client-computing) di Samsung fatto anni dopo sulla propria timeline:
Aug. 2014 2nd-generation (32-layer) 128Gb 3-bit V-NAND
Potresti chiederti "ma se la produzione è iniziata ad agosto come mai le recensioni sono uscite a luglio e avevano già die TLC?" però mi sembra logico che i produttori abbiano avuto prima i sample proprio per fare le recensioni. Poi le altre testate (TechInsights, 3D InCites, ecc.) hanno potuto scoperchiare i package e studiare i die da agosto in poi, proprio quando è stato messo in vendita l'850 PRO, non a caso sia l'articolo di 3D InCites che di Blogger è di inizio e metà agosto.

Quindi è falso il fatto che la produzione delle V2 TLC sia iniziata ad ottobre 2014 perché è iniziata ad agosto 2014 e anche prima. Poi l'850 PRO è stato messo in vendita per il pubblico a settembre 2014 come dice l'articolo di Samsung linkato prima:
Sept. 2014 2nd-generation V-NAND SSD
Automaticamente questo comporta al fatto che l'850 PRO sia stato lanciato con le V2 TLC in pMLC, non con le V2 MLC.
Ora, con dati da 4 fonti, sembra che già la prima die analizzata da TechInsights avesse quella dimensione che poi si ritrova dopo e fino alle 3-bit, che, con 68.9 mm², hanno una dimensione minore per die.
Quindi si, hai ragione nel parallelo.
In realtà ho scoperto nuove cose da ieri visto che nell'attesa di una tua risposta ho continuato a studiare la situazione.

Il die che ha una dimensione da 68,9 mm² (ovvero il die dell'ISSCC uscito nel 2015) non è lo stesso dell'850 PRO delle recensioni e di tutti gli articoli usciti da luglio a settembre 2014, bensì si tratta di un altro die. Questo me lo fa pensare perché in tutti gli articoli di luglio-settembre 2014 non si è mai letto di una dimensione del die da 68,9 mm² (l'articolo di comparazione V2-V3 di Jeongdong Choe è uscito nel 2016) e anche perché il die dell'ISSCC da 68,9 mm² (che è TLC 128Gb) ha un piano, non due. Si vede benissimo in quest'immagine (https://imgur.com/a/wMHVeUP) proprio dell'ISSCC.
Se poi prendiamo il die dell'articolo di Blogger (https://chipworksrealchips.blogspot.com/2014/08/the-second-shoe-drops-now-we-have.html) e di 3D InCites (https://imgur.com/a/oRVucIR) notiamo che i piani sono due, non uno, motivo per il quale la dimensione del die è più grande (ovvio, hai un piano in più...). Ma indovina che die è quello di Blogger e di 3D InCites? Il K9ADGD8S0A, quello che TechInsights ha trovato nei package dell'850 PRO e che è TLC. Quindi per forza di cose l’850 PRO non usa un die da un piano con dimensione di 68,9 mm².

Quindi che die è quello da un piano? Lo spreadsheet cinese dice il K9ADGD8U0C ed effettivamente l'immagine di TechInsights fa vedere sopra un "timbro" "2014 (https://www.sciencevisionre.com/uploads/2/8/3/7/28377149/6440405_orig.jpg)" che ci fa intuire che la sua prima produzione sia avvenuta in quell'anno. Tuttavia, il K9ADGD8U0C non è mai esistito nell'850 PRO visto che non è mai stato fatto un articolo in bella vista da TechInsights al contrario del K9ADGD8S0A (e poi non abbiamo mai letto da nessun recensore di V2 a un piano).

Ma quindi perché Samsung ha rilasciato l'ISSCC delle V2 TLC (anche se quello delle V2 MLC non esiste) nel 2015 con quel die da un piano invece del K9ADGD8S0A da due piani che sarebbe il “vero” die contenuto dentro le NAND flash V2 dell’850 PRO?

Immagina pubblicare un ISSCC nel 2014 in cui dici "V2 TLC" ma poi dici ai recensori che l'850 PRO è MLC. Ai recensori qualcosa non torna: o le NAND flash sono TLC, o sono pMLC (concetto che prima non era conosciuto) oppure Samsung mente. Io penso che abbia fatto questo ragionamento Samsung: "quest'anno (2014) non abbiamo le V2 MLC pronte ma soltanto le V2 TLC. Sarebbe però un scandalo - soprattutto in questo periodo storico dove le TLC sono appena uscite e sono malviste rispetto alle MLC - far uscire l'850 PRO con le NAND flash TLC. Se impostiamo il controller per far memorizzare alle celle NAND flash 2 bit anziché 3 si ottengono risultati simili ad avere una NAND flash MLC nativa? Sì, allora facciamo così e diciamo a tutti quanti che sono MLC le NAND flash, tanto non se ne accorgono loro", e infatti... nessuno se n'è mai accorto.
Poi nel 2015 han fatto uscire l'ISSCC delle V2 (quindi nel 2014 non c'è mai stato un ISSCC) TLC facendo finta che fossero nuove e buttandole nell'850 EVO proprio come novità così che tutto potesse essere coerente. Infatti indovina un po' che NAND flash usa l'850 EVO (in alcune versioni visto che poi è stato aggiornate alle V3 TLC da 48L)? Proprio le V2 TLC da un piano con dimensione del die da 68,9 mm². Incredibile, no? :D

E l'articolo di Jeongdong Choe per EE Times dove compare le V2 TLC con le V3 TLC (48L) in cui dice che le prime hanno una dimensione del die di 84,3 mm² e una dimensione dell'array (quindi di un piano teoricamente) di 68.7 mm²? Sbaglia quell'articolo, le V2 TLC da due piani hanno una dimensione del die di 87,4 mm² mentre quelle da un piano 68,7 mm², non sono due misure appartenenti allo stesso die. Penso che Jeongdong Choe abbia buttato questi due numeri insieme giusto per dare un nesso tra l'ISSCC delle V2 TLC da un piano e le misure dei die V2 TLC da due piani prese in tutto il 2014, non perché veramente un piano misura 68,7 mm².
Uno, due, riguardo il “48,9 mm²” della dimensione dell’array anche quello è sbagliato teoricamente e lo si può provare facilmente con un ragionamento logico. Infatti, appurato che le V2 TLC da due piani abbiano un die da 87,4 mm², ogni piano misura 43,7 mm², non 48,9 mm². Se invece parlassimo del die V2 TLC da un piano con misura del die da 68,9 mm²… allora non cambierebbe nulla, con un piano rimane sempre 68,9 mm² la misura dell’array e del die. :asd:
Tornando al “48,9 mm²”, la misura del die delle V3 TLC è di 97,6 mm² con due piani. Indovina quanto fa 97,6 / 2? 48,8 mm², non 68,9 mm². Quindi quell’articolo sulle misure degli array ha fatto un casino e basta, gli array delle V2 TLC sono 43,7 mm² ciascuno mentre quelli delle V3 TLC sono 48,8 mm² ciascuno.

Quindi, in sostanza: l'850 PRO è stato lanciato con le NAND flash V2 TLC a due piani prodotte fin da subito, le NAND flash V2 TLC dell'850 PRO hanno una densità di 128Gb in TLC (86Gb in pMLC) e una dimensione del die di 87,4 mm² e Samsung le ha fatte operare in pMLC per tutti i tagli dal 128GB all'1TB. Poi nel 2015 Samsung è stata in grado di produrre e commercializzare le V2 MLC da 128Gb e metterle soltanto nell'850 PRO da 2TB (o perlomeno questo è quello che sappiamo finora, servirebbero recensioni più aggiornate sui tagli più piccoli di 2TB ma non penso che ci siano) e ha fatto anche uscire l'ISSCC sulle V2 TLC che ha rifilato nell'850 EVO per dare coerenza (guarda caso nel DB di TPU l'850 EVO (https://www.techpowerup.com/ssd-specs/samsung-850-evo-1-tb.d31) è segnato con die da 69 mm² e un piano). Questo conferma il perché l'850 EVO usi quelle V2 TLC da un piano anziché quelle prima da due piani (e quindi teoricamente più performanti).
Il fatto che un 2TB sia con pacchetti 128 Gbit 2-bit nativi, non è che depone poi molto bene dal punto di vista del modus operandi di Samsung: Faccio i sample con le die da 128Gbit 3-bit che ho già realizzato e poi per il taglio da 2TB ti metto le 128 Gbit 2-bit?!
Infatti questa cosa mi fa molto ridere ma penso che sia evidente il perché: le V2 MLC nel 2014 non erano pronte. Fine. Se lo fossero state le V2 TLC da due piani non sarebbero mai esistite o al massimo sarebbero esistite nell'850 EVO e quelle da un piano non sarebbe mai uscite in tutta la storia, e invece...
E che più vedo questa https://picture.iczhiku.com/resource/eetop/SyKfpzdggfewpbbV.pdf e più mi viene da pensare che avevi ragione dall’inizio.
Sì ma fai comunque attenzione che potrebbe crear confusione l'immagine a pagina 17. Giusto che nel 2014 han fatto uscire le V2 da 128Gb ma quel die è da 3 bit, non 2 bit. Quel die è 2 bit soltanto quando fatto operare in pMLC, ma un die grezzo così è per forza di cose TLC visto che è il controller che decide se far operare le NAND flash con un bit in meno oppure no. Però vabbè, anche qui: non puoi dire che quel die è in realtà TLC, andresti a confutare tutto quello che hai detto nei due anni precedenti e ti faresti un autogol clamoroso.
In ogni caso Samsung ha fatto la furba e ci è riuscita benissimo visto che l'850 PRO ha avuto risultati straordinari (ricordi del sample che ha retto 9,1PB (https://www.hwupgrade.it/news/storage/un-ssd-samsung-850-pro-resiste-a-9100-tb-di-scritture_69674.html) di scritture?), soltanto che nel tempo tra decoder di Samsung aggiornati (grazie spreadsheet cinese), incongruenze con gli articoli, ecc. è saltato fuori che l'850 PRO in realtà ha sempre avuto NAND flash TLC in pMLC anziché native.

@Liupen

08-06-2025, 11:13

Son contento che (forse, attendiamo il paper di TechInsights anche se io sono sicuro di quello che dico) abbiamo trovato un punto d'incontro Liupen.

La esclude perché non è così infatti: le V2 MLC da 86Gb non esistono, esistono soltanto quelle da 128Gb sull'850 PRO da 2TB con die K9GDGD8U0A. Queste sono comparse dopo le TLC 128Gb, ovvero nel 2015, quindi il contrario di quello che dici in questa parte del commento.

Ma quindi perché Samsung ha rilasciato l'ISSCC delle V2 TLC (anche se quello delle V2 MLC non esiste) nel 2015 con quel die da un piano invece del K9ADGD8S0A da due piani che sarebbe il “vero” die contenuto dentro le NAND flash V2 dell’850 PRO?

Immagina pubblicare un ISSCC nel 2014 in cui dici "V2 TLC" ma poi dici ai recensori che l'850 PRO è MLC. Ai recensori qualcosa non torna: o le NAND flash sono TLC, o sono pMLC (concetto che prima non era conosciuto) oppure Samsung mente. Io penso che abbia fatto questo ragionamento Samsung: "quest'anno (2014) non abbiamo le V2 MLC pronte ma soltanto le V2 TLC. Sarebbe però un scandalo - soprattutto in questo periodo storico dove le TLC sono appena uscite e sono malviste rispetto alle MLC - far uscire l'850 PRO con le NAND flash TLC. Se impostiamo il controller per far memorizzare alle celle NAND flash 2 bit anziché 3 si ottengono risultati simili ad avere una NAND flash MLC nativa? Sì, allora facciamo così e diciamo a tutti quanti che sono MLC le NAND flash, tanto non se ne accorgono loro", e infatti... nessuno se n'è mai accorto.
Poi nel 2015 han fatto uscire l'ISSCC delle V2 (quindi nel 2014 non c'è mai stato un ISSCC) TLC facendo finta che fossero nuove e buttandole nell'850 EVO proprio come novità così che tutto potesse essere coerente. Infatti indovina un po' che NAND flash usa l'850 EVO (in alcune versioni visto che poi è stato aggiornate alle V3 TLC da 48L)? Proprio le V2 TLC da un piano con dimensione del die da 68,9 mm². Incredibile, no? :D

Neanche escluso comunque che negli ssd non sample siano stati poi effettivamente usate le 86 Gbit... non ho trovato immagini di un samsung 850 PRO "normale" e su amazon ne ho trovato uno da 1TB a 500€ ...ehm, no, no...grazie.

Ma ti lancio un altra ipotesi che potrebbe essere:

23 luglio 2015 presentati ufficialmente il Samsung 850 PRO ed EVO da 2TB (V2 32 piani 2 e 3 bit)
Agosto 2015 Samsung annuncia una nuova V-Nand V3 a 48 piani

..e se le celle contenute nel 850 PRO fossero già le V3 256Gbit?

In realtà ho scoperto nuove cose da ieri visto che nell'attesa di una tua risposta ho continuato a studiare la situazione.

Il die che ha una dimensione da 68,9 mm² (ovvero il die dell'ISSCC uscito nel 2015) non è lo stesso dell'850 PRO delle recensioni e di tutti gli articoli usciti da luglio a settembre 2014, bensì si tratta di un altro die. Questo me lo fa pensare perché in tutti gli articoli di luglio-settembre 2014 non si è mai letto di una dimensione del die da 68,9 mm² (l'articolo di comparazione V2-V3 di Jeongdong Choe è uscito nel 2016) e anche perché il die dell'ISSCC da 68,9 mm² (che è TLC 128Gb) ha un piano, non due. Si vede benissimo in quest'immagine (https://imgur.com/a/wMHVeUP) proprio dell'ISSCC.
Se poi prendiamo il die dell'articolo di Blogger (https://chipworksrealchips.blogspot.com/2014/08/the-second-shoe-drops-now-we-have.html) e di 3D InCites (https://imgur.com/a/oRVucIR) notiamo che i piani sono due, non uno, motivo per il quale la dimensione del die è più grande (ovvio, hai un piano in più...). Ma indovina che die è quello di Blogger e di 3D InCites? Il K9ADGD8S0A, quello che TechInsights ha trovato nei package dell'850 PRO e che è TLC. Quindi per forza di cose l’850 PRO non usa un die da un piano con dimensione di 68,9 mm².
Quindi che die è quello da un piano? Lo spreadsheet cinese dice il K9ADGD8U0C ed effettivamente l'immagine di TechInsights fa vedere sopra un "timbro" "2014 (https://www.sciencevisionre.com/uploads/2/8/3/7/28377149/6440405_orig.jpg)" che ci fa intuire che la sua prima produzione sia avvenuta in quell'anno. Tuttavia, il K9ADGD8U0C non è mai esistito nell'850 PRO visto che non è mai stato fatto un articolo in bella vista da TechInsights al contrario del K9ADGD8S0A (e poi non abbiamo mai letto da nessun recensore di V2 a un piano).

Ci stà, ma sai perchè?
TechInsights ha eseguito almeno 3 esami sulle V2 in tempi diversi, può essere che i rilievi della grandezza del die intero e dell'array rilevato in questi esami (che a noi sono preclusi (ho poca speranza di averli, ma ci provo).

Quello che mi chiedo, se così fosse, è perchè dei recensori è studiosi attenti, non hanno anche DOPO (non dico subito, perchè come hai detto potevano essere ignoranti della emulazione) fatto le pulci a samsung che non ha usato celle MLC native (spiegare l'emulazione avrebbe anche comportato uno sciorinamento di bravura da parte del recensore che l'avrebbe scritto).

E l'articolo di Jeongdong Choe per EE Times dove compare le V2 TLC con le V3 TLC (48L) in cui dice che le prime hanno una dimensione del die di 84,3 mm² e una dimensione dell'array (quindi di un piano teoricamente) di 68.7 mm²?

Mi sembra giusto. Per defiinizione il DIe è tutto CMOS+Array (di celle).
Quindi Die > array

Quindi, in sostanza: l'850 PRO è stato lanciato con le NAND flash V2 TLC a due piani prodotte fin da subito, le NAND flash V2 TLC dell'850 PRO hanno una densità di 128Gb in TLC (86Gb in pMLC) e una dimensione del die di 87,4 mm² e Samsung le ha fatte operare in pMLC per tutti i tagli dal 128GB all'1TB. Poi nel 2015 Samsung è stata in grado di produrre e commercializzare le V2 MLC da 128Gb e metterle soltanto nell'850 PRO da 2TB (o perlomeno questo è quello che sappiamo finora, servirebbero recensioni più aggiornate sui tagli più piccoli di 2TB ma non penso che ci siano) e ha fatto anche uscire l'ISSCC sulle V2 TLC che ha rifilato nell'850 EVO per dare coerenza (guarda caso nel DB di TPU l'850 EVO (https://www.techpowerup.com/ssd-specs/samsung-850-evo-1-tb.d31) è segnato con die da 69 mm² e un piano). Questo conferma il perché l'850 EVO usi quelle V2 TLC da un piano anziché quelle prima da due piani (e quindi teoricamente più performanti).

Infatti questa cosa mi fa molto ridere ma penso che sia evidente il perché: le V2 MLC nel 2014 non erano pronte. Fine. Se lo fossero state le V2 TLC da due piani non sarebbero mai esistite o al massimo sarebbero esistite nell'850 EVO e quelle da un piano non sarebbe mai uscite in tutta la storia, e invece...

Ti ho sottolineato quello di cui sono d'accordo (anzi di più... visto il titolo dell'analisi di TechInsights.
Il resto diciamo che sono congetture perchè non si sà poi realmente cosa contengono gli ssd 850 PRO della produzione consumer.
Ma proprio perchè qualcosa sembra non quadrare. Nello specifico che hai ragione e sembra che le 2-bit dii qualsiasi tipo (V2, V3) con le V-Nand non siano MAI stare create.

Sì ma fai comunque attenzione che potrebbe crear confusione l'immagine a pagina 17. Giusto che nel 2014 han fatto uscire le V2 da 128Gb ma quel die è da 3 bit, non 2 bit. Quel die è 2 bit soltanto quando fatto operare in pMLC, ma un die grezzo così è per forza di cose TLC visto che è il controller che decide se far operare le NAND flash con un bit in meno oppure no. Però vabbè, anche qui: non puoi dire che quel die è in realtà TLC, andresti a confutare tutto quello che hai detto nei due anni precedenti e ti faresti un autogol clamoroso.

Esattamente il motivo per cui mi sono espresso così nel postprima.

E però... autogol... sono recensori e punti di riferimento, santo zio!

Arrow0309

08-06-2025, 18:47

Ho preso sto 4Tb WD sata poco fa sigillato sulla baia inglese 170 sterline spedito.

https://i.ibb.co/GQ8vwfqf/s-l1600.webp (https://ibb.co/GQ8vwfqf)

Vorrei trovare una foto online sul pcb ma non c'e' niente, spero sia dram (non less) :fagiano: :p

DOC-BROWN

08-06-2025, 20:29

Arrow0309

08-06-2025, 20:40

cavoli SSD ben 4TB... a quel prezzo ????

Si, gli ho fatto un offerta che ha maturato dopo 30h :D
Vedo che da voi costa 245 euro min min su amazon. Questo verrebbe sui 200 quindi ottimo.
Ma temo che sia dramless, cmq andrà a sostituire il primo dei due P210 con prestazioni superiori e non di poco; il secondo cercherò di sostituire con un secondo Sa510 ma da 2Tb in quanto mi basta (devono stare accoppiati senno' si vedranno male) :D

https://i.ibb.co/wNnfH6y6/00fc16d1-119a-4d5d-af8a-3b5fa8149ac0.jpg (https://ibb.co/wNnfH6y6)

@Liupen

09-06-2025, 09:40

Si, gli ho fatto un offerta che ha maturato dopo 30h :D
Vedo che da voi costa 245 euro min min su amazon. Questo verrebbe sui 200 quindi ottimo.
Ma temo che sia dramless, cmq andrà a sostituire il primo dei due P210 con prestazioni superiori e non di poco; il secondo cercherò di sostituire con un secondo Sa510 ma da 2Tb in quanto mi basta (devono stare accoppiati senno' si vedranno male) :D

https://i.ibb.co/wNnfH6y6/00fc16d1-119a-4d5d-af8a-3b5fa8149ac0.jpg (https://ibb.co/wNnfH6y6)

Prova ad usare il software di Vlo http://vlo.name:3000/tmph/smi_nvme_flash_id.rar
Avvia come amministratore e dovrebbe leggerti le info del controller SM identificato quello, sai se è DRAMless.

Black (Wooden Law)

09-06-2025, 10:12

Neanche escluso comunque che negli ssd non sample siano stati poi effettivamente usate le 86 Gbit... non ho trovato immagini di un samsung 850 PRO "normale" e su amazon ne ho trovato uno da 1TB a 500€ ...ehm, no, no...grazie.

Per forza di cose, però, le pMLC da 86Gb devono esser state utilizzate fin quando non hanno rilasciato le V2 MLC da 128Gb, cioè 2015 (teoricamente all’uscita dell’850 PRO da 2TB e dell’850 EVO da 2TB ma non mi sorprenderei se avessero utilizzate le V2 MLC prima di questi due modelli), semplicemente perché le V2 MLC non esistevano fisicamente fino al 2015.
Ma ti lancio un altra ipotesi che potrebbe essere:

23 luglio 2015 presentati ufficialmente il Samsung 850 PRO ed EVO da 2TB (V2 32 piani 2 e 3 bit)
Agosto 2015 Samsung annuncia una nuova V-Nand V3 a 48 piani

..e se le celle contenute nel 850 PRO fossero già le V3 256Gbit?

Nello spreadsheet cinese ci sono scritte due versioni con le NAND flash V3 MLC (die da 256Gb) ma io non l’ho mai viste, né nelle recensioni né in foto. Le due versioni sarebbero da 256GB (MZ7KN256HMJP) e 512GB (MZ7KN512HMJP) ma questo non toglie che anche il 2TB possa avere le V3 MLC, o che addirittura tutti i "nuovi" 850 PRO le abbiano... Se ci sono scritte sullo spreadsheet, comunque, esisteranno sicuramente ma penso che siano state viste soltanto in foto e che non ci siano recensioni. Se poi vai a vedere le immagini dell'MZ7KN256HMJP e dell'MZ7KN512HMJP noti sul retro del packaging che sono stati prodotti da gennaio a giugno 2017 quindi 3 anni dopo il rilascio dell’850 PRO e questo penso possa alzare la probabilità dell'uso delle V3 MLC (l'850 PRO da 9,1PB di C't è un MZ7KE256, quindi penso V2 pMLC).

Non so quanto senso abbia implementare le V3 MLC su un SSD del genere, comunque. Avrebbe avuto più senso lasciarli con le V2 pMLC visto che non hanno mai fatto danni.
Ci stà, ma sai perchè?
TechInsights ha eseguito almeno 3 esami sulle V2 in tempi diversi, può essere che i rilievi della grandezza del die intero e dell'array rilevato in questi esami (che a noi sono preclusi (ho poca speranza di averli, ma ci provo).

Non hai finito la frase Liupen ma immagino che intendi qualcosa tipo "hanno fatto confusione con 3 esami sulle V2 in tempi diversi".
Quello che mi chiedo, se così fosse, è perchè dei recensori è studiosi attenti, non hanno anche DOPO (non dico subito, perchè come hai detto potevano essere ignoranti della emulazione) fatto le pulci a samsung che non ha usato celle MLC native (spiegare l'emulazione avrebbe anche comportato uno sciorinamento di bravura da parte del recensore che l'avrebbe scritto).

Mh, penso perché alcuni recensori non se ne siano mai accorti o magari l'hanno fatto troppo tardi e se ne sono fregati. Adesso, non so quando è stato fatto lo spreadsheet cinese e ammetto che non conoscevo assolutamente l'esistenza delle V2 pMLC nell'850 PRO fino alla prima volta in cui l'ho visualizzato (stessa cosa penso Gabriel Ferraz) ma non penso che qualcuno si sia mai spulciato per bene gli articoli di Samsung sulla produzione delle NAND flash nel 2014 come abbiamo fatto noi e che quindi abbia individuato le TLC al posto delle MLC. Aggiungi anche il fatto che noi ci siamo accorti dei package diversi sia nel tempo che nella configurazione in sé di ogni SSD, noi abbiamo fatto dei collegamenti logici grazie ai decoder e all'articolo di TechInsights, noi ci siamo accorti che il die K9ADGD8S0A è TLC e se n'è parlato fin da subito appena è uscita l'analisi di Chipworks (progetto di TechInsights per altro), ecc. Se devo pensare a tutte le fonti che siamo andati a vedere, leggere e studiare, a tutte la confusione che abbiamo fatto tra dimensione del die, S/N diversi, ecc. non penso che sia un lavoro da tutti quanti, ancor meno alcuni recensori che si fanno mandare l'SSD, lo aprono, fanno le veci di Samsung e fine, pubblicano la recensione senza indagare più di troppo (questo infatti è il motivo per il quale scriverei un intero PDF sulla nostra discussione e sulla verità dell'850 PRO :asd:).

Fai comunque conto che a livello di performance e durata tra pMLC e MLC siamo assolutamente lì, specialmente in queste NAND flash dove la differenza la si sente ancor meno rispetto alle NAND flash planari in cui cambiava durata ogni due per tre per il rimpicciolimento del pitch delle wordline, quindi secondo me alcuni non se ne sono proprio accorti e basta. Tuttavia, ciò non vuol dire che Samsung potrebbe fare quello che ha fatto con l'850 PRO oggi e scamparsela per anni: ce ne accorgeremmo subito con tutti i mezzi e le conoscenze che abbiamo maturato nel tempo.
Il resto diciamo che sono congetture perchè non si sà poi realmente cosa contengono gli ssd 850 PRO della produzione consumer.

Ho cercato qualche recensione russa post-uscita 850 PRO e ho trovato quella di 3DNews (https://3dnews.ru/902330/obzor-ssd-samsung-850-pro-rogdenie-novoy-zvezdi) a settembre 2014, quella di fcenter.ru (https://fcenter.ru/online/hardarticles/hdd/37800-Obzor_tverdotel_nogo_nakopitelya_Samsung_850_Pro) e quella di ferra.ru (https://www.ferra.ru/review/computers/ssd-samsung-850-pro-128-gb-MZ-7KE128BW.htm) a dicembre 2014. Son tutte 2014 ma perché più tardi non se ne trovano, però è comunque qualcosa. Ovviamente tutti quanti con NAND flash pMLC...
Ma proprio perchè qualcosa sembra non quadrare. Nello specifico che hai ragione e sembra che le 2-bit dii qualsiasi tipo (V2, V3) con le V-Nand non siano MAI stare create.

Mo' Liupen mi instilli troppa curiosità, non va bene... :asd:
L'ISSCC delle V3 che ho è TLC, non MLC. Il die è 256Gb, ha due piani e una dimensione di 97,6 mm². Il DB di TPU segna le V3 MLC esistenti e lo fa per diversi SSD come il 960 PRO, alcuni Teamgroup e dei Samsung OEM/enterprise ma non ci sono informazioni sulla dimensione del die, GSBD e altri parametri perché né io né Gabriel abbiamo l'ISSCC delle MLC (come penso nessuno). Vuoi che anche le V3 MLC siano delle TLC in pMLC? Non penso ma bisogna vedere la densità dei die del 960 PRO e le analisi di TechInsights se ci sono. Magari provo a dare un'occhiata.

@Arrow0309 oltre fare quello che ti ha detto Liupen dicci anche il firmware se riesci (lo vedi tramite CrystalDiskInfo), se inizia con "52" dovrebbe essere DRAM-less altrimenti se inizia con "53" no.

Arrow0309

09-06-2025, 10:45

@Liupen, @Black grazie raga, non appena mi arriva vi faccio sapere :cool:

@Liupen

09-06-2025, 14:16

Fai comunque conto che a livello di performance e durata tra pMLC e MLC siamo assolutamente lì, specialmente in queste NAND flash dove la differenza la si sente ancor meno rispetto alle NAND flash planari in cui cambiava durata ogni due per tre per il rimpicciolimento del pitch delle wordline, quindi secondo me alcuni non se ne sono proprio accorti e basta. Tuttavia, ciò non vuol dire che Samsung potrebbe fare quello che ha fatto con l'850 PRO oggi e scamparsela per anni: ce ne accorgeremmo subito con tutti i mezzi e le conoscenze che abbiamo maturato nel tempo.

Ho cercato qualche recensione russa post-uscita 850 PRO e ho trovato quella di 3DNews (https://3dnews.ru/902330/obzor-ssd-samsung-850-pro-rogdenie-novoy-zvezdi) a settembre 2014, quella di fcenter.ru (https://fcenter.ru/online/hardarticles/hdd/37800-Obzor_tverdotel_nogo_nakopitelya_Samsung_850_Pro) e quella di ferra.ru (https://www.ferra.ru/review/computers/ssd-samsung-850-pro-128-gb-MZ-7KE128BW.htm) a dicembre 2014. Son tutte 2014 ma perché più tardi non se ne trovano, però è comunque qualcosa. Ovviamente tutti quanti con NAND flash pMLC...

Mo' Liupen mi instilli troppa curiosità, non va bene... :asd:
L'ISSCC delle V3 che ho è TLC, non MLC. Il die è 256Gb, ha due piani e una dimensione di 97,6 mm². Il DB di TPU segna le V3 MLC esistenti e lo fa per diversi SSD come il 960 PRO, alcuni Teamgroup e dei Samsung OEM/enterprise ma non ci sono informazioni sulla dimensione del die, GSBD e altri parametri perché né io né Gabriel abbiamo l'ISSCC delle MLC (come penso nessuno). Vuoi che anche le V3 MLC siano delle TLC in pMLC? Non penso ma bisogna vedere la densità dei die del 960 PRO e le analisi di TechInsights se ci sono. Magari provo a dare un'occhiata.

Proprio uguale non penso, almeno in base alle mie conoscenze.
Innanzitutto la cella emulata è nella maggior parte dei casi della generazione dopo (quella che dovrebbe essere "nativa") quindi generalmente più piccola e contenete meno silicio; di contro non è detto che la tecnologia che la compone sia più efficiente da compensare.
Secondo motivo, il range di rilevamento, la finestra di tensione di soglia che nativamente (per le 2-bit) è su alto/basso per i 4 valori rilevati in una MLC nativa è più definita (ampia), di quella di un TLC emulato MLC.

https://i.ibb.co/zWGxwXFV/Cattura13.png (https://ibb.co/Pswj8cMG)

Di quest'ultima cosa ne sono relativamente sicuro ma non ci metto la mano sul fuoco. Penso che i range di tensione del gate della cella sono tarati nel CMOS e non stabiliti dal controller che emula. Penso che l'emulazione riguardi un comando a valle di questo.
Se realmente è così - mi piacerebbe sapere un parere di un newmaxx - il deterioramento di un segnale nel tempo è peggiore nelle TLC emulate MLC rispetto alle native.

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Ah bravo, io non ero riuscito a trovare neanche un ssd da vedere dentro... sono tutti con le stesse die, dunque.

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Un discorso esteso magari fino ai giorni nostri?
BICS...

https://i.ibb.co/hFBFSN3F/Cattura14.png (https://ibb.co/hFBFSN3F)

E' nato prima l'uovo o la gallina (QLC or TLC)?

Black (Wooden Law)

09-06-2025, 17:34

Proprio uguale non penso, almeno in base alle mie conoscenze.
Innanzitutto la cella emulata è nella maggior parte dei casi della generazione dopo (quella che dovrebbe essere "nativa") quindi generalmente più piccola e contenete meno silicio;

Di questo ne avevo già parlato qui (https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48793581&postcount=23148): se la differenza tra le NAND flash emulate e quelle native è fisica (dimensioni delle celle diverse, dimensioni delle pagine diverse, ecc.) allora spesso i risultati sono simili, altrimenti le differenze dovrebbero essere pressoché nulle (ma comunque c'è sempre differenza). Emulando delle NAND flash TLC in pSLC non ottieni lo stesso risultato perché le NAND flash SLC 2D sono nettamente più grandi di quelle TLC (penso che non siano scesi al di sotto dei 50 nm mentre le SLC 3D sono teoricamente più piccole - guarda la seconda generazione delle Intel 3D XPoint che hanno una dimensione di ogni cella di 1.600 nm²/1F²) e quindi riescono a trattenere più elettroni portando a maggiore durata, poi le pagine sono molto più piccole (2-4kB vs. 16kB) e quindi si hanno dei tPROG e tR molto più bassi. Più nello specifico, solitamente pSLC non oltrepassa i 30.000-40.000 PEC con NAND flash TLC (anche se stiamo vedendo numeri ben più alti se questa tecnologia viene abbinata ad un buon codice e delle NAND flash enterprise) e non va al di sotto dei 200 μs mentre le Z-NAND di Samsung da 48L (SLC 3D) hanno un tPROG da 100 μs e una durata che non ci possiamo immaginare (sicuramente più di 100.000 PEC).

QLC e TLC, per esempio, dovrebbero avere le stesse dimensioni delle celle (sia perché il bitline pitch è lo stesso da anni e sia perché vedo che nelle ultime NAND flash la dimensione della cella è sempre sui 20.000 nm² anche se il volume delle celle cambia) e hanno le stesse dimensioni delle pagine (16kB) infatti qui (https://www.techpowerup.com/forums/threads/western-digital-may-introduce-penta-layer-cell-plc-nand-by-2025.283337/#post-4541063) NewMaxx dice che ha rilevato le QLC in pTLC con le stesse performance delle TLC:
Kioxia QLC supporta già simultaneamente le modalità pSLC e pTLC e ho rilevate quest'ultima essere veloce quanto TLC nativo.
di contro non è detto che la tecnologia che la compone sia più efficiente da compensare.

Giusto, al netto di grandi differenze comunque. C'è differenza tra P-BiCS e BiCS, c'è differenza tra le NAND flash Samsung che usano replacement gate (RG) su charge trap flash (CTF) con quelle vecchie di Micron/IMFT che usavano floating gate (FG), ma c'è pochissima differenza tra le NAND flash Samsung e quelle recenti di Micron che usano la stessa architettura.

Secondo motivo, il range di rilevamento, la finestra di tensione di soglia che nativamente (per le 2-bit) è su alto/basso per i 4 valori rilevati in una MLC nativa è più definita (ampia), di quella di un TLC emulato MLC.

https://i.ibb.co/zWGxwXFV/Cattura13.png (https://ibb.co/Pswj8cMG)

Di quest'ultima cosa ne sono relativamente sicuro ma non ci metto la mano sul fuoco. Penso che i range di tensione del gate della cella sono tarati nel CMOS e non stabiliti dal controller che emula. Penso che l'emulazione riguardi un comando a valle di questo.
Se realmente è così - mi piacerebbe sapere un parere di un newmaxx - il deterioramento di un segnale nel tempo è peggiore nelle TLC emulate MLC rispetto alle native.

Questo è un punto interessante; come dici tu i valori di tensione di soglia (Vth) dovrebbero esser gestiti dalla NAND flash stessa e non dal controller ma proprio per questo mi viene da pensare che i valori Vth abbiano un'ampiezza maggiore se gli altri sono inesistenti. Della serie che se imposti una NAND flash TLC in pMLC togli 4 valori Vth e gli altri 4 (perché una NAND flash TLC ha 8 valori Vth) restanti possano "espandersi" nella finestra Vth riducendo i vari problemi legati sia all'affidabilità (data retention) che alla durata (PEC). Però queste sono solo mie deduzioni, non so di più, servirebbero dei test, specialmente sul data retention.
Un discorso esteso magari fino ai giorni nostri?
BICS...

https://i.ibb.co/hFBFSN3F/Cattura14.png (https://ibb.co/hFBFSN3F)

E' nato prima l'uovo o la gallina (QLC or TLC)?

NAND Flash Memory Technologies di Seiichi Aritome (ex ingegnere di Toshiba, Micron e SK hynix), a pagina 113 e 114, ci dice che la tecnologia QLC è stata presentata la prima volta con il processo 70 nm nel 2007 (https://imgur.com/a/NzaTSdK) mentre il primo paper per la "produzione di massa" delle TLC è stato presentato in un ISSCC del 2008 (https://imgur.com/a/1HO5r2u) con un nodo di 56 nm. Però il primo ISSCC delle QLC è uscito nel 2009, un anno dopo quello delle TLC.

gabmac2

09-06-2025, 18:33

Black (Wooden Law)

09-06-2025, 18:54

avevo chiesto consiglio per un pc in formato mini
ad un NM100 presente è stato affiancato un A55 come consigliato
solo in alcuni contesti si nota un pò la differenza (com' era preventivabile)
per sostituire eventualmente anche NM100, cosa consigliereste?

Un SSD DRAM-based e di buona qualità come l'MX500 o l'870 EVO, non hai altre alternative migliori dell'A55 secondo me.

gabmac2

09-06-2025, 19:31

Un SSD DRAM-based e di buona qualità come l'MX500 o l'870 EVO, non hai altre alternative migliori dell'A55 secondo me.

per sostituire NM100?
non sata

Black (Wooden Law)

09-06-2025, 22:44

per sostituire NM100?
non sata

E vuoi mettere un NVMe in un PC così piccolo? Devi guardare a qualcosa di davvero efficiente e con basse temperature: S880, T500, SN770, ecc.

megthebest

10-06-2025, 05:30

per sostituire NM100?

non sataMa non ne avevamo già parlato? Se non riscontro male dovevi verificare se lo slot M2 supportava PCIe gen 3 o superiore, altrimenti non sta in piedi nessun consiglio ed è bene tenwre il mini pc così com'è con NM 100 e A55 che in ogni caso sarebbero più freschi in un pc così compatto. Non ricordo se avevi indicato le specifiche dello slot della sk madre o meno.

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@Liupen

10-06-2025, 10:13

Di questo ne avevo già parlato qui (https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48793581&postcount=23148): se la differenza tra le NAND flash emulate e quelle native è fisica (dimensioni delle celle diverse, dimensioni delle pagine diverse, ecc.) allora spesso i risultati sono simili, altrimenti le differenze dovrebbero essere pressoché nulle (ma comunque c'è sempre differenza). Emulando delle NAND flash TLC in pSLC non ottieni lo stesso risultato perché le NAND flash SLC 2D sono nettamente più grandi di quelle TLC (penso che non siano scesi al di sotto dei 50 nm mentre le SLC 3D sono teoricamente più piccole - guarda la seconda generazione delle Intel 3D XPoint che hanno una dimensione di ogni cella di 1.600 nm²/1F²) e quindi riescono a trattenere più elettroni portando a maggiore durata, poi le pagine sono molto più piccole (2-4kB vs. 16kB) e quindi si hanno dei tPROG e tR molto più bassi. Più nello specifico, solitamente pSLC non oltrepassa i 30.000-40.000 PEC con NAND flash TLC (anche se stiamo vedendo numeri ben più alti se questa tecnologia viene abbinata ad un buon codice e delle NAND flash enterprise) e non va al di sotto dei 200 μs mentre le Z-NAND di Samsung da 48L (SLC 3D) hanno un tPROG da 100 μs e una durata che non ci possiamo immaginare (sicuramente più di 100.000 PEC).

QLC e TLC, per esempio, dovrebbero avere le stesse dimensioni delle celle (sia perché il bitline pitch è lo stesso da anni e sia perché vedo che nelle ultime NAND flash la dimensione della cella è sempre sui 20.000 nm² anche se il volume delle celle cambia) e hanno le stesse dimensioni delle pagine (16kB) infatti qui (https://www.techpowerup.com/forums/threads/western-digital-may-introduce-penta-layer-cell-plc-nand-by-2025.283337/#post-4541063) NewMaxx dice che ha rilevato le QLC in pTLC con le stesse performance delle TLC:

La differenza si, è fisica per forza, perchè sono (solitamente) generazioni diverse.
Stavo riferendomi, più che alle prestazioni ( tPROG e tR) alla durata delle celle, ma comunque le prestazioni, ne risentono alla lunga, sia perchè c'è meno silicio, sia perchè i range di rilevamento della tensione più piccolo nelle emulate, tende a far lavorare maggiormente l'ECC.
Credo... mi immagino, che il tempo di programmazione nelle celle emulate si mantenga sempre ottimale, e sia il tempo di lettura poi ad essere penalizzato con l'invecchiare dell'ssd.
Sono d'accordo con te che i P/E sono alti e soddisfacenti comunque anche nelle emulate, ma comunque - penso io - si tratta sempre di comprare qualcosa che poi è diversa a nostra insaputa. Questo lato consumer; lato pro e data center, direi che un pSLC o pTLC non è lontanamente paragonabile ad un ssd nativamente fatto per la endurance, MA, se il mercato offre a prezzi decenti solo quello, per forza ci si troverà server AI con pQLC. :mbe:
Occhio a CrossPoint 3D che funziona su cambio di stato e non su base elettronica, anche se sempre di elettroni che si spostano si tratta.

Questo è un punto interessante; come dici tu i valori di tensione di soglia (Vth) dovrebbero esser gestiti dalla NAND flash stessa e non dal controller ma proprio per questo mi viene da pensare che i valori Vth abbiano un'ampiezza maggiore se gli altri sono inesistenti. Della serie che se imposti una NAND flash TLC in pMLC togli 4 valori Vth e gli altri 4 (perché una NAND flash TLC ha 8 valori Vth) restanti possano "espandersi" nella finestra Vth riducendo i vari problemi legati sia all'affidabilità (data retention) che alla durata (PEC). Però queste sono solo mie deduzioni, non so di più, servirebbero dei test, specialmente sul data retention.

Se riesci, su questa cosa approfondisci; me lo sono sempre chiesto.

NAND Flash Memory Technologies di Seiichi Aritome (ex ingegnere di Toshiba, Micron e SK hynix), a pagina 113 e 114, ci dice che la tecnologia QLC è stata presentata la prima volta con il processo 70 nm nel 2007 (https://imgur.com/a/NzaTSdK) mentre il primo paper per la "produzione di massa" delle TLC è stato presentato in un ISSCC del 2008 (https://imgur.com/a/1HO5r2u) con un nodo a 43 nm. Però il primo ISSCC delle QLC è uscito nel 2009, un anno dopo quello delle TLC.

:cincin:

per sostituire NM100?
non sata

Ma quindi è compatibile anche con un m.2 nvme?

Black (Wooden Law)

10-06-2025, 16:09

MA, se il mercato offre a prezzi decenti solo quello, per forza ci si troverà server AI con pQLC. :mbe:

Immagina dire "sì, il mio forum è ospitato in un datacenter fatto di SSD con NAND flash pQLC". Forse non mette molta sicurezza... :D

Comunque ci siamo persi due news e una recensione :doh::
1. Kioxia vuole fare sul serio e annuncia che ha in progetto un SSD (chiamato "AI SSD") con NAND flash XL-Flash (MLC in pSLC) che fornisce 10 milioni di IOPS sia con blocchi da 4kB che da 512B (byte) dove quest'ultimi sono particolarmente usati nei sistemi large language model (LLM) e retrieval-augmented generation (RAG). Un altro motivo per il quale Kioxia si sta focalizzando sui blocchi da 512B, secondo Tom's Hardware (https://www.tomshardware.com/pc-components/ssds/kioxia-works-with-nvidia-to-prep-xl-flash-ssd-thats-3x-faster-than-any-ssd-available-10-million-iops-drive-has-peer-to-peer-gpu-connectivity-for-ai-servers), è che "Le GPU operano tipicamente internamente su linee di cache da 32, 64 o 128 byte e i loro sottosistemi di memoria sono ottimizzate per gli accessi burst a molte piccole zone di memorie indipendenti per mantenere tutti i flussi dei processori impegnati in ogni momento. Per questo le lettura da 512 byte si allineano meglio con i design delle GPU.";
2. annunciato un nuovo form factor che appartiene alla famiglia form factor per gli SSD enterprise e data center (ESDF): E2 (https://www.tomshardware.com/pc-components/ssds/a-new-ssd-form-factor-can-house-a-staggering-1-000-000-gb-of-storage-e2-drives-could-store-11-000-4k-movies-with-80w-power-draw). Questo form factor è capace di arrivare fino a 1PB di capacità;
3. recensione del BIWIN X570 di ComputerBase (https://www.computerbase.de/artikel/storage/biwin-x570-ssd-2-tb-test.92847/).

Sulla recensione dell'X570 spendo due parole in più visto che è un interessantissimo MAP1806 con le Micron B58R da 232L TLC. Il MAP1806 è il controller PCIe 5.0 DRAM-less che abbiamo visto sull'Hikvision C5000 (https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48763827&postcount=22941) e per ora è l'unico a non andare in thermal throttling sotto stress. La recensione di ComputerBase non è molto distante da quelle cinesi che vedemmo appena uscì questo controller in Cina: il tallone di Achille rimane tuttora la lettura randomica (fa 20 MB/s in meno in Q1T1 rispetto all'SN8100) e come dissi dovrebbe risolversi in futuro tramite aggiornamenti del firmware, la cache SLC è sempre di circa 300GB con una velocità direct-to-TLC di 3.000 MB/s e un folding 1.000 MB/s e le temperature sono sempre sotto gli 80 °C anche sotto stress (e senza dissipatore specifico), il problema è un leggero TT da circa 1.000 MB/s.

Il mio verdetto è che questo controller ha le potenzialità per essere il migliore in termini di rapporto performance-temperatura ma che ha bisogno di NAND flash più performanti (come le YMTC 267L o le Micron B68S da 276L) e di un aggiornamento che alzi le performance randomiche sia in MB/s che in IOPS.

Arrow0309

10-06-2025, 21:58

Immagina dire "sì, il mio forum è ospitato in un datacenter fatto di SSD con NAND flash pQLC". Forse non mette molta sicurezza... :D

Comunque ci siamo persi due news e una recensione :doh::
1. Kioxia vuole fare sul serio e annuncia che ha in progetto un SSD (chiamato "AI SSD") con NAND flash XL-Flash (MLC in pSLC) che fornisce 10 milioni di IOPS sia con blocchi da 4kB che da 512B (byte) dove quest'ultimi sono particolarmente usati nei sistemi large language model (LLM) e retrieval-augmented generation (RAG). Un altro motivo per il quale Kioxia si sta focalizzando sui blocchi da 512B, secondo Tom's Hardware (https://www.tomshardware.com/pc-components/ssds/kioxia-works-with-nvidia-to-prep-xl-flash-ssd-thats-3x-faster-than-any-ssd-available-10-million-iops-drive-has-peer-to-peer-gpu-connectivity-for-ai-servers), è che "Le GPU operano tipicamente internamente su linee di cache da 32, 64 o 128 byte e i loro sottosistemi di memoria sono ottimizzate per gli accessi burst a molte piccole zone di memorie indipendenti per mantenere tutti i flussi dei processori impegnati in ogni momento. Per questo le lettura da 512 byte si allineano meglio con i design delle GPU.";
2. annunciato un nuovo form factor che appartiene alla famiglia form factor per gli SSD enterprise e data center (ESDF): E2 (https://www.tomshardware.com/pc-components/ssds/a-new-ssd-form-factor-can-house-a-staggering-1-000-000-gb-of-storage-e2-drives-could-store-11-000-4k-movies-with-80w-power-draw). Questo form factor è capace di arrivare fino a 1PB di capacità;
3. recensione del BIWIN X570 di ComputerBase (https://www.computerbase.de/artikel/storage/biwin-x570-ssd-2-tb-test.92847/).

Sulla recensione dell'X570 spendo due parole in più visto che è un interessantissimo MAP1806 con le Micron B58R da 232L TLC. Il MAP1806 è il controller PCIe 5.0 DRAM-less che abbiamo visto sull'Hikvision C5000 (https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48763827&postcount=22941) e per ora è l'unico a non andare in thermal throttling sotto stress. La recensione di ComputerBase non è molto distante da quelle cinesi che vedemmo appena uscì questo controller in Cina: il tallone di Achille rimane tuttora la lettura randomica (fa 20 MB/s in meno in Q1T1 rispetto all'SN8100) e come dissi dovrebbe risolversi in futuro tramite aggiornamenti del firmware, la cache SLC è sempre di circa 300GB con una velocità direct-to-TLC di 3.000 MB/s e un folding 1.000 MB/s e le temperature sono sempre sotto gli 80 °C anche sotto stress (e senza dissipatore specifico), il problema è un leggero TT da circa 1.000 MB/s.

Il mio verdetto è che questo controller ha le potenzialità per essere il migliore in termini di rapporto performance-temperatura ma che ha bisogno di NAND flash più performanti (come le YMTC 267L o le Micron B68S da 276L) e di un aggiornamento che alzi le performance randomiche sia in MB/s che in IOPS.

Grazie ma no grazie

@Liupen

11-06-2025, 15:01

Comunque ci siamo persi due news e una recensione :doh::
1. Kioxia vuole fare sul serio e annuncia che ha in progetto un SSD (chiamato "AI SSD") con NAND flash XL-Flash (MLC in pSLC) che fornisce 10 milioni di IOPS sia con blocchi da 4kB che da 512B (byte) dove quest'ultimi sono particolarmente usati nei sistemi large language model (LLM) e retrieval-augmented generation (RAG). Un altro motivo per il quale Kioxia si sta focalizzando sui blocchi da 512B, secondo Tom's Hardware (https://www.tomshardware.com/pc-components/ssds/kioxia-works-with-nvidia-to-prep-xl-flash-ssd-thats-3x-faster-than-any-ssd-available-10-million-iops-drive-has-peer-to-peer-gpu-connectivity-for-ai-servers), è che "Le GPU operano tipicamente internamente su linee di cache da 32, 64 o 128 byte e i loro sottosistemi di memoria sono ottimizzate per gli accessi burst a molte piccole zone di memorie indipendenti per mantenere tutti i flussi dei processori impegnati in ogni momento. Per questo le lettura da 512 byte si allineano meglio con i design delle GPU.";

NAND flash XL-Flash?
:sofico:

Vogliono tutti creare qualcosa per lo storage AI.

2. annunciato un nuovo form factor che appartiene alla famiglia form factor per gli SSD enterprise e data center (ESDF): E2 (https://www.tomshardware.com/pc-components/ssds/a-new-ssd-form-factor-can-house-a-staggering-1-000-000-gb-of-storage-e2-drives-could-store-11-000-4k-movies-with-80w-power-draw). Questo form factor è capace di arrivare fino a 1PB di capacità;

Questa l'avevo letta e mi avevano incuriosito i 300TB stipati in quel piccolo (relativamente...più o meno un 3 volte un 2,5") formato. Non ho trovato subito un immagine e allora ho lasciato perdere.
Qui si fatica a far stare 80TB figurarsi 300!
Voli di fantasia...come il cloud nell'orbita della Luna:doh:

3. recensione del BIWIN X570 di ComputerBase (https://www.computerbase.de/artikel/storage/biwin-x570-ssd-2-tb-test.92847/).

La vera anomalia è che il made in china usi Micron e non YMTC, chissà perchè?
Alla fine non è per le prestazioni che si comprano questi ma per il prezzo e penso costi meno un YMTC di qualche fab secondaria.

Sulla recensione dell'X570 spendo due parole in più visto che è un interessantissimo MAP1806 con le Micron B58R da 232L TLC. Il MAP1806 è il controller PCIe 5.0 DRAM-less che abbiamo visto sull'Hikvision C5000 (https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48763827&postcount=22941) e per ora è l'unico a non andare in thermal throttling sotto stress. La recensione di ComputerBase non è molto distante da quelle cinesi che vedemmo appena uscì questo controller in Cina: il tallone di Achille rimane tuttora la lettura randomica (fa 20 MB/s in meno in Q1T1 rispetto all'SN8100) e come dissi dovrebbe risolversi in futuro tramite aggiornamenti del firmware, la cache SLC è sempre di circa 300GB con una velocità direct-to-TLC di 3.000 MB/s e un folding 1.000 MB/s e le temperature sono sempre sotto gli 80 °C anche sotto stress (e senza dissipatore specifico), il problema è un leggero TT da circa 1.000 MB/s.

Il mio verdetto è che questo controller ha le potenzialità per essere il migliore in termini di rapporto performance-temperatura ma che ha bisogno di NAND flash più performanti (come le YMTC 267L o le Micron B68S da 276L) e di un aggiornamento che alzi le performance randomiche sia in MB/s che in IOPS.

:cincin:

Grazie ma no grazie

:sbonk:

Bisogna rassegnarsi e prendere le cose per quello che realmente sono.

Dici "cinesi" ma poi alla fin fine:

Maxio è JMicron che comunque è sempre stata presente nel panorama dei controller https://en.wikipedia.org/wiki/JMicron un po come Asmedia e Marvell.

YMTC ha sviluppato tecnologie magari non loro ma certamente ad alto contenuto tecnologico e che poi sono state COPIATE da tutti gli altri produttori di nand.

Black (Wooden Law)

11-06-2025, 17:38

La vera anomalia è che il made in china usi Micron e non YMTC, chissà perchè?
Alla fine non è per le prestazioni che si comprano questi ma per il prezzo e penso costi meno un YMTC di qualche fab secondaria.

Questo è vero e se vediamo SSD come il Fanxiang S900 Pro notiamo che le NAND flash Micron (in particolare le B58R) non sono più di troppo un'utopia o una novità. Purtroppo per esperienza personale non mi fido delle NAND flash di Micron negli SSD cinesi visto che sono spesso chip di scarto prodotti in Cina e che rimangono in Cina (motivo per il quale esistono in questi SSD), però chi lo sa, magari ora la cosa cambia. Dubito che comunque Micron sia un reale concorrente di YMTC in Cina/Asia.
YMTC ha sviluppato tecnologie magari non loro ma certamente ad alto contenuto tecnologico e che poi sono state COPIATE da tutti gli altri produttori di nand.
La cosa divertente è questa: YMTC è entrata nel mercato copiando la tecnologia di Micron (o perlomeno queste erano le accuse), ha usato una tecnologia "prematura" per le NAND flash vista la bassa qualità di produzione del CMOS (non è normale usare WoW a 64L a mio modo di vedere), è stata copiata da Micron e infine ha firmato un accordo con Samsung per darle una mano a produrre le NAND flash. Un colosso come Samsung si fa dare una mano da un novellino che quando è entrato nel mercato a macinare le proprie 64L gli altri erano già alle 128L... letteralmente "l'allievo supera il maestro" :D.

frafelix

11-06-2025, 20:29

Arrow0309

11-06-2025, 21:51

[ ... cut ... ]

:sbonk:

Bisogna rassegnarsi e prendere le cose per quello che realmente sono.

Dici "cinesi" ma poi alla fin fine:

Maxio è JMicron che comunque è sempre stata presente nel panorama dei controller https://en.wikipedia.org/wiki/JMicron un po come Asmedia e Marvell.

YMTC ha sviluppato tecnologie magari non loro ma certamente ad alto contenuto tecnologico e che poi sono state COPIATE da tutti gli altri produttori di nand.

No, ma questo già lo so, se vedi nella mia firma ho un bel S880 da 4Tb (come drive D) ma se devo pagare il premium price per un gen 5 mi aspetto prestazioni da gen 5 e non da 4.0 (+)

Black (Wooden Law)

11-06-2025, 22:53

La cina sono anni che sta producendo cose valide in diversi ambiti e con il primo mandato di Trump hanno solo accelerato gli investimenti. Secondo me gli stati uniti hanno sbagliato nel tentare di fermarli mettendo blocchi di ogni genere, dato che li hanno solo spinti a fare da soli e non più a dipendere da loro! Ci metteranno anni, ma ci riusciranno, non sono arretrati come la russia...
Le migliori torce a led sono cinesi, i migliori droni sono cinesi, i migliori dispositivi di rete sono cinesi, le migliori batterie per auto sono cinesi, stanno guadagnando spazio anche nelle tv e nelle auto

Oramai roba cinese non è solo più cose copiate da pochi euro
Condivido pienamente il tuo pensiero Frafelix, son cresciuto a sentire “è cinese fa schifo” ma adesso la Cina sta facendo passi da gigante nel settore terziario, che sia ricerca o tecnologie attuali. Tante persone c’hanno ancora il bias “made in China” ma sicuramente si sta riducendo giorno dopo giorno. Il programma Made in China 2025 sta giocando un ruolo fondamentale.
No, ma questo già lo so, se vedi nella mia firma ho un bel S880 da 4Tb (come drive D) ma se devo pagare il premium price per un gen 5 mi aspetto prestazioni da gen 5 e non da 4.0 (+)

Non ha performance da Gen4, semplicemente non esprime il suo potenziale per le NAND flash e immaturità del firmware. Fa comunque 14 GB/s e la velocità dopo la cache SLC è ottima. Nel parallelo, secondo me, potremmo ottenere un prodotto anche migliore del MAP1602 rispetto ai suoi concorrenti DRAM-based.
Sembra che la Cina sappia costruire DRAM-less meglio dei taiwanesi (Phison e Silicon Motion).

DOC-BROWN

12-06-2025, 10:49

immagino ne avete gia parlato ?

Micron sta per spedire le sue prime memorie HBM4 da 2TB/s

Micron, la nota azienda americana attiva nel segmento informatico delle memorie, si prepara a distribuire i primi campioni dei suoi avanzati moduli HBM4, destinati all’utilizzo in ambito professionale e, nello specifico, per il calcolo ad alte prestazioni.

Questi moduli, che impilano 12 die DRAM per offrire una capacità di 36 GB per modulo, saranno presto inviati a partner selezionati, con la produzione di massa prevista per l’inizio del 2026.

Basati sul processo produttivo 1β di Micron, in uso dal 2022, i moduli HBM4 rappresentano un passo avanti significativo rispetto agli standard precedenti, come l’HBM3E.

https://www.punto-informatico.it/in-arrivo-sul-mercato-la-nuova-memoria-hbm4-di-micron-da-2tb-s/?utm_source=newsletter&utm_medium=email

Black (Wooden Law)

12-06-2025, 11:59

immagino ne avete gia parlato ?

No, HBM è high bandwidth memory, sono quindi chip SDRAM 3D, non sono chip NAND flash come quelli usati negli SSD. HBM è oltretutto destinata per applicazioni enterprise, non consumer.

Al massimo si potrebbe parlare di high-dandwidth flash (HBF) (https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/sandisks-new-hbf-memory-enables-up-to-4tb-of-vram-on-gpus-matches-hbm-bandwidth-at-higher-capacity) di Sandisk ma mi sembra molto 16 die di NAND flash 3D enterprise impilati uno sopra l'altro, nulla di più... come se avessimo in un package 16 die di NAND flash SLC (giusto perché si parla di enterprise) impilato uno sopra l'altro. Non so cos'abbia in piano Sandisk ma se vuole davvero rimpiazzare il ruolo di tanti chip DRAM nelle GPU con tanti chip NAND flash deve creare dei die NAND flash veloci e duraturi quanto la DRAM e sappiamo tutti quanti che le NAND flash sono incredibilmente più lente e meno durature, altrimenti non avremmo SSD DRAM-based. Quindi se risolvessero questo problema con HBF penso che avrebbero risolto il problema della ricerca scientifica che dalla nascita delle NAND flash sta cercando una memoria che la rimpiazzi tra phase change memory (PCM), MRAM, FRAM, ecc. Insomma, sicuramente non una cosa da poco...

Voi cosa ne pensate ragazzi? @Liupen, @frafelix.

frafelix

12-06-2025, 12:31

Pienamente d'accordo, in ambito consumer mi pareva che l'unico caso d'uso fossero con delle schede video amd con la prima serie di hbm anni e anni fa. E sì sostituiscono le ddr non le nand

pitx

12-06-2025, 14:45

Sempre su Micron

June 12, 2025 at 8:30 AM EDT
Micron and Trump Administration Announce Expanded U.S. Investments in Leading-Edge DRAM Manufacturing and R&D
(https://investors.micron.com/news-releases/news-release-details/micron-and-trump-administration-announce-expanded-us-investments)

Arrow0309

14-06-2025, 17:28

Prova ad usare il software di Vlo http://vlo.name:3000/tmph/smi_nvme_flash_id.rar
Avvia come amministratore e dovrebbe leggerti le info del controller SM identificato quello, sai se è DRAMless.

[ ... cut ... ]

@Arrow0309 oltre fare quello che ti ha detto Liupen dicci anche il firmware se riesci (lo vedi tramite CrystalDiskInfo), se inizia con "52" dovrebbe essere DRAM-less altrimenti se inizia con "53" no.

Arrivato il 4tb (un secondo sa510 da 2tb e' in arrivo entro stasera), ecco i risultati (VLO non funge):

https://i.ibb.co/NgmsmCZR/Screenshot-2025-06-14-161739.jpg (https://ibb.co/NgmsmCZR) https://i.ibb.co/fYjZzMkd/Screenshot-2025-06-14-154802.jpg (https://ibb.co/fYjZzMkd) https://i.ibb.co/9H1z86NM/Screenshot-2025-06-14-155509.jpg (https://ibb.co/9H1z86NM) https://i.ibb.co/0R5nbbpS/Screenshot-2025-06-14-160354.jpg (https://ibb.co/0R5nbbpS)

Nicodemo Timoteo Taddeo

14-06-2025, 19:04

, ecco i risultati (VLO non funge):

È uno SSD SATA non NVME.

Arrow0309

14-06-2025, 20:28

È uno SSD SATA non NVME.

Beh ovv, io sto sw VLO non lo conoscevo ma chi me l'aveva consigliato sapeva che avrei installato dei nuovi sata ssd.

Black (Wooden Law)

14-06-2025, 21:34

Beh ovv, io sto sw VLO non lo conoscevo ma chi me l'aveva consigliato sapeva che avrei installato dei nuovi sata ssd.

La versione del firmware inizia con “53” quindi dovrebbe essere la versione buona con SM2259, DRAM e BiCS5 TLC. Prova a usare la versione “SMI flash id (PATA,SATA,CF,SD)” del FID, non quella NVMe.

Arrow0309

14-06-2025, 23:48

La versione del firmware inizia con “53” quindi dovrebbe essere la versione buona con SM2259, DRAM e BiCS5 TLC. Prova a usare la versione “SMI flash id (PATA,SATA,CF,SD)” del FID, non quella NVMe.

Fatto e sono entrambi SM2259 come dicevi (e con dram), ti ringrazio :winner: :cincin:

https://i.ibb.co/sJmDwXdS/Screenshot-2025-06-14-234416.jpg (https://ibb.co/sJmDwXdS) https://i.ibb.co/B5m1vCm7/Screenshot-2025-06-14-234508.jpg (https://ibb.co/B5m1vCm7)

E difatti noto pure in scrittura una velocità superiore e maggiore consistenza rispetto ai vecchi Patriot P210.

Black (Wooden Law)

15-06-2025, 11:24

Fatto e sono entrambi SM2259 come dicevi (e con dram), ti ringrazio :winner: :cincin:

https://i.ibb.co/sJmDwXdS/Screenshot-2025-06-14-234416.jpg (https://ibb.co/sJmDwXdS) https://i.ibb.co/B5m1vCm7/Screenshot-2025-06-14-234508.jpg (https://ibb.co/B5m1vCm7)

E difatti noto pure in scrittura una velocità superiore e maggiore consistenza rispetto ai vecchi Patriot P210.

Bene Arrow, son contento, ti son capitate delle buone versioni, anche se i FID non hanno molto senso: entrambi segnano 16MB di DRAM e 1 canale. Per di più il 4TB ha 2Tb per CE quando l’SSD ha soltanto 16 die da 1Tb. Penso che ci siano alcuni errori e che il 4TB abbia 32 die.
In ogni caso, finché l’SSD ha buone NAND flash TLC (e penso che lo siano queste), un buon controller e la DRAM va bene, specialmente per questo che è SATA III.

gabmac2

15-06-2025, 18:28

pitx

15-06-2025, 23:03

Asus NUC 14 Pro AI mini PC PCIe Gen4x4 standard M.2 2280, 1TB WD SN5000S NVMe SSD

Recensione gsmarena (https://www.gsmarena.com/asus_nuc_14_pro_ai_mini_pc_review-news-66346.php)

https://fdn.gsmarena.com/imgroot/news/25/01/asus-nuc-14-pro-ai-review/inline/-1200w5/gsmarena_006.jpg

https://fdn.gsmarena.com/imgroot/news/25/01/asus-nuc-14-pro-ai-review/inline/-1200w5/gsmarena_011.jpg

Black (Wooden Law)

16-06-2025, 00:41

mi scuso per il ritardo nella risposta
l' informazione viene direttamente da chi ha venduto il pc in formato mini
come consigliato è stato aggiunto un A55, per storage
può avere anche nvme x1
si trova qualcosa di migliore di un NM100?
è molto probabile di no
oppure sbaglio?
più che una domanda è solo una curiosità per il futuro
Non capisco perché l'utente dovrebbe cambiare l'NM100. Se dà problemi di performance l'unica via è un buon SSD DRAM-based SATA III come quelli consigliati in prima pagina oppure quelli che ti ho già scritto tempo fa, non penso che la soluzione sia un NVMe x1 (se PCIe 3.0 fa addirittura meno di 1 GB/s) che aggiunge una quantità eccessiva di calore all'interno di un PC di piccole dimensioni.

Tutto è meglio di un NM100 ma un consiglio va sempre contestualizzato e se l'NM100 non dà problemi l'unica scelta migliore è un altro SSD DRAM-based SATA III, non un NVMe.
Asus NUC 14 Pro AI mini PC PCIe Gen4x4 standard M.2 2280, 1TB WD SN5000S NVMe SSD

Recensione gsmarena (https://www.gsmarena.com/asus_nuc_14_pro_ai_mini_pc_review-news-66346.php)

https://fdn.gsmarena.com/imgroot/news/25/01/asus-nuc-14-pro-ai-review/inline/-1200w5/gsmarena_006.jpg

https://fdn.gsmarena.com/imgroot/news/25/01/asus-nuc-14-pro-ai-review/inline/-1200w5/gsmarena_011.jpg
Peccato sia QLC in qualsiasi taglio.

frafelix

16-06-2025, 11:33

Black (Wooden Law)

16-06-2025, 14:58

Il CEO di Silicon Motion dice che gli ssd pci-e 6 in ambito consumer costeranno troppo per via dei costi di produzione (come le schede video). Speriamo se vero che nel tempo (a breve termine tipo 1 anno) affinino i pci-e 5 e che li abbassino di prezzo! Le schede madri con pci-e 5 ci sono dal 2021...
https://www.hwupgrade.it/news/storage/ssd-pcie-60-troppo-costosi-e-inutili-per-il-mainstream-dice-silicon-motion_139837.html

Ho appena letto l'intervista con il CEO di Silicon Motion e devo dire che è molto interessante, consiglio la sua lettura a tutti quanti perché dà un ampio panorama sugli SSD.

I punti interessanti sono sicuramente gli SSD PCIe 6.0 consumer che non avremo fino al 2030 (questo vuol dire che i produttori degli SSD vertically-integrated¹ e dei controller dovranno far uscire altri prodotti Gen5 altrimenti ci sarà un monopolio incredibile di Silicon Motion), i costi maggiorati dei PCIe 6.0 come dici tu Frafelix (precisamente per un tape-out² da 4 nm i costi sono di circa 15-20 milioni di dollari in più), il focus dei produttori di NAND flash su memorie che possano soddisfare Nvidia (che chiede 100 milioni di IOPS, attualmente irraggiungibili ovviamente) per l'IA e il fatto che non vedremo le NAND flash PLC per almeno cinque anni e che le NAND flash QLC e TLC hanno ancora tanta strada da fare, specialmente le prime. Altre due cose sono i nodi di Samsung che sembrano interessanti per abbassare i costi e le tariffe di Trump che rappresentano un ostacolo non troppo grande visto che non esportano parecchio negli USA.

¹: produttori di SSD che creano gli SSD basandosi interamente sui loro controller, chip DRAM e chip NAND flash e li vendono assemblandoli loro.
²: la fase in cui si è finita la progettazione di un chip e si passa alla sua produzione in fonderia.

cagnaluia

16-06-2025, 15:04

Black (Wooden Law)

16-06-2025, 16:25

Ciao, una questione tecnologica da comprendere meglio...

Mi trovo con tutta una serie di dischi ssd, economici, Crucial BX500, da sostituire perchè trovo i PC praticamente piantati.. task manager, disco 100%...

Si tratta di PC uso ufficio che acquistavo anni fa sui siti di ricondizionati.

Ora, via via che trovo queste situazioni sostituisco i crucial con samsung (oggi 870EVO) e la situazione migliora nettamente.

In generale trovavo rallentamenti quando qualsiasi disco raggiungeva valori di riempimento tra il 90/99%

Ma questi crucial, solitamente 500GB, non arrivano mai al 30% di spazio occupato..

Perciò come si spiega il forte degrato, praticamente da un momento all'altro.. ?

Mi fareste un pò di scuola sulla tecnologia che sta dietro alle memorie installate e quali evitare assolutamente?

thx:)
Il problema del BX500 sono primariamente le NAND flash QLC (le abbiamo viste anche sui tagli da 480GB quindi appuro che quei BX500 fossero appunto QLC) e il design DRAM-less che ostacola le operazioni sul drive. Gli SSD SATA non hanno neanche l'HMB a differenza degli NVMe (che è un algoritmo che appoggiandosi alla RAM del sistema permette di migliorare le performance dell'SSD) e quindi sono ancora peggio se DRAM-less. L'870 EVO, al contrario, ha NAND flash TLC e design DRAM-based (quindi con chip DRAM) che gli permette di gestire le scritture e i carichi di lavoro in generale meglio del BX500.

Per quanto riguarda questo:
Mi fareste un pò di scuola sulla tecnologia che sta dietro alle memorie installate e quali evitare assolutamente?
Ti direi di leggerti le nozioni in prima pagina (https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=39580121&postcount=2) che sono molto utili per un'infarinatura generale ma ti direi anche che non ci sono memorie da evitare a prescindere, va tutto contestualizzato. Come puoi ben notare le NAND flash QLC faticano se messe come uso primario, specialmente se sono accompagnate da una scarsa componentistica come quella del BX500 (il controller è buono ma la mancanza della DRAM sui SATA non è indifferente) ma se messe come uso secondario vanno benissimo, o perlomeno usi dove le letture prevalgono sulle scritture. I TLC, invece, sono ancora la prima scelta per uso primario ed è sempre preferibile avere la DRAM.

Quindi, se dovessi acquistare un SSD:
- uso primario: buon SSD con NAND flash TLC e possibilmente la DRAM oppure NAND flash TLC e design DRAM-less a patto che sia un NVMe o un buon SSD SATA;
- uso secondario: va bene anche un SSD con NAND flash QLC e DRAM-less. Ovviamente per questo uso gli SSD DRAM-based TLC non sono esagerati, semplicemente non si differenziano dai QLC anche se dipende dall'uso che se ne fa.

cagnaluia

16-06-2025, 16:58

beh grazie, limpido @Black (Wooden Law)

frafelix

16-06-2025, 21:02

Aggiungerei anche di guardare i processi in background di windows, io tempo fa avevo montato un bx500 su un vecchio portatile di un conoscente e appena avviato con installazione pulita di win10 avevo notato un eccessivo rallentamento. Questo derivava dalla cpu sempre al 100% che faceva l'indicizzazione e l'ssd andava in crisi. Disabilitato il servizio e tutto a velocità regolare (ovviamente per quel pc e ssd)

Black (Wooden Law)

17-06-2025, 11:16

Primo prototipo di E28 con BiCS8 TLC da Tom's Hardware (https://www.tomshardware.com/pc-components/ssds/phison-e28-2tb-ssd-review). Molto deludente per ora, performance al di sotto della media e non di poco, l'SN8100 fa quasi 4 GB/s in direct-to-TLC mentre questo E28 (che però ha ancora un firmware immaturo) circa 2 GB/s, sopra soltanto al 9100 PRO. Altri punti deboli sono sicuramente le letture randomiche e le scritture ad alta QD.
Consumi e temperature, invece, sono eccellenti, è il Gen5 meno energivoro di tutti (circa 4 W di picco) e non richiede un dissipatore come il MAP1806.

Se l'E28 non subisce un grande miglioramento tramite firmware e Phison non rilascerà altri controller potremmo avere un gigante dominio di Silicon Motion sia sulla fascia alta (SM2508) che sulla fascia medio-bassa se l'SM2504XT esce bene.

Arrow0309

17-06-2025, 22:28

frafelix

18-06-2025, 16:05

Tornando ai dati recuperabili su mac, qualcuno conosce programmi free per mac per il secure erase dello spazio vuoto? (Secure erase inteso come cancellazione sicura dei dati in questo caso)

Perché ho provato:
- con programmi di terze parti, ma sono tutti a pagamento
- da terminale con il comando diskutil, ma funziona solo su dischi non di avvio o comunque non va con le ultime versioni di mac os
- con la chiavetta che avevo fatto con parted magic, ma non si avvia su mac

Black (Wooden Law)

19-06-2025, 19:35

Se riesci, su questa cosa approfondisci; me lo sono sempre chiesto.

L'altro giorno stavo rivedendo la lezione numero 3 del corso "P&S Modern SSDs (Spring 2024)" su "Onur Mutlu Lectures" (lezione molto interessante ma basata su un paper che propone una tecnica che probabilmente non verrà mai utilizzata) e al minuto 32:32 mostra la slide 22 "Enhanced SLC-Mode Programming (ESP)" in cui parla di questa tecnologia che aumenta il margine tra lo stato programmato e cancellato di una NAND flash in cache SLC per aumentare l'affidabilità. Ora, ESP è relativamente interessante visto che anch'esso probabilmente non verrà mai utilizzato (il contro è che palesemente aumenta il tPROG e quindi riduce le performance) però la cosa da notare è che nella slide c'è scritto come prima riga "La programmazione SLC-mode fornisce un margine largo di tensione tra gli stati programmati e cancellati (https://imgur.com/a/k7Of5oN)" volendo dire che le NAND flash in cache SLC hanno una finestra della tensione di soglia come quella in una NAND flash caratterizzata da soltanto 2 stati di tensione di soglia (ossia una NAND flash SLC). Ergo, delle NAND flash TLC in pMLC (per esempio) avranno una finestra della tensione di soglia grande quanto quella di una NAND flash MLC e gli stati della tensione di soglia saranno 4 anziché 8.

Questo è il motivo per il quale delle NAND flash x-level cell (XLC) impostate per memorizzare uno o più bit in meno di quelli che memorizzano normalmente hanno una durata maggiore. Poi la durata potrebbe non essere uguale per i motivi detti nei commenti di prima, come dimensione delle celle diverse e quindi quantità di elettroni inferiore (dico "potrebbe" perché non ho dati di durata su NAND flash QLC in pTLC, per esempio).

Black (Wooden Law)

24-06-2025, 07:06

Il CEO di Phison dice (https://www.digitimes.com/news/a20250623PD209/demand-phison-2025-ceo-market.html) che i prezzi delle NAND flash rimarranno alti per tutta la seconda parte del 2025 (2H25). Aspettiamo anche future previsioni di TrendForce.

frafelix

25-06-2025, 12:46

Tra il wd black sn8100 ed il crucial t705 quale dei due performa meglio una volta riempita la cache? E che dimensioni di cache hanno?
Il crucial t710 quando dovrebbe uscire in Italia?

Black (Wooden Law)

25-06-2025, 13:35

Tra il wd black sn8100 ed il crucial t705 quale dei due performa meglio una volta riempita la cache? E che dimensioni di cache hanno?
In generale l'SN8100 batte il T705 sotto qualsiasi test di performance ma dopo la cache SLC le performance sono uguali in direct-to-TLC (cioè circa 4.000 MB/s nel taglio da 2TB) soltanto che l'SN8100 ha un successivo stato di folding (https://imgur.com/a/ypzbCvo) (che il T705 non ha) da circa 2.000-2.500 MB/s. La cache SLC è quasi ⅓ la capacità del drive, quindi per il taglio da 2TB dovrebbe essere circa 600GB mentre la cache SLC del T705 è 220GB sempre per il 2TB.

Eleggerei come vincitore l'SN8100 visto che per sentire lo stato di folding andrebbero scritti più di 600GB di cache SLC e penso altri 600GB di direct-to-TLC (dico "penso" perché dal grafico di Tom's Hardware la cache SLC dura 50 secondi così come lo stato di direct-to-TLC ma non son sicuro di quanti GB siano stati scritti prima di raggiungere il folding).
Il crucial t710 quando dovrebbe uscire in Italia?
Non lo so, spero presto. Il T710 dovrebbe esser la copia del Micron 4600 quindi SM2508 con B68S di Micron da 276L. Se volessi un paragone tra 4600/T710 e SN8100 ti direi che il vincitore rimarrebbe l'SN8100 ma soltanto per la cache SLC più grande (il 4600 ha una cache SLC da quasi 400GB nel taglio da 2TB), del resto performano praticamente uguali gli SSD.

Black (Wooden Law)

25-06-2025, 13:41

Altro cinese con NAND flash Micron @Liupen: https://www.techpowerup.com/ssd-specs/fanxiang-s910-pro-1-tb.d2469. Questo però è di fascia un po' più alta della media visto il controller. Mi urtano soltanto le NAND flash "obsolete" che vengono usate anche da tanti altri produttori occidentali ma magari la Cina non ha ancora accesso alle B68S...

DOC-BROWN

25-06-2025, 13:42

In generale l'SN8100 batte il T705 sotto qualsiasi test di performance .

SSD normali interni sata da 2.5'' , prima avevo un samsung non ricordo se 860 o 870 evo e

avvio veloce, da quando ho messo un Crucial MX500 l'avvio con

schermata nera e logo del produttore ci mette una vita ....

dubbio: solo coincidenza o ssd crucial sono MOLTO lenti , possibile ? :doh:

Black (Wooden Law)

25-06-2025, 13:44

dubbio: solo coincidenza o ssd crucial sono MOLTO lenti , possibile ? :doh:
Penso che sia soltanto una coincidenza e guarderei altri fattori come spazio disponibile nell'SSD, eventuali malware, ecc. Io ho un MX500 da 500GB come SSD primario ed è una scheggia come sempre. Non ho mai avuto altri SSD come primari quindi non posso fare un paragone ma se fosse molto lento penso che lo sentirei.

frafelix

25-06-2025, 13:56

Sicuramente altri fattori o ssd con problemi, i miei tempi di boot da intel x25m, 840pro e 950 pro non sono cambiati di molto

Grazie Black per la disamina, peccato che ci sia ancora troppa differenza di prezzo nel 2tb tra i due, circa 80 euro...

Black (Wooden Law)

25-06-2025, 14:56

Grazie Black per la disamina, peccato che ci sia ancora troppa differenza di prezzo nel 2tb tra i due, circa 80 euro...
Già, per ora sembra che il T705 sia l’unico PCIe 5.0 decente come rapporto qualtià-prezzo

frafelix

25-06-2025, 15:40

Già, per quanto comunque ad ogni ssd spendo sempre la stessa cifra... Certo ci guadagni in prestazioni e spazio utilizzabile, mah... Mi pare che l'intel x25m da 80gb l'avessi pagato tra i 250 e i 300 euro, l'840 pro da 256gb circa 250 euro e il 950 pro da 512gb attuale direi tra i 250 e i 300 euro!

Black (Wooden Law)

25-06-2025, 17:29

e il 950 pro da 512gb attuale direi tra i 250 e i 300 euro!
Fa senso sapere che c'hai ancora un SSD da 512GB ben funzionante (immagino) da quasi 10 anni. D'altronde, la qualità delle NAND flash di Samsung è questa, specialmente per i modelli MLC.
Ci fai tante scritture al giorno?

brown

25-06-2025, 18:07

Fa senso sapere che c'hai ancora un SSD da 512GB ben funzionante (immagino) da quasi 10 anni. D'altronde, la qualità delle NAND flash di Samsung è questa, specialmente per i modelli MLC.
Ci fai tante scritture al giorno?

ho ancora il mio primo 840evo 120gb funzionante (97k ore di lavoro) :D :D

Black (Wooden Law)

25-06-2025, 19:51

ho ancora il mio primo 840evo 120gb funzionante (97k ore di lavoro) :D :D

Con quante scritture in GB/TB? Sarei curioso di vedere S.M.A.R.T. sia di quell'840 EVO sia del 950 PRO di Frafelix.

frafelix

26-06-2025, 09:48

Stasera posto uno screen, comunque non credo di scriverci più di tanto... Comunque tutti gli ssd elencati prima sono ancora pienamente operativi, l'840pro da 256gb sul portatile di mia mamma e l'intel da 80gb sul macmini del 2012

DOC-BROWN

26-06-2025, 11:13

Penso che sia soltanto una coincidenza e guarderei altri fattori come spazio disponibile nell'SSD, eventuali malware, ecc. Io ho un MX500 da 500GB come SSD primario ed è una scheggia come sempre. Non ho mai avuto altri SSD come primari quindi non posso fare un paragone ma se fosse molto lento penso che lo sentirei.

anche a me sembrava strano che era un problema del MX500 !

che se non ho capito male ( ? ) non e' all'altezza del samsung evo , ma non dovrebbe essere malaccio ?

malware non credo, come posso trovarlo , cosa usare ?

altre idee su cosa potrei fare per capire come mai sto avvio lnetissimo

del boot iniziale del pc all'avvio ?

grazieeeeeeeeee :doh: :doh: :doh:

PS : in gestione attivita' , avvio bios mi da 7,3 secondi ... che dite ?

frafelix

26-06-2025, 11:39

Ci sono troppi fattori che influenzano l'avvio di windows e i tempi dipende da dove li calcoli.
Se partiamo dal momento in cui schiacci il tasto di accensione c'è tutta la fase di post della scheda madre che a seconda di quante periferiche e controller ha attaccati può variare anche di alcuni secondi, se poi hai periferiche usb esterne tipo lettori cd o hd ci può mettere anche minuti se rileva problemi...
Poi dipende se da windows è abilitato o meno l'avvio rapido (di solito è attivo di default).
Poi ancora dipende da quanti programmi hai in esecuzione automatica.

Quindi i 7,3 secondi di per se non dicono granché. La percezione ce l'hai solo tu, se prima ci impiegava 2 secondi in meno di sicuro non è colpa dell'ssd

DOC-BROWN

26-06-2025, 12:44

Black (Wooden Law)

26-06-2025, 12:53

che se non ho capito male ( ? ) non e' all'altezza del samsung evo , ma non dovrebbe essere malaccio ?
"Non è all'altezza del Samsung [870] EVO" mi sembra esagerato. Entrambi sono degli ottimi SSD SATA e sono attualmente i migliori in commercio; con l'870 EVO hai il vantaggio di un controller più potente (ha più core) mentre con l'MX500 hai il vantaggio di NAND flash più recenti e performanti nonostante siano limitate dalla banda SATA III. In ogni caso, si parla di modelli di fascia alta dove la differenza non è assolutamente notabile dall'utente, neanche da quello che li spreme al massimo probabilmente.
PS : in gestione attivita' , avvio bios mi da 7,3 secondi ... che dite ?
A me come ultima durata dà 14,4 secondi, pensa un po'. Penso che siano soltanto tuoi viaggi mentali, leggi poi il commento di Frafelix che contiene molta verità.

DOC-BROWN

26-06-2025, 13:17

"Non è all'altezza del Samsung [870] EVO" mi sembra esagerato. Entrambi sono degli ottimi SSD SATA e sono attualmente i migliori in commercio; con l'870 EVO hai il vantaggio di un controller più potente (ha più core) mentre con l'MX500 hai il vantaggio di NAND flash più recenti e performanti nonostante siano limitate dalla banda SATA III. In ogni caso, si parla di modelli di fascia alta dove la differenza non è assolutamente notabile dall'utente, neanche da quello che li spreme al massimo probabilmente.

A me come ultima durata dà 14,4 secondi, pensa un po'. Penso che siano soltanto tuoi viaggi mentali, leggi poi il commento di Frafelix che contiene molta verità.

saranno come dici "viaggi mentali" ma prima avvio di win era praticamente quasi istantaneo , ora specie nella fase inziale con il logo del produttore ...
davvero lentissimo , boh

frafelix

26-06-2025, 14:20

Hai clonato il sistema? Perché l'unico modo che hai per sapere se dipende dall'ssd (a parte verificare se i parametri smart dicono qualcosa di utile) è staccare tutte le periferiche esterne, resettare il bios e installare win da 0. Se così hai problemi con il nuovo e non con il vecchio allora potrebbe dipendere dall'ssd

Black (Wooden Law)

26-06-2025, 18:26

Alla fine ci avevo azzeccato sull'NQ780 (https://www.techpowerup.com/review/lexar-nq780-4-tb/): controller DRAM-less ma usato con HMB, cioè senza DRAM. Il controller in questione è l'inaffidabile IG5236 e come NAND flash sono usate le vecchie (e scarse al giorno d'oggi) Intel N28A QLC da 144L. C'ha una cache SLC enorme (quasi 1TB sul taglio da 4TB) ma ovviamente è necessaria per coprire le pessime performance delle NAND flash che fanno 400 MB/s.

Direi che questo NQ780 può finire nella lista degli SSD da evitare.

frafelix

26-06-2025, 19:02

Black (Wooden Law)

26-06-2025, 19:24

Ecco gli screen del mio 950 pro
https://i.postimg.cc/9DSv42SL/Screen-Shot-2025-06-26-at-07-55-57-270-PM.png (https://postimg.cc/9DSv42SL) https://i.postimg.cc/TyDBgSvf/Screen-Shot-2025-06-26-at-07-57-48-127-PM.png (https://postimg.cc/TyDBgSvf)

40TB scritti su un SSD del genere sono un niente, di 'sto passo fai prima ad andare tu in pensione che lui a morire. Le performance, oltretutto, sono come se l'SSD avesse il 0% di usura...

frafelix

26-06-2025, 21:03

Già!

Black (Wooden Law)

26-06-2025, 21:33

@Liupen è appena uscita la recensione di TweakTown sul Micron 2600 (https://www.tweaktown.com/reviews/11090/micron-2600-2tb-ssd-qlc-on-steroids/index.html), un E29T (prima volta che vediamo questo controller) con le N69R (G9), cioè 276L QLC. Trovo questo SSD più interessante da un punto di vista accademico che delle performance.

Prima di tutto, parlando dell'SSD, usa controller e NAND flash superrecenti. L'E29T sembra essere un'evoluzione dell'eccellente E27T competitor del MAP1602: penso che abbia 3 core ARM Cortex-R5 di cui due di essi CoXProcessor, ha 4 canali da 3.600 MT/s ciascuno con 16 CE totali ed è costruito su un nodo da 12 nm di TSMC. Fin qui tutto uguale all'E27T, l'unica differenza che mi sembra di vedere è un miglioramento dal punto di vista dell'affidabilità grazie all'ECC LDPC e RAID di settima generazione di Phison quando l'E27T usa un motore di quinta generazione.

Parlando delle NAND flash, invece, come già detto sono delle N69R. Nel sample di TT da 2TB si ha soltanto un chip NAND flash visto che ci sono all'interno 8 die da 2Tb ciascuno, e infatti 256GB (ottenuto facendo 2.048 / 8) * 8 = 2.048GB. Abbiamo di fronte, quindi, il primo chip NAND flash con die da 2Tb.
La velocità dell'I/O di queste NAND flash è di 3.600 MT/s.

Vedendo la foto di TT (https://www.tweaktown.com/image.php?image=https://static.tweaktown.com/content/1/1/11090_05_micron-2600-2tb-ssd-review-qlc-on-steroids_full.jpg) si ottiene il codice FBGA, ossia NY376. Mettendolo nel decoder di Micron (https://www.micron.com/sales-support/design-tools/fbga-parts-decoder?srsltid=AfmBOorQkCoVuPEFQYxEs_ihjeR0AnzqEd7P4Fcc5_6Nb8KZAlAZLjij) otteniamo che il S/N è MT29F16T08GQLBHL5-24QA:B. Da qui si possono scoprire tante belle informazioni tramite lo spreadsheet cinese:
- "16T" = 16.384Gb, 2TB di package;
- "Q" = 8 die, 4 nCE, 4 RnB e 4 I/O;
- "24" = 2.400 MT/s.

Strano che lo spreadsheet dica 2.400 MT/s se queste NAND flash sono listate per 3.600 MT/s, vero? In realtà ha senso come cosa: 7,2 / 0,85 = 8,47; 8,47 / 4 = 2.100 MT/s, ciò vuol dire che per raggiungere 7,2 GB/s con 4 canali ("0,85" è l'overhead) servono delle NAND flash da almeno 2.100 MT/s, non 3.600 MT/s.

Oltrepassato ciò, parliamo del perché dico che questo SSD è "più interessante da un punto di vista accademico che delle performance".

Micron sulla propria pagina (https://www.micron.com/products/storage/ssd/client-ssd/2600-ssd?srsltid=AfmBOopMdHfXgdX7dN-kSV8udQl1nVa2kkU648aNYvjzk-BuLcf1E0Eg) parla di una nuova tecnologia che riguarda il 2600: adaptive write technology (AWT). Dice che
l'SSD 2600 offre prestazioni di scrittura superiori grazie a una soluzione multilivello in modalità caching dinamico SLC, TLC e QLC.
Letta 'sta roba mi son detto "boh, cosa vuol dire? che AWT offre la possibilità di usare la pTLC cache e la pQLC cache?". Leggendo nelle note Micron scrive:
3. AWT migliora la velocità di scrittura sequenziale di 4 volte per il primo 40% della capacità specificata dell'SSD. Basato sui test di Micron scrivendo un file da 400GB su un SSD QLC da 1TB.
Letta quest'altra cosa mi son detto "vabbè, penso che sia semplicemente un modo per chiamare la cache pSLC, pTLC e pQLC". Non demordo però e mi vado a leggere la scheda tecnica (https://assets.micron.com/adobe/assets/urn:aaid:aem:c394eee1-4e22-4dac-bd16-d7cc528574e0/renditions/original/as/micron-awt-tech-brief.pdf). Qui le cose si fanno molto più interessanti e diverse da come pensavo.

Micron scrive:
AWT consente agli SSD QLC di scrivere dati a velocità SLC e TLC mantenendo l'economicità di QLC. Il dispositivo NAND non cambia (si tratta sempre di NAND QLC), ma cambia solo la modalità di scrittura dei dati. Micron AWT può ottimizzare l'esperienza dell'utente scrivendo automaticamente i dati in modalità SLC, TLC o QLC.

AWT non è DWA (quindi cache SLC dinamica) ma non è neanche la solita cache SLC che abbiamo visto: AWT è cache SLC, cache TLC ed eventualmente cache QLC. Dico "eventualmente" perché teoricamente per un SSD QLC non esiste alcuna cache QLC, scrive sulle NAND flash QLC e basta, ma per un SSD PLC la cache QLC ha assolutamente senso. La Figura 2 (https://imgur.com/a/4FmA1da) mostra la combinazione di pSLC, pTLC e pQLC che formano AWT: pSLC è più larga che alta perché è più performante, pTLC è più alta e meno larga di pSLC perché ha 3 bit per cella e performance peggiori e stessa cosa pQLC (4 bit per cella) rispetto a pTLC, soltanto che combinando tutte queste tecniche insieme si ottiene il connubio perfetto per AWT, quindi la miglior configurazione in termini di rapporto capacità-durata, non a caso il triangolo è "perfetto".

Infine, per spiegare l'intero processo di AWT c'è la Figura 3 (https://imgur.com/a/ruPz7bX):
1. vengono scritti i dati nella cache SLC finché non viene riempita;
2. dopo aver riempito la cache SLC si scrivono i dati nella cache TLC finché anch'essa non viene riempita;
3. una volta riempite entrambe le cache l'SSD migra i dati dalle due cache alle NAND flash QLC. Questo è il processo di folding e viene eseguito quando l'SSD si trova in uno stato di idle, anche per poco tempo;
4. completamente del folding;
5. tutti i dati delle cache sono stati trasferiti nelle NAND flash QLC e ora ci sono entrambe le cache libere. Da qui si possono riscriverle e riempirle, ovviamente con capacità ridotta dal momento che si parla di cache dinamica.

Anche quest'immagine-riassunto (https://assets.micron.com/adobe/assets/urn:aaid:aem:7d69d6ce-bf63-40bc-9950-70db77858638/renditions/original/as/micron-awt-2600-infographic.jpg) è molto utile.

Apparentemente il Micron 2600 è l'unico attuale SSD con AWT. Mi chiedo se questa tecnologia verrà installata anche su futuri SSD TLC ma penso che prima bisogni vedere come si comporta, se è effettivamente vantaggiosa o meno.

Il mio parere personale è che sembra una tecnologia stupida, penso che sia molto meglio un'intera cache SLC piuttosto che metà pSLC e metà pTLC. Con metà pTLC hai letteralmente un degrado delle performance dalla pSLC e se puoi evitare questo degrado impostando la cache interamente in pSLC, che senso ha condividere metà di questa porzione in pTLC? Boh, chi lo sa, se sono arrivati ciò è perché magari è vantaggioso in termini di costi/performance. Penso che questa modalità avrebbe senso per i primi SSD da 16TB (raggiungibili grazie a questi die da 2Tb): se per qualche motivo non riesci a fare una gigantesca cache SLC per questi dispositivi allora allunghi il brodo con una cache pTLC, ma il Micron 2600 non ha capacità neanche da 8TB, figurati 16TB. Magari AWT esiste per questo e ora come ora la stanno soltanto introducendo dandoci un assaggio...

In ogni caso, dobbiamo attendere recensioni più complete come quelle di Tom's Hardware per sentire la loro su AWT e vedere come si comporta questa cache pSLC e pTLC. Se pTLC è un allungamento della pSLC è vincente come tecnica, se è un taglio è soltanto un peggioramento secondo me.

P.S.: mi chiedo anche perché pTLC e non pMLC. Se usciranno/troverò brevetti in futuro li leggerò e condividerò.

Black (Wooden Law)

27-06-2025, 00:09

So che questo thread parla di SSD ma questa (https://www.techpowerup.com/338380/ddr4-module-prices-overtake-ddr5-for-the-first-time) notizia può essere rilevante ai chip DRAM installati negli SSD: attualmente i chip DRAM DDR4 costano quanto (se non di più) quelli DDR5. Il motivo dietro a questo fenomeno è la riduzione di produzione da parte dei produttori come Micron che ha annunciato che entro fine anno vuole terminare completamente la produzione di questo tipo di memoria.

Il motivo dietro al taglio di produzione delle DDR4 è la Cina, particolarmente CXMT, un nuovo produttore che è entrato nel mercato delle DRAM a maggio 2024. Da quando è entrato nel mercato ha incominciato a vedere banchi a prezzo inferiore rispetto alla concorrenza per "rubare" del market share e gli altri produttori (SK hynix, Samsung e Micron) per impedire che succedesse ciò hanno seguito questo trend di abbassamento dei prezzi. Mentre i produttori abbassavano i prezzi delle DDR4 ne abbassavano anche la produzione visto che non facevano un gran profitto... questo tutti i produttori tranne CXMT, che ha continuato ad abbassare i prezzi aumentando sempre di più l'offerta. In quel momento (ossia fino a dicembre 2024) CXMT era l'azienda dominante nell'offerta di moduli DDR4.

A dicembre 2024 succede che CXMT ha deciso di spostare il focus della produzione sulle DDR5 producendo e offrendo meno DDR4 di quanto avesse fatto prima, aumentando così i prezzi. Dal momento che per far avvenire questa transizione ci vuole un trimestre¹ i prezzi delle DDR4 hanno incominciato ad aumentare da marzo 2025, esattamente 3-4 mesi dopo dicembre.

The Memory Guy (vedere nota a piè di pagina) dice che tutto questo è successo perché visto l'obbiettivo della Cina di diventare autoindipendente nel settore dei semiconduttori (Made In China 2025 (https://it.wikipedia.org/wiki/Made_in_China_2025)) ad essa non poteva mancare una fetta del mercato delle DRAM, quindi ha deciso di introdursi tramite una società sotto proprietà del governo (proprio come YMTC) che non è costretta a fare profitto ma appunto ad introdursi in questo mercato. Non a caso hanno fatto la transizione DDR4-DDR5 dopo poco che sono entranti nel mercato, se CXMT fosse stata un'azienda che avesse puntato sul profitto l'avrebbe fatto più in avanti visto che è un'operazione costosa.

Concludendo, vista questa situazione direi che è probabile vedere in futuro chip DRAM DDR5 negli SSD, specialmente chip CXMT negli SSD cinesi.

¹: https://thememoryguy.com/some-clarity-on-2025s-ddr4-price-surge/.

@Liupen

27-06-2025, 15:58

Ho letto i paper e quello che mi hai scritto Black, devo dire che sul ‘On Pitch Select Gate’ l’avevamo inquadrato già bene cosa fa e che vantaggi porta alle BiCS 8.
Resta comunque dvvero impressionante come si riesca a fare delle cose…dei miglioramenti, che funzionino a livello industriale, che sono grandi pochi nanometri se non micron…
Incredibile e nello stesso tempo entusiasmante per gli ingegneri che l’hanno affrontato… e risolto.

Per quanto riguarda “NAND flash innovation in the AI Era”, trovo veramente una graaaande forzatura voler inserire la parola “AI” con Nand Flash. Insomma il fatto che le nand siano più dense e un poco più veloci, nulla aggiunge alle necessità dello storage cluod necessario alle AI per funzionare o alle forme di memoria HBM che sono su un pianeta diverso.
Nell’AI, come detto nel paper, c’è una parte di addestramento (la banca dati, quella che può essere svolta anche offline) e la inferenza, ossia l’interfaccia, la comunicazione da e verso l’utente dell’assistente virtuale, o bot, agente (in termini un po più propri).
Nell’uno e nel secondo caso, è logico che si cerchi lo storage che a parità di capienza si più perfomente e a bassa latenza; quindi la soluzione non può che ricadere su ssd con protocollo nvme.
Se creare grandi ssd è una condizione in progressione (il paper dice che la densità cresce del 30% circa all’anno da quando si ha memoria delle Nand flash) allora è una forzatura dire che ci sono delle nand flash dedicate all’AI.

A parte questa cosa, sembra che il modo con cui hanno realizzato un Micron G9 die più denso non aggiungendo layer più di tanto è proprio la loro versione di On Pitch Select Gate … annamo bene! (detto proprio come faceva Sora Lella).
Qui si scopiazzano le soluzioni… ed ho una mezza idea che il primo sia stato comunque YMTC (che ne pensi Black?).

“G9 è anche il primo nodo a introdurre la metallizzazione WL al molibdeno per una maggiore resistenza WL”
Questa cosa è forse più interessante.
“È stata effettuata un'attenta selezione del passo dei livelli e del rapporto ossido-nitruro per una riduzione ottimale dei costi senza compromettere affidabilità e prestazioni”.
Quindi se ben afferro il concetto, sostituisce un materiale con un altro al fine di abbassare i costi di produzione.

Il discorso (del paper) su scalabilità, miglioramento della latenza airgap e lettura, devo ammettere che sono difficili da capire a fondo.

Si, sembra che le B68S siano a 2 decks.

Riguardo FUTURE SCALING PATH, come mi dicevi, vedo anch’io uso delle tecnologie YMTC di wafer-to-wafer bonding, ma quando dice: “The wafer bonding approach (DWB = Dual Wafer Bond – one array and one CMOS wafer) decouples the array thermal processing from CMOS and is logical next step to enable I/O speeds beyond 3.6GT/s” mi sembra molto il metodo di disaccoppiamento di Kioxia (CBA).

L’impressione generale che ho avuto, avevdo ora visto da vicino le BiCS 8 e le G9, è che Kioxia sia più avanti di Micron.

@Liupen è appena uscita la recensione di TweakTown sul Micron 2600 (https://www.tweaktown.com/reviews/11090/micron-2600-2tb-ssd-qlc-on-steroids/index.html), un E29T (prima volta che vediamo questo controller) con le N69R (G9), cioè 276L QLC. Trovo questo SSD più interessante da un punto di vista accademico che delle performance.

Prima di tutto, parlando dell'SSD, usa controller e NAND flash superrecenti. L'E29T sembra essere un'evoluzione dell'eccellente E27T competitor del MAP1602: penso che abbia 3 core ARM Cortex-R5 di cui due di essi CoXProcessor, ha 4 canali da 3.600 MT/s ciascuno con 16 CE totali ed è costruito su un nodo da 12 nm di TSMC. Fin qui tutto uguale all'E27T, l'unica differenza che mi sembra di vedere è un miglioramento dal punto di vista dell'affidabilità grazie all'ECC LDPC e RAID di settima generazione di Phison quando l'E27T usa un motore di quinta generazione.

Parlando delle NAND flash, invece, come già detto sono delle N69R. Nel sample di TT da 2TB si ha soltanto un chip NAND flash visto che ci sono all'interno 8 die da 2Tb ciascuno, e infatti 256GB (ottenuto facendo 2.048 / 8) * 8 = 2.048GB. Abbiamo di fronte, quindi, il primo chip NAND flash con die da 2Tb.
La velocità dell'I/O di queste NAND flash è di 3.600 MT/s.

Vedendo la foto di TT (https://www.tweaktown.com/image.php?image=https://static.tweaktown.com/content/1/1/11090_05_micron-2600-2tb-ssd-review-qlc-on-steroids_full.jpg) si ottiene il codice FBGA, ossia NY376. Mettendolo nel decoder di Micron (https://www.micron.com/sales-support/design-tools/fbga-parts-decoder?srsltid=AfmBOorQkCoVuPEFQYxEs_ihjeR0AnzqEd7P4Fcc5_6Nb8KZAlAZLjij) otteniamo che il S/N è MT29F16T08GQLBHL5-24QA:B. Da qui si possono scoprire tante belle informazioni tramite lo spreadsheet cinese:
- "16T" = 16.384Gb, 2TB di package;
- "Q" = 8 die, 4 nCE, 4 RnB e 4 I/O;
- "24" = 2.400 MT/s.

Strano che lo spreadsheet dica 2.400 MT/s se queste NAND flash sono listate per 3.600 MT/s, vero? In realtà ha senso come cosa: 7,2 / 0,85 = 8,47; 8,47 / 4 = 2.100 MT/s, ciò vuol dire che per raggiungere 7,2 GB/s con 4 canali ("0,85" è l'overhead) servono delle NAND flash da almeno 2.100 MT/s, non 3.600 MT/s.

Oltrepassato ciò, parliamo del perché dico che questo SSD è "più interessante da un punto di vista accademico che delle performance".

Micron sulla propria pagina (https://www.micron.com/products/storage/ssd/client-ssd/2600-ssd?srsltid=AfmBOopMdHfXgdX7dN-kSV8udQl1nVa2kkU648aNYvjzk-BuLcf1E0Eg) parla di una nuova tecnologia che riguarda il 2600: adaptive write technology (AWT). Dice che

Letta 'sta roba mi son detto "boh, cosa vuol dire? che AWT offre la possibilità di usare la pTLC cache e la pQLC cache?". Leggendo nelle note Micron scrive:

Letta quest'altra cosa mi son detto "vabbè, penso che sia semplicemente un modo per chiamare la cache pSLC, pTLC e pQLC". Non demordo però e mi vado a leggere la scheda tecnica (https://assets.micron.com/adobe/assets/urn:aaid:aem:c394eee1-4e22-4dac-bd16-d7cc528574e0/renditions/original/as/micron-awt-tech-brief.pdf). Qui le cose si fanno molto più interessanti e diverse da come pensavo.

Micron scrive:

AWT non è DWA (quindi cache SLC dinamica) ma non è neanche la solita cache SLC che abbiamo visto: AWT è cache SLC, cache TLC ed eventualmente cache QLC. Dico "eventualmente" perché teoricamente per un SSD QLC non esiste alcuna cache QLC, scrive sulle NAND flash QLC e basta, ma per un SSD PLC la cache QLC ha assolutamente senso. La Figura 2 (https://imgur.com/a/4FmA1da) mostra la combinazione di pSLC, pTLC e pQLC che formano AWT: pSLC è più larga che alta perché è più performante, pTLC è più alta e meno larga di pSLC perché ha 3 bit per cella e performance peggiori e stessa cosa pQLC (4 bit per cella) rispetto a pTLC, soltanto che combinando tutte queste tecniche insieme si ottiene il connubio perfetto per AWT, quindi la miglior configurazione in termini di rapporto capacità-durata, non a caso il triangolo è "perfetto".

Infine, per spiegare l'intero processo di AWT c'è la Figura 3 (https://imgur.com/a/ruPz7bX):
1. vengono scritti i dati nella cache SLC finché non viene riempita;
2. dopo aver riempito la cache SLC si scrivono i dati nella cache TLC finché anch'essa non viene riempita;
3. una volta riempite entrambe le cache l'SSD migra i dati dalle due cache alle NAND flash QLC. Questo è il processo di folding e viene eseguito quando l'SSD si trova in uno stato di idle, anche per poco tempo;
4. completamente del folding;
5. tutti i dati delle cache sono stati trasferiti nelle NAND flash QLC e ora ci sono entrambe le cache libere. Da qui si possono riscriverle e riempirle, ovviamente con capacità ridotta dal momento che si parla di cache dinamica.

Anche quest'immagine-riassunto (https://assets.micron.com/adobe/assets/urn:aaid:aem:7d69d6ce-bf63-40bc-9950-70db77858638/renditions/original/as/micron-awt-2600-infographic.jpg) è molto utile.

Apparentemente il Micron 2600 è l'unico attuale SSD con AWT. Mi chiedo se questa tecnologia verrà installata anche su futuri SSD TLC ma penso che prima bisogni vedere come si comporta, se è effettivamente vantaggiosa o meno.

Il mio parere personale è che sembra una tecnologia stupida, penso che sia molto meglio un'intera cache SLC piuttosto che metà pSLC e metà pTLC. Con metà pTLC hai letteralmente un degrado delle performance dalla pSLC e se puoi evitare questo degrado impostando la cache interamente in pSLC, che senso ha condividere metà di questa porzione in pTLC? Boh, chi lo sa, se sono arrivati ciò è perché magari è vantaggioso in termini di costi/performance. Penso che questa modalità avrebbe senso per i primi SSD da 16TB (raggiungibili grazie a questi die da 2Tb): se per qualche motivo non riesci a fare una gigantesca cache SLC per questi dispositivi allora allunghi il brodo con una cache pTLC, ma il Micron 2600 non ha capacità neanche da 8TB, figurati 16TB. Magari AWT esiste per questo e ora come ora la stanno soltanto introducendo dandoci un assaggio...

In ogni caso, dobbiamo attendere recensioni più complete come quelle di Tom's Hardware per sentire la loro su AWT e vedere come si comporta questa cache pSLC e pTLC. Se pTLC è un allungamento della pSLC è vincente come tecnica, se è un taglio è soltanto un peggioramento secondo me.

P.S.: mi chiedo anche perché pTLC e non pMLC. Se usciranno/troverò brevetti in futuro li leggerò e condividerò.

NY376? non ha scheda sul sito Micron... chissà. Ce da dire che le G9 TLC sono a 3600 MTPS, non so se effettivamente le corrispettive QLC arrivano a 2400.

AWT non ne avevo ancora sentito parlare. Dalla scheda del 2600 viene definita: "soluzione di caching dinamico multilivello".
Il fatto che ce ne fosse bisogno, indica che in generale gli ssd QLC sono inadatti alle grandi scritture e si deve correre ai ripari. Si..ok. Ma se l'ssd è pieno, qualsiasi cache è ininfluente.
Quindi sono d'accordo con te.
Mi sembra più l'ennesima forzatura di marketing per farci digerire i QLC che orma (nelle nuove 3xxL nand)) stanno soppiantando i TLC.

pitx

27-06-2025, 18:19

Tra Crucial BX500, Patriot P220, PNY CS900, Silicon Power A55 in versione 1TB, quale?

unnilennium

28-06-2025, 09:33

Io tra quelli consigliati vedo solo il silicon Power, crucial bx500 vade retro, e gli altri non li conosco proprio

Inviato dal mio 23127PN0CG utilizzando Tapatalk

DOC-BROWN

28-06-2025, 13:31

makka

28-06-2025, 14:22

DOC-BROWN

28-06-2025, 15:14

Con "reset del bios" penso si intenda entrare nel bios e caricare i valori di default.
Ogni bios è un po' diverso ma la possibilità c'è in tutti.

Potresti anche provare ad attivare il registro di avvio, trovi la voce
se apri msconfig e vai nel tab opzioni di avvio.
Magari si capisce dove perde tanto tempo in fase di boot.

fatto ma li NON mi da nulla e dice di aprire gestione attivita ' , da li
vedo i processi in avvio ma non vedo per attivare il registro di avvio .... :doh:

Nicodemo Timoteo Taddeo

28-06-2025, 15:51

fatto ma li NON mi da nulla e dice di aprire gestione attivita ' , da li
vedo i processi in avvio ma non vedo per attivare il registro di avvio .... :doh:

Te l'ha scritto chiaramente: tab (scheda) Opzioni di avvio in msconfig

Black (Wooden Law)

28-06-2025, 18:53

Per quanto riguarda “NAND flash innovation in the AI Era”, trovo veramente una graaaande forzatura voler inserire la parola “AI” con Nand Flash. Insomma il fatto che le nand siano più dense e un poco più veloci, nulla aggiunge alle necessità dello storage cluod necessario alle AI per funzionare o alle forme di memoria HBM che sono su un pianeta diverso.
Nell’AI, come detto nel paper, c’è una parte di addestramento (la banca dati, quella che può essere svolta anche offline) e la inferenza, ossia l’interfaccia, la comunicazione da e verso l’utente dell’assistente virtuale, o bot, agente (in termini un po più propri).
Nell’uno e nel secondo caso, è logico che si cerchi lo storage che a parità di capienza si più perfomente e a bassa latenza; quindi la soluzione non può che ricadere su ssd con protocollo nvme.
Se creare grandi ssd è una condizione in progressione (il paper dice che la densità cresce del 30% circa all’anno da quando si ha memoria delle Nand flash) allora è una forzatura dire che ci sono delle nand flash dedicate all’AI.
Questo è vero ma purtroppo al giorno d’oggi il termine “AI” è abusato in qualsiasi caso e quindi immagino che ci siano degli scenari in cui venga usato a caso. Penso che il settore degli SSD abbia a che fare con l’IA da anni, non dalle Micron G9 (per dire).
A parte questa cosa, sembra che il modo con cui hanno realizzato un Micron G9 die più denso non aggiungendo layer più di tanto è proprio la loro versione di On Pitch Select Gate … annamo bene! (detto proprio come faceva Sora Lella).
Qui si scopiazzano le soluzioni… ed ho una mezza idea che il primo sia stato comunque YMTC (che ne pensi Black?).
Alla fine tutti i produttori usano OPS, semplicemente Kioxia o l’ha usato per prima (le BiCS8 sono uscite prima delle B68S) o l’ha esposto come una novità assoluta. Un po’ come Micron con CMOS-under-Array (CuA): lei è stata la prima a portarlo con le 32L ma poi ogni produttore ne ha fatto una proprio versione scopiazzando completamente il concetto.

Non son sicuro che YMTC usi OPS. Purtroppo di paper in stile ISSCC/IEEE su NAND flash YMTC non ce ne sono, ci sono soltanto i datasheet a cui non ho l’accesso né per questioni economiche né per questioni di disponibilità, ma potrebbe essere che anche loro adottino OPS da un po’ di tempo sulle loro NAND flash.
“G9 è anche il primo nodo a introdurre la metallizzazione WL al molibdeno per una maggiore resistenza WL”
Questa cosa è forse più interessante.
Giusto, mi ero dimenticato. :asd:
Penso che siano gli unici ad utilizzare questa WL al molibdeno. Qui (https://scholar.google.com/scholar?hl=en&as_sdt=0%2C5&q=molybdenum+nand+flash&btnG=) leggo tanti studi interessanti sull’uso di questo materiale nelle NAND flash, devo leggermeli.
Il discorso (del paper) su scalabilità, miglioramento della latenza airgap e lettura, devo ammettere che sono difficili da capire a fondo.
Provo a spiegare:
Un miglioramento nella latenza in lettura è stato ottenuto dall’utilizzo di airgap tra le BL. In realtà questi airgap non sono per nulla una nuova tecnica, vengono utilizzati dalla produzione delle NAND flash, quindi anche quelle 2D. Anzi, specialmente in quelle 2D dove il passo delle BL veniva ridotto generazione in generazione e l’interferenza delle celle aumentava sempre di più.
Ho visto spesso questo “airgap” farsi chiamare “shallow trench isolation (SHI) (https://en.m.wikipedia.org/wiki/Shallow_trench_isolation)” ma dovrebbero esser la stessa cosa cioè due componenti che prevengono un’eccessiva interferenza tra transistor creando appunto una differenza, un gap.
Micron nel paper dice che la capacitanza delle BL è molto importante e che il rapporto tra BL-cap (capacità parassita delle BL) e Isense (corrente che scorre nelle BL durante una lettura) rappresenta il tempo che ci mette la BL ad assumere del potenziale. Quindi BL-cap / Isense = ritardo RC, ossia il ritardo resistenza-capacità, quanto tempo ci vuole per la BL a caricare o scaricare una tensione. A quanto pare si vuole avere sia BL-cap che Isense bassi e per ottenere ciò sono necessari degli airgap tra le BL (abbassano la capacità parassita) e aumentare il numero di WL/layer che diminuisce Isense.

Altro modo per migliorare la latenza di lettura è stata letteralmente di tagliare in due le WL e farle comandare ciascuna da un set di “driver di stringhe”. Per mitigare questo dimezzamento della WL hanno aumentato il numero di sottoblocchi per ogni blocco aumentando allo stesso tempo il numero di driver di stringhe. Per ridurre ulteriormente la latenza è stata l’introduzione di scale “bidirezionali”. Dall’immagine mi sembra che le scale vengano condivise tra le mezze WL, poi non so, sono molto vaghi nella spiegazione. Comunque le scale (https://images.app.goo.gl/6himX1EN53ES9u429) sono le connessioni tra i CG bassi e alti ma penso che questo tu lo sappia.

Con “scalabilità”, invece, cosa intendi? tutto il discorso su tecnologie future come “confined-SN”, “FeNAND”, ecc.?
L’impressione generale che ho avuto, avevdo ora visto da vicino le BiCS 8 e le G9, è che Kioxia sia più avanti di Micron.
Totalmente d’accordo Liupen. Mi son letto anche l’ISSCC sulle BiCS10 e sulle Samsung V10 e attualmente come progresso tecnologico penso che Kioxia e Samsung siano i più avanti anche se c’è da vedere che cos’ha fatto YMTC con le sue Xtacking 4.0 (267L).
AWT non ne avevo ancora sentito parlare. Dalla scheda del 2600 viene definita: "soluzione di caching dinamico multilivello".
Il fatto che ce ne fosse bisogno, indica che in generale gli ssd QLC sono inadatti alle grandi scritture e si deve correre ai ripari. Si..ok. Ma se l'ssd è pieno, qualsiasi cache è ininfluente.
Quindi sono d'accordo con te.
Mi sembra più l'ennesima forzatura di marketing per farci digerire i QLC che orma (nelle nuove 3xxL nand)) stanno soppiantando i TLC.
Ho trovato un bel brevetto (2023) su AWT: https://patentimages.storage.googleapis.com/95/5a/a7/f83b862982930c/US12086466.pdf.
L’ho letto tutto ma è di un’incredibile noia, mi sembra che dicano le stesse cose 1.000 volte. I punti salienti, infatti, sono:
- AWT può funzionare in qualsiasi modalità di NAND flash esistente: pSLC, pMLC, pTLC, pQLC e addirittura pPLC;
- la cache viene determinata in base alla frequenza di accesso ai blocchi (per esempio i blocchi a cui viene effettuato l’accesso meno raramente vengono programmati in pSLC mentre l’opposto per i blocchi pPLC) che può essere il tempo che ci passa tra due operazioni consecutive, la durata di tempo tra un’operazione di scrittura e una di lettura, ecc. Per determinare la frequenza di accesso di un blocco si tiene traccia delle letture effettuate in quel blocco. Si può anche tener conto del tasso di errore delle WL e una soglia di capacità usata dall’utente dell’SSD, per esempio con una capacità di dati memorizzati minore del 25% si scrive in pSLC, tra 25% e 50% pSLC e pMLC, tra 50% e 75% pSLC, pMLC e pTLC, ecc. Può essere un mix in realtà: se per esempio l’SSD è pieno al 30% (pSLC e pMLC) ma una WL ha un determinato tasso di errore anziché programma sia in pSLC che pMLC programma solo in pMLC. C’è però da dire che la frequenza d’accesso prevale sulla capacità dei dati: non importa se l’SSD sia occupato per più del 75% e dovrebbe scrivere nelle NAND flash QLC, se l’accesso ai blocchi è nel range di pSLC i blocchi verranno scritti in pSLC. In questo caso, quindi, la soglia della capacità occupata dei dati nell’SSD attiva soltanto una modalità in più, non obbliga a far scrivere tutti i dati in entrata lì dentro;
- AWT può rendere una cella pSLC in pMLC (per esempio) aggiungendole soltanto un bit anche non inerente all’altro bit mantenendo quest’ultimo intatto. Se ho quindi una cella in pSLC già programmata, le aggiungo un altro bit e diventa pMLC;
- scrivendo prima in pSLC hai una migliore affidabilità grazie ad un uso ridotto dell’ECC (ci sono meno errori avendo gli stati di tensione di soglia più ampi tra di loro) e soprattutto puoi prevenire meglio la perdita dei dati. Micron, infatti, ci dice che se perdi corrente durante un’operazione di scrittura in MLC (esempio) i dati non sono persi essendo già scritti in pSLC.

È un bel wall of text ma volevo essere il più chiaro possibile. Forse per la prima volta posso essere io a dire “se hai dubbi chiedi”. :sbonk:
Tra Crucial BX500, Patriot P220, PNY CS900, Silicon Power A55 in versione 1TB, quale?
IMHO il migliore è l’A55, semplicemente perché è l’unico TLC rimasto a queste capacità (anche se potrebbe capitare con NAND flash QLC).

Arrow0309

28-06-2025, 19:41

40TB scritti su un SSD del genere sono un niente, di 'sto passo fai prima ad andare tu in pensione che lui a morire. Le performance, oltretutto, sono come se l'SSD avesse il 0% di usura...

Allora sto a posto col mio (più) vecchio WD SN770 2tb:

https://i.ibb.co/7xr8TS5x/Screenshot-2025-06-28-193253.jpg (https://ibb.co/7xr8TS5x) https://i.ibb.co/FbnVwXyZ/Screenshot-2025-06-28-193411.jpg (https://ibb.co/FbnVwXyZ)
Pensavo di sostituirlo con calma anche con un 7100 per rimanere sul dramless ma gli concedo di lavorare ancora un po :D

Già, per ora sembra che il T705 sia l’unico PCIe 5.0 decente come rapporto qualtià-prezzo

Mi approfitto e posto un crystal pure del mio system drive (T705), il secondo che faccio (ed ha sui 3.6 Tb scritti):

https://i.ibb.co/LV2Kpcz/Screenshot-2025-06-28-192515.jpg (https://ibb.co/LV2Kpcz)

pitx

28-06-2025, 20:13

IMHO il migliore è l’A55, semplicemente perché è l’unico TLC rimasto a queste capacità (anche se potrebbe capitare con NAND flash QLC).

Comprandolo su Amazon, si può sempre fare il reso in caso di QLC, no? :eek:

Black (Wooden Law)

28-06-2025, 20:21

Allora sto a posto col mio (più) vecchio WD SN770 2tb:

https://i.ibb.co/7xr8TS5x/Screenshot-2025-06-28-193253.jpg (https://ibb.co/7xr8TS5x) https://i.ibb.co/FbnVwXyZ/Screenshot-2025-06-28-193411.jpg (https://ibb.co/FbnVwXyZ)
Pensavo di sostituirlo con calma anche con un 7100 per rimanere sul dramless ma gli concedo di lavorare ancora un po :D
Nonostante sia DRAM-less, l’SN770 non è un cattivo SSD. Son sicuro che possa fare molto di più di 19TB di scritture.

P.S.: l’SN7100 è un ottimo SSD ma penso che sia peggiori dei rivali cinesi, soprattutto dal punto di vista del prezzo.
Mi approfitto e posto un crystal pure del mio system drive (T705), il secondo che faccio (ed ha sui 3.6 Tb scritti):

https://i.ibb.co/LV2Kpcz/Screenshot-2025-06-28-192515.jpg (https://ibb.co/LV2Kpcz)
Bestia di SSD.
Comprandolo su Amazon, si può sempre fare il reso in caso di QLC, no? :eek:
Sì, così te ne rispediscono un altro QLC… :sbonk:

@Liupen

30-06-2025, 15:41

Provo a spiegare:
Un miglioramento nella latenza in lettura è stato ottenuto dall’utilizzo di airgap tra le BL. In realtà questi airgap non sono per nulla una nuova tecnica, vengono utilizzati dalla produzione delle NAND flash, quindi anche quelle 2D. Anzi, specialmente in quelle 2D dove il passo delle BL veniva ridotto generazione in generazione e l’interferenza delle celle aumentava sempre di più.
Ho visto spesso questo “airgap” farsi chiamare “shallow trench isolation (SHI) (https://en.m.wikipedia.org/wiki/Shallow_trench_isolation)” ma dovrebbero esser la stessa cosa cioè due componenti che prevengono un’eccessiva interferenza tra transistor creando appunto una differenza, un gap.
Micron nel paper dice che la capacitanza delle BL è molto importante e che il rapporto tra BL-cap (capacità parassita delle BL) e Isense (corrente che scorre nelle BL durante una lettura) rappresenta il tempo che ci mette la BL ad assumere del potenziale. Quindi BL-cap / Isense = ritardo RC, ossia il ritardo resistenza-capacità, quanto tempo ci vuole per la BL a caricare o scaricare una tensione. A quanto pare si vuole avere sia BL-cap che Isense bassi e per ottenere ciò sono necessari degli airgap tra le BL (abbassano la capacità parassita) e aumentare il numero di WL/layer che diminuisce Isense.

Altro modo per migliorare la latenza di lettura è stata letteralmente di tagliare in due le WL e farle comandare ciascuna da un set di “driver di stringhe”. Per mitigare questo dimezzamento della WL hanno aumentato il numero di sottoblocchi per ogni blocco aumentando allo stesso tempo il numero di driver di stringhe. Per ridurre ulteriormente la latenza è stata l’introduzione di scale “bidirezionali”. Dall’immagine mi sembra che le scale vengano condivise tra le mezze WL, poi non so, sono molto vaghi nella spiegazione. Comunque le scale (https://images.app.goo.gl/6himX1EN53ES9u429) sono le connessioni tra i CG bassi e alti ma penso che questo tu lo sappia.

Con “scalabilità”, invece, cosa intendi? tutto il discorso su tecnologie future come “confined-SN”, “FeNAND”, ecc.?

Scalabilità è il titolo del primo "punto" che toccano dopo aver parlato (e non spiegato) l'utilizzo del molibdeno come sostanza di "sostituzione" (il bisticcio di parole è voluto).

Si parla di Area scaling to enable plane parallelism.

Scalibilità = riduzione dell'area a parità di capacità

Da cosa capisco, la G9 dice, è a 6 deck come la precedente gen, che l'architettura del buffer di pagina (PB) ha dovuto essere adattata a un passo di 6 bitline.
Il concetto di BL ok, ma quì introducono un PB.

Dice: è stata ottenuta una riduzione del 50% dell'area del buffer di pagina rispetto a G8.
e continua dicendo:
Ciò è stato possibile introducendo un processo di raddoppio del passo del metallo per il livello di interconnessione, nonché un'attenta ottimizzazione del dispositivo CMOS per mantenere le specifiche di corrente di standby nonostante la significativa riduzione del transistor del buffer di pagina sia in lunghezza che in larghezza.

Nella figura poi dice di 16 BL il che mi spiazza... 16 non è divisibile per 6 quindi non ho idea del perchè e cosa siano questi numeri.

Sull'airgap meno male tu hai capito, io tra testo e immagini proprio pensavo fosse altro, tipo un diverso modo di inserire le bitline.

In Read latency improvement : Word-Line RC and loading,

WL-RC: si riferisce all'effetto combinato della resistenza e della capacità della linea di parola, che può influire significativamente sulla velocità e sull'affidabilità delle operazioni di memoria.

Il testo dice:
Per un incremento più rapido del potenziale della WL durante l'operazione di lettura, la riduzione della WL-RC di metà della WL è stata comunemente applicata nei prodotti più recenti, ma nella maggior parte dei casi è accompagnata dalla duplicazione di un set di driver di stringa per pilotare ogni metà della WL in un piano.

Quindi è condizione normale che nelle 3D nand le WL siano divise in due in modo da massimizzare velocità e affidabilità di lettura... e fin quì, ok.
Pare anche ovvio che le linee nel CMOS (chiamiamolo genericamente) duplichino anche loro.. anche quì, ok.

Poi dice:
Come mitigazione, è stata applicata una maggiore condivisione dei driver aumentando il numero di sottoblocchi per blocco per ridurre il numero totale di driver per piano, ma con un aumento del carico dell'array e della corrente di funzionamento.

Mitigazione...de che? Mettiamo che si riferisca alla parte CMOS più oberata di prima.
Comunque per mitigare è stata applicata una maggiore condivisione, aumentando sottoblocchi dei blocchi... ma che razza di spiegazione è?!
Il funzionamento è imperscrutabile (ma si parla delle parte CMOS o gestionale della Nand) e con l'effetto di aumentare del carico dell'array e della corrente di funzionamento (che sinceramente non mi sembra una miglioria o un traguardo desiderabile) boh!

Continuando con l'ultimo pezzo:
La scala bidirezionale (SC) ha risolto il compromesso tra latenza di lettura, energia di lettura per bit ed efficienza dell'array, mostrato in Figura 8.

Ok, quindi la soluzione per ovviare a quanto detto (aumentare del carico dell'array e della corrente di funzionamento) è quello di usare per le nand una struttura SC... che non è mai stata usata da nessun altro!!

MMMh...no... la usano tutti i costruttori di nand 3D da 3 generazioni di 3D nand https://semiwiki.com/events/8116-techinsights-gives-memory-update-at-iedm18-nand-flash/

Ma allora direi che Read latency improvement : Word-Line RC and loading è tutta una panzana o per lo meno non rappresenta una novità delle G9

Ho trovato un bel brevetto (2023) su AWT: https://patentimages.storage.googleapis.com/95/5a/a7/f83b862982930c/US12086466.pdf.
L’ho letto tutto ma è di un’incredibile noia, mi sembra che dicano le stesse cose 1.000 volte. I punti salienti, infatti, sono:
- AWT può funzionare in qualsiasi modalità di NAND flash esistente: pSLC, pMLC, pTLC, pQLC e addirittura pPLC;
- la cache viene determinata in base alla frequenza di accesso ai blocchi (per esempio i blocchi a cui viene effettuato l’accesso meno raramente vengono programmati in pSLC mentre l’opposto per i blocchi pPLC) che può essere il tempo che ci passa tra due operazioni consecutive, la durata di tempo tra un’operazione di scrittura e una di lettura, ecc. Per determinare la frequenza di accesso di un blocco si tiene traccia delle letture effettuate in quel blocco. Si può anche tener conto del tasso di errore delle WL e una soglia di capacità usata dall’utente dell’SSD, per esempio con una capacità di dati memorizzati minore del 25% si scrive in pSLC, tra 25% e 50% pSLC e pMLC, tra 50% e 75% pSLC, pMLC e pTLC, ecc. Può essere un mix in realtà: se per esempio l’SSD è pieno al 30% (pSLC e pMLC) ma una WL ha un determinato tasso di errore anziché programma sia in pSLC che pMLC programma solo in pMLC. C’è però da dire che la frequenza d’accesso prevale sulla capacità dei dati: non importa se l’SSD sia occupato per più del 75% e dovrebbe scrivere nelle NAND flash QLC, se l’accesso ai blocchi è nel range di pSLC i blocchi verranno scritti in pSLC. In questo caso, quindi, la soglia della capacità occupata dei dati nell’SSD attiva soltanto una modalità in più, non obbliga a far scrivere tutti i dati in entrata lì dentro;
- AWT può rendere una cella pSLC in pMLC (per esempio) aggiungendole soltanto un bit anche non inerente all’altro bit mantenendo quest’ultimo intatto. Se ho quindi una cella in pSLC già programmata, le aggiungo un altro bit e diventa pMLC;
- scrivendo prima in pSLC hai una migliore affidabilità grazie ad un uso ridotto dell’ECC (ci sono meno errori avendo gli stati di tensione di soglia più ampi tra di loro) e soprattutto puoi prevenire meglio la perdita dei dati. Micron, infatti, ci dice che se perdi corrente durante un’operazione di scrittura in MLC (esempio) i dati non sono persi essendo già scritti in pSLC.

È un bel wall of text ma volevo essere il più chiaro possibile. Forse per la prima volta posso essere io a dire “se hai dubbi chiedi”. :sbonk:

Ma ti sembra che possa portare dei vantaggi reali perchè io ricordo bene quando qualche anno fà anche Intel rapid storage doveva monitorare i dati e tenere traccia di tutto per poi dare un boost alle scritture quando servivano e che invece... zero, peggio c'era solo il rapid storage di Samsung. :sbonk:

Black (Wooden Law)

30-06-2025, 18:26

Ciò è stato possibile introducendo un processo di raddoppio del passo del metallo per il livello di interconnessione, nonché un'attenta ottimizzazione del dispositivo CMOS per mantenere le specifiche di corrente di standby nonostante la significativa riduzione del transistor del buffer di pagina sia in lunghezza che in larghezza.
'Sta parte non l'ho capita neanch'io (mi sembrano parole a caso...) ma l'unica cosa che ho capito è che hanno ridotto la dimensione dei page buffer (nella figura si vede che quelli sotto sono più piccoli) e il passo con le BL, cioè mi sembra che abbiano ridotto il numero di PB per BL. Prima c'erano 16 PB per 16 BL mentre ora 6 PB per 6 BL... Nel parallelo sembra che non ci sia differenza ma boh, io così l'ho intesa. Dubito che abbia capito correttamente ma che ci possiamo fare, Micron non vuole dare spiegazioni più decenti... :D
Mitigazione...de che? Mettiamo che si riferisca alla parte CMOS più oberata di prima.
Micron dice di aver diviso in due le WL e che ciò consegue ad una duplicazione dei driver delle stringhe (che non so cosa siano). Guarda (a) (https://imgur.com/a/3WIhW1W) di Figura 8: quella è teoricamente una classica NAND flash 3D (anche se ora dice che nei modelli recenti le WL sono divise a metà...). Le WL sono intere e quella "cosa" a destra verde chiaro è appunto il driver delle stringhe. (b) (https://imgur.com/a/3iDvsXr) è una classica NAND flash 3D ma con le WL tagliate. Se noti, in mezzo alla figura ci sono i due driver delle stringhe. Visto che hanno tagliato le WL in due hanno dovuto mettere due driver per ogni blocco di WL tagliato: i driver si sono effettivamente duplicati.
Questo, quindi, penso che sia un problema da mitigare e l'hanno risolto "collegando" i due blocchi di WL tagliati tramite delle scale bidirezionali (https://imgur.com/a/HWx4NbP) e usando soltanto un driver di stringhe per entrambi i blocchi.
Comunque per mitigare è stata applicata una maggiore condivisione, aumentando sottoblocchi dei blocchi... ma che razza di spiegazione è?!
Il funzionamento è imperscrutabile (ma si parla delle parte CMOS o gestionale della Nand) e con l'effetto di aumentare del carico dell'array e della corrente di funzionamento (che sinceramente non mi sembra una miglioria o un traguardo desiderabile) boh!
Questo è vero, la spiegazione è decisamente penosa. L'unica cosa che mi viene da pensare è che boh, per migliorare questi driver di stringhe abbiano aumentato il numero di sottoblocchi... magari così facendo c'è una maggiore condivisione e un uso inferiore di driver, non so.
Continuando con l'ultimo pezzo:
La scala bidirezionale (SC) ha risolto il compromesso tra latenza di lettura, energia di lettura per bit ed efficienza dell'array, mostrato in Figura 8.

Ok, quindi la soluzione per ovviare a quanto detto (aumentare del carico dell'array e della corrente di funzionamento) è quello di usare per le nand una struttura SC... che non è mai stata usata da nessun altro!!

MMMh...no... la usano tutti i costruttori di nand 3D da 3 generazioni di 3D nand https://semiwiki.com/events/8116-techinsights-gives-memory-update-at-iedm18-nand-flash/
La differenza con la solita architettura a scala è che questa delle G9 è bidirezionale e mi sembra che ha senso visto che spezzi in due le WL. Qui (https://i0.wp.com/semiengineering.com/wp-content/uploads/2018/10/Coventor-October-2018-Blog-Figure-2.png?ssl=1) le WL non sono divise in due e non esistono scale bidirezionali.
Ma ti sembra che possa portare dei vantaggi reali perchè io ricordo bene quando qualche anno fà anche Intel rapid storage doveva monitorare i dati e tenere traccia di tutto per poi dare un boost alle scritture quando servivano e che invece... zero, peggio c'era solo il rapid storage di Samsung. :sbonk:
No Liupen, io la vedo una tecnologia sbagliata e basta. Siamo abituati alla nostra fantastica (ed enorme) cache SLC e ora dev'esser tagliata per farsi occupare da un'altra cache meno performante e duratura... perché alla fine AWT non allunga nulla, taglia e basta.
Dalla recensione del 2600 di The SSD Review (https://www.thessdreview.com/our-reviews/nvme/micron-2600-gen4-dramless-ssd-review/):
Il bucket SLC ha la capacità più piccola, seguito da un bucket TLC più grande e infine dal bucket QLC più grande.
La teoria, però, è solitamente diversa dalla realtà quindi, come detto l'altra volta, aspettiamo qualche recensione prima di poter dire che sia controproducente o no come tecnica, ma non mi aspetto belle cose sicuramente.

EDIT: anche la WL di molibdeno al posto di tungsteno non è nulla di nuovo: https://www.kioxia.com/en-jp/rd/technology/topics/topics-71.html.

giovanni69

30-06-2025, 18:45

Black (Wooden Law)

30-06-2025, 19:40

@Black: mi permetto di suggerirti di aggiornare più spesso la prima pagina con i contributi che posti, indicizzando appunto i tuoi messaggi, quelli di Liupen ed altri, con appositi sublinks che portino ai singoli post.

Tra una decina di pagine questi post di recente interesse (ed altrettanti dei mesi scorsi) saranno sepolti e difficilmente rintracciabili a distanza di mesi a o anni. E sarebbe un vero peccato.

Grazie. :)
Io e Liupen parliamo quasi sempre in modo molto tecnico, ho paura che mettendo tanti dei nostri commenti in prima pagina diventino inutili perché di difficile comprensione. Aggiungere il commento su AWT ha sicuramente senso visto che è un concetto di facile comprensione e inerente alla cache SLC, ma aggiungere i commenti sull'architetture delle NAND flash secondo me non hanno senso o sarebbe visti e capiti da pochi.

Black (Wooden Law)

02-07-2025, 10:28

@frafelix eccoci: https://www.techpowerup.com/review/crucial-t710-2-tb/.
Come volevasi dimostrare, SM2508 con B68S, versione del 4600 non OEM.

La cache SLC nel taglio da 2TB è di 368GB secondo TPU, le performance in direct-to-TLC sono da poco meno di 4.000 MB/s e fa del folding (circa 2.000 MB/s). Praticamente lo stesso comportamento dell'SN8100 solo che quest'ultimo c'ha una cache SLC molto più grande, 200+GB. Come temperature, il TT sembra partire dagli 85 °C in su e sotto stress, senza dissipatore, l'SSD fa poco meno di 100 °C.

megthebest

02-07-2025, 10:32

. Come temperature, il TT sembra partire dagli 85 °C in su e sotto stress, senza dissipatore, l'SSD fa poco meno di 100 °C.

:eek: :doh:

Nicodemo Timoteo Taddeo

02-07-2025, 11:58

:eek: :doh:

Sì dispositivi da notebook e miniPC :sofico:

@Liupen

02-07-2025, 14:58

'Sta parte non l'ho capita neanch'io (mi sembrano parole a caso...) ma l'unica cosa che ho capito è che hanno ridotto la dimensione dei page buffer (nella figura si vede che quelli sotto sono più piccoli) e il passo con le BL, cioè mi sembra che abbiano ridotto il numero di PB per BL. Prima c'erano 16 PB per 16 BL mentre ora 6 PB per 6 BL... Nel parallelo sembra che non ci sia differenza ma boh, io così l'ho intesa. Dubito che abbia capito correttamente ma che ci possiamo fare, Micron non vuole dare spiegazioni più decenti... :D

Hahaha! Si, sembrano parole a caso!

La frase tradotta è questa:
A. Scalabilità dell'area per consentire il parallelismo dei piani: buffer di pagina 6BL
Per supportare un'elevata larghezza di banda del sistema, la tecnologia G9 è stata progettata mantenendo l'architettura a 6 piani del G8 da 1 TB. A causa della significativa riduzione del 30% delle dimensioni del die da G8 da 1 TB a G9, l'architettura del buffer di pagina ha dovuto essere adattata a un passo di 6 bitline. È stata ottenuta una riduzione del 50% dell'area del buffer di pagina rispetto a G8. Ciò è stato possibile introducendo un processo di raddoppio del passo del metallo per il livello di interconnessione, nonché un'attenta ottimizzazione del dispositivo CMOS per mantenere le specifiche di corrente di standby nonostante la significativa riduzione della lunghezza e della larghezza del transistor del buffer di pagina.

Sono d'accordo con te. Destrutturando il senso di quanto detto da loro nel testo:

1 - È stata ottenuta una riduzione del 50% dell'area del buffer di pagina rispetto a G8 (quindi riduzione del PB)
2 - A causa della significativa riduzione del 30% delle dimensioni del die da G8 da 1 TB a G9, l'architettura del buffer di pagina ha dovuto essere adattata a un passo di 6 bitline. (Prima c'erano 16 PB per 16 BL mentre ora 6 PB per 6 BL)

Quindi dice, G9 è più piccola di G8, il buffer di pagina diventa anche lui ovviamente più piccolo (sarebbe il collegamento tra cella e CMOS che raccoglie i dati per Pagina (poi ci sarà qualcosa che farà da buffer del blocco fisico)... comunque: ridotta la cella-->ridotto il circuito.

Ora, tornando al testo:

3 - per mantenere le specifiche di corrente di standby nonostante la significativa riduzione della lunghezza e della larghezza del transistor del buffer di pagina (quindi questo causa la riduzione delle celle), è stato introdotto un processo di raddoppio del passo del metallo per il livello di interconnessione, nonché un'attenta ottimizzazione del dispositivo CMOS

praticamente "supercazzola".
Non dice che dove ora stanno 2 x 6BL (e relativi buffer) prima c'era 1x 16 BL... e anche se fosse non sarebbe un raddoppio
Dov'è sto raddoppio e che c'entra la figura 5?!!

Micron dice di aver diviso in due le WL e che ciò consegue ad una duplicazione dei driver delle stringhe (che non so cosa siano). Guarda (a) (https://imgur.com/a/3WIhW1W) di Figura 8: quella è teoricamente una classica NAND flash 3D (anche se ora dice che nei modelli recenti le WL sono divise a metà...). Le WL sono intere e quella "cosa" a destra verde chiaro è appunto il driver delle stringhe. (b) (https://imgur.com/a/3iDvsXr) è una classica NAND flash 3D ma con le WL tagliate. Se noti, in mezzo alla figura ci sono i due driver delle stringhe. Visto che hanno tagliato le WL in due hanno dovuto mettere due driver per ogni blocco di WL tagliato: i driver si sono effettivamente duplicati.
Questo, quindi, penso che sia un problema da mitigare e l'hanno risolto "collegando" i due blocchi di WL tagliati tramite delle scale bidirezionali (https://imgur.com/a/HWx4NbP) e usando soltanto un driver di stringhe per entrambi i blocchi.

Il driver di stringa è il circuito elettrico che da tensione alla WL. Dice che dividendo in due le WL si duplica anche il circuito che le controlla.

Con ciò rimane che non ne il fatto che si dividano le WL ne l'utilizzo della struttura a scala bidirezionale, siano novità tirate fuori da micron nelle G9; diciamo che la verità è quella che, addensando le celle, e per migliorare le prestazioni, hanno utilizzato le stesse soluzioni che adottano già altri ...per non dire tutti.

La differenza con la solita architettura a scala è che questa delle G9 è bidirezionale e mi sembra che ha senso visto che spezzi in due le WL. Qui (https://i0.wp.com/semiengineering.com/wp-content/uploads/2018/10/Coventor-October-2018-Blog-Figure-2.png?ssl=1) le WL non sono divise in due e non esistono scale bidirezionali.

Bidirezionale si riferisce alla "scala" ovvero alla struttura che alterna WL BL e Control gate. Ti linko un immagine delle BICS 8 che abbiamo visto già

https://i.ibb.co/QvrzFS7M/saFGTWR.png (https://imgbb.com/)

nota come la scala è doppia (degrada in un senso e nell'altro per permettere il collegamento agevole delle WL alla parte CMOS).

Comincio a pensare che forse quando nel testo si dice:
La scala bidirezionale (SC) ha risolto il compromesso tra latenza di lettura, energia di lettura per bit ed efficienza dell'array
Micron abbia solo introdotto nelle G9 la SC; cosa che forse prima non faceva a dispetto di tutti gli altri produttori.

EDIT: anche la WL di molibdeno al posto di tungsteno non è nulla di nuovo: https://www.kioxia.com/en-jp/rd/technology/topics/topics-71.html.

Non vorrei dirlo ma... Micron nelle G9 non ci ha proprio messo niente di suo.
:fiufiu:

@Black: mi permetto di suggerirti di aggiornare più spesso la prima pagina con i contributi che posti, indicizzando appunto i tuoi messaggi, quelli di Liupen ed altri, con appositi sublinks che portino ai singoli post.

Tra una decina di pagine questi post di recente interesse (ed altrettanti dei mesi scorsi) saranno sepolti e difficilmente rintracciabili a distanza di mesi a o anni. E sarebbe un vero peccato.

Grazie. :)

Rimane un argomento settoriale quello della struttura delle 3D Nand.
Molti lo troverebbero anche noioso.

Io proporrei questi.

https://www.youtube.com/watch?v=ANHzVOiUwGI

In cui si parta dall'attuale aspetto delle nand 3d (escluse le ultimissime che hanno il CMOS interamente sopra).
Il video evolve come se si dovessero fabbricare delle nand 3d, per arrivare nell'ultimo assemblaggio a costruire le relative bitline e control gate.

I questo

https://youtu.be/4BZpT_uI7N4?t=21

si può dire che l'evoluzione continua... dalla 96L alla 2xx layer si possono seguire le principali novità:

- nuovo sistema per realizzare i fori con la crio incisione a livello ionico
- l'utilizzo dell'impilamento degli stack per realizzare le 2xxL
- il problema della flessione strutturale da risolvere
- il bounding con il CMOS (cioè la parte che controlla elettricamente le celle e che può essere realizzata a se stante e poi solo successivamente "incollata").
- persino il tungsteno sostituito dal molibdeno
- ed il futuro bounding array, cioè l'incollaggio di stack su stack (oltre che al CMOS)

Infine

https://www.youtube.com/watch?v=cdHPHsJAa8Y
https://www.youtube.com/watch?v=2nyNCblXIl8

infarinatura di come viene usata la memorizzazione dei dati nell'ssd

Black (Wooden Law)

02-07-2025, 15:38

Non vorrei dirlo ma... Micron nelle G9 non ci ha proprio messo niente di suo. :fiufiu:
Decisamente Liupen, ne son convinto anch'io. Hanno buttato tanti concetti insieme usando termini un po' a casaccio e boh, hanno parlato di novità che tanto "novità" non sono. Comunque sono delle buone NAND flash, per l'amor del cielo, ma il fatto che le BiCS8 siano più diffuse nei Gen5 mi fa pensare che anche i produttori si siano resi conto che Kioxia sia più avanti degli altri produttori NAND flash; se vedi, gli SSD con E31T (https://www.techpowerup.com/ssd-specs/?f=ctl_Phison+E31T) son tutti quanti con BiCS8, non B68S.
Rimane un argomento settoriale quello della struttura delle 3D Nand.
Molti lo troverebbero anche noioso.

Io proporrei questi.

https://www.youtube.com/watch?v=ANHzVOiUwGI

In cui si parta dall'attuale aspetto delle nand 3d (escluse le ultimissime che hanno il CMOS interamente sopra).
Il video evolve come se si dovessero fabbricare delle nand 3d, per arrivare nell'ultimo assemblaggio a costruire le relative bitline e control gate.

I questo

https://youtu.be/4BZpT_uI7N4?t=21

si può dire che l'evoluzione continua... dalla 96L alla 2xx layer si possono seguire le principali novità:

- nuovo sistema per realizzare i fori con la crio incisione a livello ionico
- l'utilizzo dell'impilamento degli stack per realizzare le 2xxL
- il problema della flessione strutturale da risolvere
- il bounding con il CMOS (cioè la parte che controlla elettricamente le celle e che può essere realizzata a se stante e poi solo successivamente "incollata").
- persino il tungsteno sostituito dal molibdeno
- ed il futuro bounding array, cioè l'incollaggio di stack su stack (oltre che al CMOS)

Infine

https://www.youtube.com/watch?v=cdHPHsJAa8Y
https://www.youtube.com/watch?v=2nyNCblXIl8

infarinatura di come viene usata la memorizzazione dei dati nell'ssd
Grazie delle fonti Liupen.

Sotto a "link utili" stavo pensando di aggiungere tutte le fonti che uso per studiare e ripassare come corsi universitari su YouTube, libri, ecc.

Black (Wooden Law)

02-07-2025, 21:50

3 - per mantenere le specifiche di corrente di standby nonostante la significativa riduzione della lunghezza e della larghezza del transistor del buffer di pagina (quindi questo causa la riduzione delle celle), è stato introdotto un processo di raddoppio del passo del metallo per il livello di interconnessione, nonché un'attenta ottimizzazione del dispositivo CMOS
L'unica cosa che c'entra con le NAND flash di "metallo per il livello di interconnessione" sono i contatti che si usano per collegare le bitline alle celle NAND flash. Guarda questa (https://i0.wp.com/semiengineering.com/wp-content/uploads/2018/10/Coventor-October-2018-Blog-Figure-1.png?fit=875%2C371&ssl=1) foto e guarda "Contact: Tungsten metal fill".

Dal momento che questi contatti fungono da interconnessioni nell'array NAND flash (e penso che si stendino pure allo strato CMOS), non è che stanno dicendo "a seguito di una riduzione dimensionale e quantitativa dei PB, abbiamo dovuto raddoppiare le interconnessioni di metallo ottimizzando la parte CMOS"? ha senso secondo te? Perché se accorci il numero di PB automaticamente aumenti la distanza tra le interconnessioni in metallo e i PB stessi, quindi per coprire questa distanza maggiorata aumenti il passo delle interconnessioni.

frafelix

02-07-2025, 22:55

Black (Wooden Law)

03-07-2025, 19:21

Questo lo trovo interessante riguardo alla discussione che abbiamo avuto io, @Liupen, Sbaffo e Frafelix sull'SSD nel PC Mac di Frafelix: Solid-State Drive Over-Provisioning Technology and its Impact on the Ability to Erase Individual Files (https://ieeexplore.ieee.org/document/11054121).
il mashing dei dati su un solid-state drive usando il comando TRIM non è sempre efficace. Per esempio, [7] ha dimostrato che software di recupero dei dati eliminati su alcuni drive SSD, anche con i comandi TRIM o Deallocati abilitati, può essere efficace, specialmente per piccoli file. Inoltre, è stato dimostrato in [4] che anche con un comando TRIM riuscito i dati eliminati possono rimane sul drive per molto tempo fino a quando il garbage collector non li raggiunge.

Qui sembra parlare indirettamente di un secure erase con dati randomici, cioè tutti 1:
Il secondo approccio è basato sulla cancellazione di informazioni al livello dei dati di blocco dei drive SSD (cambiando ogni bit di questo blocco usato per memorizzare i dati non eliminati da zero a uno), il cui utilizzo, tuttavia, porta ad un aumento del consumo energetico, delle performance ridotte e ad una riduzione del servizio di vita dell'SSD dal momento che ogni blocco può sopportare una limitata quantità di cicli di scrittura/cancellazione. I risultati di degli esperimenti condotti dagli autori [5] hanno mostrato una sufficiente efficacia del secondo approccio e una leggere diminuzione delle performance del drive SSD. Tuttavia, è emerso che il suo utilizzo pratico richiede una modifica significativa del firmware dell'unità SSD, il che rende difficile il suo utilizzo.

Qui (https://imgur.com/a/xSrLTFI) le due parti non tradotte. [4] è Reliably Erasing Data From Flash-Based Solid State Drives (https://www.usenix.org/legacy/event/fast11/tech/full_papers/Wei.pdf), [5] è ErasuCrypto: A Lightweight Secure Data Deletion Scheme for Solid State Drives (https://petsymposium.org/popets/2017/popets-2017-0009.pdf), [7] è Deleted Data Recovery on Solid-State Drives by Software Based Methods (https://ieeexplore.ieee.org/document/9923355).

Le conclusioni dello studio sono che divide in tre gruppi i metodi per la cancellazione dei file negli SSD:
1. metodi che richiedono la modifica del firmware e che non sono utilizzabili nella pratica perché SSD di diversi produttori con diversi chip NAND flash e diversi "algoritmi di funzionamento del controller interno" sono installati su computer protetti;
2. metodi tramite dei software che spesso non spesso non sono sufficientemente affidabili anche per la parte del recupero;
3. tecnologie di cancellazione dei dati tramite crittografia che cancellano l'intero SSD e non i singoli file e richiedono modifiche al firmware.

In quanto all'OP, dice che rende inefficace il "mashing" dei dati nello spazio libero dell'SSD, che parte dello spazio degli indirizzi non è accessibile ai software e che non è possibile cancellare i dati senza interferire con il firmware dell'SSD o usando i software dei produttori di SSD. In questo caso le cancellazioni tramite crittografia sono utili.
-------------------------------------------------------
Anche lo studio [7], Deleted Data Recovery on Solid-State Drives by Software Based Methods è rilevante alla discussione.

Hanno testato (su Windows 10 Enterprise 21H1) 2 870 EVO, 8 860 EVO e 8 BX500 e altri SSD di cui ci interessa relativamente con 3 testi di file da rispettivamente 250B, 250kB e 25MB. I risultati sono che i file da 250B non sono stati eliminati dal garbage collection perché Master File Table (MFT) di NTFS contiene i file da meno di 700B e l'eliminazione di file piccoli non porta a far azionare il TRIM perché le modifiche vengono effettuate nella MFT. Per quanto concerne i file da 250kB e 25MB, tutti i garbage collection degli SSD ci hanno messo dai 5 ai 15 secondi per fare il loro (tranne per l'Intel 760p da 256GB dove ci ha messo dai 6,2 secondi ai 4,22 minuti).
Le tempistiche dell'evento di garbage collection che cancella i dati irrilevanti del file cancellato sono mostrate nella Fig. 1. Il file 1 ha una dimensione di 250.000 byte [250kB] e il file 2 di 25.000.000 byte [25MB]. [...]
Come si può vedere dalla Fig.1, la dimensione del file non ha molta influenza sulla garbage collection finché il file non è molto grande. Tutti e cinque i drive hanno registrato eventi di garbage collection normalmente in un periodo di tempo compreso tra 5 e 15 secondi.

Qui (https://imgur.com/a/2vsJ6IB) il testo non tradotto con Figura 1 (P.S.: nella Figura 1 non c'è il BX500 perché era il sample a cui non funzionava il garbage collection).

Un BX500 ha fallito nel far funzionare il garbage collection per, a detta degli autori, di alcuni glitch hardware o software. Alcuni BX500 e 870 EVO, invece, mantenevano dei piccoli frammenti nonostante il garbage collection ma non si poteva comunque recuperare gli interi file. Altri risultati interessanti sono stati che per alcuni esemplari sia di BX500 che di 870 EVO non c'è stato alcun evento di TRIM e di garbage collection e questi file fossero facilmente recuperabili.

Conclusione? TRIM e garbage collection sono direi lontani dall'essere perfetti e possono anche funzionare male/non funzionare per file così piccoli. Sarei curioso di vedere gli stessi esperimenti ma con file di dimensioni più grandi come nell'ordine di decine e centinaia di GB.

frafelix

04-07-2025, 09:24

Interessante! In effetti per il trim ti affidi a due parti, il sistema operativo che manda il comando e l'ssd che lo esegue, quindi puoi avere due eventi che non funzionano o funzionano in modo anomalo.
Per il gc entra in gioco solo l'ssd, ma non essendoci uno standard e non avendo controllo su di esso, ti devi fidare che funzioni nel modo corretto.

Riguardo al recupero di file di decine o centinaia di gb, mi verrebbe da dire a logica, che più il file è grande più difficile sarà recuperarlo dato che, anche ipotizzando un malfunzionamento sia di trim che di gc, basta che il gc cancelli qualche byte del file (che per lui non è un indirizzo di memoria unico per tutto il file) ed ecco che non sarà recuperabile, oppure lo sarà con qualche errore

@Liupen

04-07-2025, 10:46

L'unica cosa che c'entra con le NAND flash di "metallo per il livello di interconnessione" sono i contatti che si usano per collegare le bitline alle celle NAND flash. Guarda questa (https://i0.wp.com/semiengineering.com/wp-content/uploads/2018/10/Coventor-October-2018-Blog-Figure-1.png?fit=875%2C371&ssl=1) foto e guarda "Contact: Tungsten metal fill".

Dal momento che questi contatti fungono da interconnessioni nell'array NAND flash (e penso che si stendino pure allo strato CMOS), non è che stanno dicendo "a seguito di una riduzione dimensionale e quantitativa dei PB, abbiamo dovuto raddoppiare le interconnessioni di metallo ottimizzando la parte CMOS"? ha senso secondo te?

Si. Approfondendo è proprio come hai detto.

è stato introdotto un processo di raddoppio del passo del metallo per il livello di interconnessione, nonché un'attenta ottimizzazione del dispositivo CMOS

Diciamo che è la figura 8 che andrebbe interpretata...

https://i.ibb.co/XfLjB24p/NAND-flash-innovation-in-the-AI-Era.jpg (https://imgbb.com/)

Andava oltre le mie conoscenze sui tipi di staircase delle word‑line, questo spiega il mio "non capire". :mc:

In questi giorni, anche se non ho potuto scrivere, ho approfondito anch'io l'argomento (testardaggine nel capire) :D

--------------------

Partiamo dalla famosa scala doppia della struttura del die array (è un ragionare con te il mio) e mi stò facendo dare pure delle definizioni da Chatgpt per avere le idee un po più chiare.

https://i.ibb.co/QvrzFS7M/saFGTWR.png

i "gradini" servono a esporre layer per layer le wordline.
quindi da questi punti di connessione partono i driver, ovvero i filamenti che portano le tensioni (o le trasmettono ad un gestore che magari è esterno ma alla fine per forza arriva in una parte del CMOS).

Per un incremento più rapido del potenziale di word-line durante l'operazione di lettura, la riduzione di metà del WL-RC è stata comunemente applicata nei prodotti più recenti, ma nella maggior parte dei casi è accompagnata dalla duplicazione di un set di driver di stringa per pilotare ogni metà del WL in un piano.

Come anche già detto prima, dice che comunemente già gli altri utilizzano
1 - la riduzione di metà del WL-RC
2 - accompagnata dalla duplicazione di un set di driver di stringa per pilotare ogni metà del WL in un piano

(ahaha! adesso devo tradurre e rendere semplice da capire cosa mi scrive l'Ai in proposito....)

1 -

WL-RC è la resistenza che incontra il segnale di lettura. Più alto è il WL‑RC, più lenta sarà la variazione di tensione (ritardo maggiore), e di conseguenza aumenterà il tempo di accesso (read/write).

Semplificando:

WL-RC alto = lettura lenta
WL-RC basso = lettura veloce

Si parla di ridurre della metà la resistenza alla lettura, quindi di rendere più veloce (il doppio più veloce?) la lettura dei dati.

L'AI suggerisce che: a parità di driver, dimezzare R·C può essere ottenuto riducendo la resistenza del percorso (montando driver più forti o più vicini) oppure abbattendo la capacità di carico (suddividendo lo stack in sub‑blocchi più piccoli, o riducendo il pitch dei metalli).
Ne discende che una duplicazione dei driver ottiene l'effetto di ridurre WL-RC.
Inoltre, sempre l'AI, dice: caricare e scaricare una capacità minore o attraverso una resistenza minore richiede meno energia complessiva.

2 -

la duplicazione del driver, cioè del collegamento delle WL è conseguente alla duplicazione delle WL per piano (perchè appunto G9 adotta la doppia scala)
https://i.ibb.co/QvrzFS7M/saFGTWR.png

Mettendo insieme 1 e 2 ed il testo:
Per un incremento più rapido del potenziale di word-line durante l'operazione di lettura, COME FANNO TUTTI, abbiamo utilizzato una struttura a scala doppia che ha permesso di raddoppiare WL e di conseguenza duplicare le linee di comunicazione (driver) delle WL, accompagnate, COME EFFETTO PREVISTO, da una riduzione della WL-RC e dunque un aumento della velocità di lettura.

Poi il testo continua:
Come mitigazione, è stata applicata una maggiore condivisione dei driver aumentando il numero di sottoblocchi per blocco per ridurre il numero totale di driver per piano, ma con un aumento del caricamento dell'array e della corrente di funzionamento. La scala bidirezionale (SC) ha risolto il compromesso tra latenza di lettura, energia di lettura per bit ed efficienza dell'array, mostrato in Figura 8.

La "mitigazione", ecco, come ho scritto in precedenza non ha molto senso dover mitigare qualcosa che sembra solo positivo.

Ma è la frase in se ad essere poco chiara. Infatti sarebbe giusto dire che si parla di indicatori di costo‑prestazione legati alla gestione delle word‑line (WL) quindi alla capacità di lettura delle die. In questo frangente abbiamo 3 elementi (vedi figura 8): la resistenza del segnale WL-RC, l'area del CMOS (contenenti anche i driver) ed infine la capacità intrinseca del metallo/polisilicio della WL stessa (capacità di carico?).

Nella situazione diciamo...base, questi tre elementi sono:

WL-RC media
WL Driver Area alta
WL Loading Capacity normale o fissa (dipende dalle caratteristiche del semiconduttore)

Cosa vuole ottenere Micron nelle G9?
Risposta: che WL-RC sia più bassa possibile

Cosa avviene di... come dire... imprevisto?
Che le die tra G8 e G9 si riducono di area [die size reduction from 1Tb G8 to G9 of 30%] quindi WL Drive Area si riduce (il CMOS che stà sopra o sotto a seconda della struttura al die, deve essere piccola quanto il die).
La riduzione dell'area di CMOS crea però un aumento di WL-RC!

...ed ecco finalmente il senso di "mitigazione"

La miniaturizzazione del CMOS nel suo effetto non positivo (diciamo così) sulle prestazioni di lettura deve essere contrastato da delle azioni (strutturali) che permettano di mantenere la lettura decente.

Ho quindi chiesto all'AI il senso della mitigazione, e la risposta è stata: In questo contesto il termine “mitigazione” indica la strategia usata per attutire (ovvero compensare) il principale svantaggio della riduzione di WL‑RC, “dimezzando” la word‑line, cioè la duplicazione del set di driver sotto ogni metà di WL.

L'AI continua dicendo che:
– Se dimezzi WL‑RC spezzando la word‑line in due metà, per mantenere la stessa capacità di gestione devi mettere due driver al posto di uno, raddoppiando così l’area CMOS sotto array.
– Per mitigare questo raddoppio di driver (e quindi l’aumento di area e costo), i progettisti hanno invece scelto di aumentare il numero di sottoblocchi (sub‑block) per ogni blocco.
– In questo modo un singolo driver (o un gruppo di driver) può essere condiviso tra più metà‑WL di sub‑blocchi diversi, riducendo il conteggio complessivo dei driver richiesti per piano.

è l'interpretazione della famosa Figura 8 che accompagna la spiegazione sopra, per ottenere:

WL-RC bassa
WL Driver Area piccola
WL Loading Capacity normale o fissa (dipende dalle caratteristiche del semiconduttore)

ottenuta attraverso una diversa architettura di blocco 3D‑NAND in termini di “staircase” delle word‑line (WL).

Quindi per capire ora fino in fondo, bisogna capire questa nuovo struttura com'è.

Per me per esempio è difficile vedere lo schema di figura 8 in maniera tridimensionale.

Quindi ho cercato una rappresentazione quanto più simile al reale 3D di questa struttura Micron https://patents.google.com/patent/US9721668B2/en

Ricordo che, la struttura, per contrastare la miniaturizzazione del CMOS e l'aumento della velocità di lettura, è stata pensata (originale o copiata non so):

- "aumentando il numero di sottoblocchi per blocco per ridurre il numero totale di driver per piano" --> che però ha come effetto "un aumento del caricamento dell'array e della corrente di funzionamento".

a cui si rimedia a sua volta:

- "La scala bidirezionale (SC) ha risolto il compromesso tra latenza di lettura, energia di lettura per bit ed efficienza dell'array".

Della scala bidirezionale, diciamo che sappiamo come è fatta
https://i.ibb.co/QvrzFS7M/saFGTWR.png

e si può presumere che aiuti a mantenere WL-RC bassa ed ad usare meno energia per la lettura. Quindi dà efficienza nel complesso.

Della struttura del die bisogna invece capire com'è.

Ecco il mio errore... non riguarda la struttura dei die come la scala (SC), ma come vengono organizzati i blocchi. Che pirla che sono Black!
La die rimane quella struttura ma sono aggiunte delle strip di connessione e organizzate diversamente.

La config. generale è: array di un gruppo di celle 3D --> array di Pagine --> Blocco

Per l'architettura NAND Flash convenzionale, il "blocco" è definito da un raggruppamento fisico che include le stringhe NAND configurate tra un insieme di bitline (BL) e una linea sorgente comune (CSL) con un insieme di wordline intersecanti (WL)

https://i.ibb.co/PzcGCGs2/llustration-of-NAND-flash-memory-structure.png (https://ibb.co/Kz2xyxct)

Split delle WL: anziché pilotare un’unica lunga WL, le si suddivide in 2 (o più) sottoblocchi.

Condivisione driver: uno stesso driver (o set di driver) viene collegato via RSL alle WL di più sottoblocchi in sequenza, riducendo il count di driver fisici.

Come effetti indesiderati, abbiamo ovviamente che essendo un driver collegato a più WL è più soggetto a lavoro e serve più corrente per caricare queste WL multiple con un unico driver.

Invertendo queste osservazioni si ottiene cosa dice il testo: "una maggiore condivisione dei driver aumentando il numero di sottoblocchi per blocco per ridurre il numero totale di driver per piano, ma con un aumento del caricamento dell'array e della corrente di funzionamento".

Black (Wooden Law)

04-07-2025, 12:52

(o le trasmettono ad un gestore che magari è esterno ma alla fine per forza arriva in una parte del CMOS).
Giusto, parli delle pompe di carica (https://it.wikipedia.org/wiki/Pompa_di_carica). Guarda qui (https://www.researchgate.net/profile/Koichi-Ishida-2/publication/220240029/figure/fig1/AS:394040446078988@1470957971915/Conventional-SSD-with-charge-pump.png) e qui (https://www.mdpi.com/eng/eng-05-00027/article_deploy/html/images/eng-05-00027-g001-550.jpg), fanno parte del CMOS ed è un circuito elettronico che fornisce la tensione al dispositivo (in questo case le celle NAND flash). Samsung aveva parlato di questo circuito nella presentazione delle V6 (128L TLC) all'ISSCC per dire che COP ostacola la creazione di grandi condensatori all'interno delle pompe di carica impedendo di costruire degli alti contatti di metallo (qui (https://borecraft.com/files/ISSCC2021-30_3.pdf) la presentazione, vedi slide 7).
Invertendo queste osservazioni si ottiene cosa dice il testo: "una maggiore condivisione dei driver aumentando il numero di sottoblocchi per blocco per ridurre il numero totale di driver per piano, ma con un aumento del caricamento dell'array e della corrente di funzionamento".
Bravi gli ingegneri (di non so quale azienda visto che una scopiazza l'altra :asd:) che hanno trovato questi escamotage per impilare sempre più layer in ogni NAND flash.

Alla fine il processo è: per ridurre il ritardo RC delle WL tagliamole in due -> per collegare le WL tra di loro usiamo delle scale condivise -> abbiamo raddoppiato il numero di driver delle stringhe e quindi anche la dimensione dello strato CMOS, questo è un male. Per risolvere creiamo più sottoblocchi in modo tale da far condividere meno driver delle stringhe possibili con più WL di sottoblocchi diversi.

@Liupen

04-07-2025, 13:51

Questo lo trovo interessante riguardo alla discussione che abbiamo avuto io, @Liupen, Sbaffo e Frafelix sull'SSD nel PC Mac di Frafelix: Solid-State Drive Over-Provisioning Technology and its Impact on the Ability to Erase Individual Files (https://ieeexplore.ieee.org/document/11054121).

Qui sembra parlare indirettamente di un secure erase con dati randomici, cioè tutti 1:

Qui (https://imgur.com/a/xSrLTFI) le due parti non tradotte. [4] è Reliably Erasing Data From Flash-Based Solid State Drives (https://www.usenix.org/legacy/event/fast11/tech/full_papers/Wei.pdf), [5] è ErasuCrypto: A Lightweight Secure Data Deletion Scheme for Solid State Drives (https://petsymposium.org/popets/2017/popets-2017-0009.pdf), [7] è Deleted Data Recovery on Solid-State Drives by Software Based Methods (https://ieeexplore.ieee.org/document/9923355).

Le conclusioni dello studio sono che divide in tre gruppi i metodi per la cancellazione dei file negli SSD:
1. metodi che richiedono la modifica del firmware e che non sono utilizzabili nella pratica perché SSD di diversi produttori con diversi chip NAND flash e diversi "algoritmi di funzionamento del controller interno" sono installati su computer protetti;
2. metodi tramite dei software che spesso non spesso non sono sufficientemente affidabili anche per la parte del recupero;
3. tecnologie di cancellazione dei dati tramite crittografia che cancellano l'intero SSD e non i singoli file e richiedono modifiche al firmware.

In quanto all'OP, dice che rende inefficace il "mashing" dei dati nello spazio libero dell'SSD, che parte dello spazio degli indirizzi non è accessibile ai software e che non è possibile cancellare i dati senza interferire con il firmware dell'SSD o usando i software dei produttori di SSD. In questo caso le cancellazioni tramite crittografia sono utili.
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Anche lo studio [7], Deleted Data Recovery on Solid-State Drives by Software Based Methods è rilevante alla discussione.

Hanno testato (su Windows 10 Enterprise 21H1) 2 870 EVO, 8 860 EVO e 8 BX500 e altri SSD di cui ci interessa relativamente con 3 testi di file da rispettivamente 250B, 250kB e 25MB. I risultati sono che i file da 250B non sono stati eliminati dal garbage collection perché Master File Table (MFT) di NTFS contiene i file da meno di 700B e l'eliminazione di file piccoli non porta a far azionare il TRIM perché le modifiche vengono effettuate nella MFT. Per quanto concerne i file da 250kB e 25MB, tutti i garbage collection degli SSD ci hanno messo dai 5 ai 15 secondi per fare il loro (tranne per l'Intel 760p da 256GB dove ci ha messo dai 6,2 secondi ai 4,22 minuti).

Qui (https://imgur.com/a/2vsJ6IB) il testo non tradotto con Figura 1 (P.S.: nella Figura 1 non c'è il BX500 perché era il sample a cui non funzionava il garbage collection).

Un BX500 ha fallito nel far funzionare il garbage collection per, a detta degli autori, di alcuni glitch hardware o software. Alcuni BX500 e 870 EVO, invece, mantenevano dei piccoli frammenti nonostante il garbage collection ma non si poteva comunque recuperare gli interi file. Altri risultati interessanti sono stati che per alcuni esemplari sia di BX500 che di 870 EVO non c'è stato alcun evento di TRIM e di garbage collection e questi file fossero facilmente recuperabili.

Conclusione? TRIM e garbage collection sono direi lontani dall'essere perfetti e possono anche funzionare male/non funzionare per file così piccoli. Sarei curioso di vedere gli stessi esperimenti ma con file di dimensioni più grandi come nell'ordine di decine e centinaia di GB.

Solid-State Drive Over-Provisioning Technology and its Impact on the Ability to Erase Individual Files

Quello che mi salta subito all'occhio è esordire/affermare che esistono: "metodi noti che, a loro avviso, garantiscono la cancellazione sicura dei singoli file eliminati dai supporti SSD.". Visto che conoscendo come è fatto e come funziona un ssd, pare impossibile, mette curiosità continuare a leggere.

Eccoli :p
1
"è stato proposto di modificare il livello di astrazione di un'unità a stato solido (FTL) al fine di eseguire una procedura di garbage collection forzata"
2
mashing con scansione. Nella pratica, il controller dell'unità a stato solido esegue la scansione delle aree libere dell'unità e, se rileva blocchi occupati da dati, li cancella
3
cancellazione delle informazioni a livello di blocco dati delle unità SSD (modificando da zero a uno ciascuno dei bit di questo blocco, utilizzato per memorizzare i dati non cancellati

Sono algoritmi da introdurre, non metodi attuabili con gli strumenti di adesso, ecco il perchè.

"In tutti i casi, le prestazioni e la durata del dispositivo sono diminuite."
Eh...infatti, tutto sto GC in più quell'effetto fà...

Ma io dico: che importanza può avere cancellare un singolo file in maniera sicura quando basta usare la criptazione e si risolve il problema all'origine?
Ops... lo scrivono anche loro... e per giustificare lo studio scrivono che la criptazione: "richiedono un notevole impiego di risorse di elaborazione, il che porta a una significativa riduzione della velocità di scrittura/lettura dei dati da un'unità SSD"

Io non sarò un esperto ma so che la criptazione richiede solo una P2P con chiave nascosta... nessun passaggio in più di quello che fà già il controller.
Vari studi hanno dimostrato che criptare non toglie risorse di calcolo o cali di velocità.

Questo non mi è nuovo: "Inoltre, in [4] è stato dimostrato che, anche con un comando TRIM eseguito correttamente, i dati cancellati possono rimanere sull'unità per un periodo di tempo piuttosto lungo prima che il garbage collector li acceda."

Ad un certo punto, degli ssd con TRIM attivo scrivono: "In questo caso, la probabilità di ripristinare i metadati del file è molto elevata."
cosa con cui non mi trovo d'accordo. Dipende da quanto e se è implementata l'azzeramento dei vaolori di mappatura. In un contesto di ssd PRO sono ormai standard credo. Certo se il riferimento preso è un ssd Samsund 870 evo... :doh:

Deleted Data Recovery on Solid-State Drives by Software Based Methods

Non l'ho ancora letto, ma dal sunto che fai, in linea con quanto avevo scritto https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48798034&postcount=23226

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Alla fine il processo è: per ridurre il ritardo RC delle WL tagliamole in due -> per collegare le WL tra di loro usiamo delle scale condivise -> abbiamo raddoppiato il numero di driver delle stringhe e quindi anche la dimensione dello strato CMOS, questo è un male. Per risolvere creiamo più sottoblocchi in modo tale da far condividere meno driver delle stringhe possibili con più WL di sottoblocchi diversi.

Esattamente!

Anzi

Alla fine il processo è: per ridurre il ritardo RC delle WL tagliamole in due -> per collegare le WL tra di loro usiamo delle scale condivise -> abbiamo raddoppiato il numero di driver delle stringhe e quindi anche la dimensione dello strato CMOS, e l'energia che ci vuole per leggere, questo è un male. Per risolvere creiamo più sottoblocchi in modo tale da far condividere meno driver delle stringhe possibili con più WL di sottoblocchi diversi, riducendo il carico di tensione perchè condiviso.

frafelix

04-07-2025, 15:04

Se non mi ricordo male, se l'ssd non supporta la criptazione in hardware, si deve appoggiare alla cpu e sicuramente hai dei rallentamenti; magari non percepibili con le ultime cpu, ma sicuramente è un passaggio in più.
Poi magari si perde qualche mb/s e chi se ne accorge, ma sicuramente anche la criptazione hardware porta a dell'overhead in più.
Come quando si mettono i dischi in raid, a parte l'affidabilità, se hai un controller separato è meglio che farlo gestire al chipset della scheda madre e di conseguenza il chipset è meglio che far gestire il raid a windows...

Riguardo alla criptazione per sopperire alle mancanze di trim e gc ed avere la garanzia che non si possono recuperare i dati, ti riporto una mia esperienza: Mac utilizzato per lavoro, senza criptazione dei dati ed esigenza di cancellare lo spazio libero in modo sicuro.
Cosa fai?
Non puoi fare il secure erase perché il Mac deve rimanere operativo, non puoi attivare la criptazione e disabilitarla perché i dati cancellati prima non vengono processati dalla criptazione e quindi sono recuperabili se il gc non è intervenuto. L'unico modo è fare un secure erase dello spazio vuoto, ma non mi pare ci siano programmi che lo facciano, ci sono programmi invece che sovrascrivono lo spazio vuoto (cosa più adatta agli hd meccanici).

In ogni caso stiamo parlando di macchine in cui abbiamo la totale autonomia. Se invece parlassimo di pc aziendali dove per policy non puoi attivare la criptazione? Come hanno standardizzato il trim, dovrebbero farlo anche con il gc e far si che ci sia un addetto alla verifica.
Un po' come gli standard iso che per essere compliant un addetto viene a fare delle verifiche, oltre alle scartoffie. Nelle memorie c'è la jedec, e via discorrendo

Black (Wooden Law)

04-07-2025, 21:34

Io non sarò un esperto ma so che la criptazione richiede solo una P2P con chiave nascosta... nessun passaggio in più di quello che fà già il controller.
Vari studi hanno dimostrato che criptare non toglie risorse di calcolo o cali di velocità.
Secondo me con quell’affermazione si riferiscono allo studio [5], cioè ErasuCrypto. Lì se vai a leggere nello studio dicono che la cancellatura con crittografia tocca le performance dell’SSD perché se c’è da dover cancellare una pagina e basta si va a usare grandi volumi di chiavi (e una chiave corrisponde ad una pagina se non erro).

Comunque lo studio di ErasuCrypto è del 2016, può essere che la tecnologia sia cambiata un po’ da 9 anni. Ammetto di non aver mai studiato la cancellazione tramite crittografia nelle NAND flash/SSD, sarebbe forse il momento di farlo…
Questo non mi è nuovo: "Inoltre, in [4] è stato dimostrato che, anche con un comando TRIM eseguito correttamente, i dati cancellati possono rimanere sull'unità per un periodo di tempo piuttosto lungo prima che il garbage collector li acceda."

Ad un certo punto, degli ssd con TRIM attivo scrivono: "In questo caso, la probabilità di ripristinare i metadati del file è molto elevata."
cosa con cui non mi trovo d'accordo. Dipende da quanto e se è implementata l'azzeramento dei vaolori di mappatura. In un contesto di ssd PRO sono ormai standard credo. Certo se il riferimento preso è un ssd Samsund 870 evo... :doh:
Mi sembrano abbastanza correlate le due parti: può esserci anche il TRIM attivo ma se il garbage collector non fa il suo i dati possono essere recuperabili senza problemi, indipendentemente se la mappa L2P sia stata aggiornata o meno.

@Liupen

05-07-2025, 16:52

Secondo me con quell’affermazione si riferiscono allo studio [5], cioè ErasuCrypto. Lì se vai a leggere nello studio dicono che la cancellatura con crittografia tocca le performance dell’SSD perché se c’è da dover cancellare una pagina e basta si va a usare grandi volumi di chiavi (e una chiave corrisponde ad una pagina se non erro).

Comunque lo studio di ErasuCrypto è del 2016, può essere che la tecnologia sia cambiata un po’ da 9 anni. Ammetto di non aver mai studiato la cancellazione tramite crittografia nelle NAND flash/SSD, sarebbe forse il momento di farlo…

Se non mi ricordo male, se l'ssd non supporta la criptazione in hardware, si deve appoggiare alla cpu e sicuramente hai dei rallentamenti; magari non percepibili con le ultime cpu, ma sicuramente è un passaggio in più.
Poi magari si perde qualche mb/s e chi se ne accorge, ma sicuramente anche la criptazione hardware porta a dell'overhead in più.
Come quando si mettono i dischi in raid, a parte l'affidabilità, se hai un controller separato è meglio che farlo gestire al chipset della scheda madre e di conseguenza il chipset è meglio che far gestire il raid a windows...

Vero Black, ho citato quella frase riferita al metodo che citi, ma anche dopo nel testo si ripete questo concetto in rappresentanza di tutta la criptazione.
Da cosa capisco, la criptazione (software) può essere usata per cancellare i file interessati, perchè agisce applicando un filtro ad ogni file criptato, e quindi si userebbe questo "marker" per rintracciare la posizione fisica del dato stesso.

Come da te puntualizzato, frafelix, la criptazione software (che poi chiaramente è quella di Bitlocker), toglie delle risorse di calcolo (a mio parere trascurabili o nulle se acquisto appunto un ssd che utilizza una criptazione hardware + bitlocker).
Ti quoto nel dire, se uno a da fare un RAID o un sistema criptato, che si scelga ssd che supporti protocollo TCG/Opal tipo hardware.

Come detto non sono un esperto, e come scrivi, se l'impatto c'è, sono il primo a dire - per come so che funziona Bitlocker - "non percepibili con le ultime cpu".
Microsoft non ha mai evidenziato problemi di velocità ed articoli come questo https://www.tomshardware.com/news/windows-software-bitlocker-slows-performance#xenforo-comments-3823680
-45% rilevato da THW mi fà sospettare che non dipenda interamente dalla criptazione (ed il bello che i dubbi li hanno anche loro ma non approfondiscono... in perfetto stile "articolo clickbait")

Mi sembrano abbastanza correlate le due parti: può esserci anche il TRIM attivo ma se il garbage collector non fa il suo i dati possono essere recuperabili senza problemi, indipendentemente se la mappa L2P sia stata aggiornata o meno.

L'evidenza del reale (l'empirico) però ci dice che, con il TRIM attivo, la "finestra" tra comando TRIM e seguente GC non è scontata, anzi.
Molti DR arrivano ad affermare che è più facile cavar fuori dati da un ssd rotto piuttosto che recuperare un dato cancellato da un ssd.
Comunque il discorso principale è che con gli ssd attuali e per rispondere alle normative cocenti, ci si sposta verso SSD che implementano almeno uno dei due meccanismi DRAT (Deterministic Read After Trim) o DZAT (Deterministic Zeroes After Trim), per cui dopo un comando TRIM il drive restituirà sempre lo stesso valore (tipicamente tutti zeri) e non i dati originali.
https://blog.elcomsoft.com/2025/06/what-trim-drat-and-dzat-really-mean-for-ssd-forensics

Riguardo alla criptazione per sopperire alle mancanze di trim e gc ed avere la garanzia che non si possono recuperare i dati, ti riporto una mia esperienza: Mac utilizzato per lavoro, senza criptazione dei dati ed esigenza di cancellare lo spazio libero in modo sicuro.
Cosa fai?
Non puoi fare il secure erase perché il Mac deve rimanere operativo, non puoi attivare la criptazione e disabilitarla perché i dati cancellati prima non vengono processati dalla criptazione e quindi sono recuperabili se il gc non è intervenuto. L'unico modo è fare un secure erase dello spazio vuoto, ma non mi pare ci siano programmi che lo facciano, ci sono programmi invece che sovrascrivono lo spazio vuoto (cosa più adatta agli hd meccanici).

In ogni caso stiamo parlando di macchine in cui abbiamo la totale autonomia. Se invece parlassimo di pc aziendali dove per policy non puoi attivare la criptazione? Come hanno standardizzato il trim, dovrebbero farlo anche con il gc e far si che ci sia un addetto alla verifica.
Un po' come gli standard iso che per essere compliant un addetto viene a fare delle verifiche, oltre alle scartoffie. Nelle memorie c'è la jedec, e via discorrendo

Ti posso dire cosa avrei fatto io: tolto i dati temporaneamente, creato una nuova partizione, attivare su quella la criptografia (software) e infine ricopiarci i dati (ora criptati). Alla fine hai l'OS in chiaro e i dati criptati.

frafelix

05-07-2025, 18:03

Ti posso dire cosa avrei fatto io: tolto i dati temporaneamente, creato una nuova partizione, attivare su quella la criptografia (software) e infine ricopiarci i dati (ora criptati). Alla fine hai l'OS in chiaro e i dati criptati.
In questo caso però non cripti i dati già cancellati (credo). Lo spazio contrassegnato come vuoto come viene gestito? Perché tu cripti i file mica fisicamente le celle, quindi i dati già cancellati dovrebbero essere comunque recuperabili…

Black (Wooden Law)

06-07-2025, 14:24

L'evidenza del reale (l'empirico) però ci dice che, con il TRIM attivo, la "finestra" tra comando TRIM e seguente GC non è scontata, anzi.
Molti DR arrivano ad affermare che è più facile cavar fuori dati da un ssd rotto piuttosto che recuperare un dato cancellato da un ssd.
Comunque il discorso principale è che con gli ssd attuali e per rispondere alle normative cocenti, ci si sposta verso SSD che implementano almeno uno dei due meccanismi DRAT (Deterministic Read After Trim) o DZAT (Deterministic Zeroes After Trim), per cui dopo un comando TRIM il drive restituirà sempre lo stesso valore (tipicamente tutti zeri) e non i dati originali.
https://blog.elcomsoft.com/2025/06/what-trim-drat-and-dzat-really-mean-for-ssd-forensics
Sì infatti trovo gli esperimenti di quello studio interessanti ma nulla di più, non li prendo come oro colato. Hanno usato SSD SATA III e non NVMe più recenti e in più hanno usato soltanto file di piccole dimensioni quando secondo me sarebbe stato più utile testare con decine e centinaia di GB.

Utile per sapere che file da meno di 700B non risentono del GC e del TRIM, utile sapere che c’è una possibilità di recuperare i dati in caso il GC non agisse subito, ma il concetto che sugli SSD il recupero dei dati è ostico e che molto probabilmente la cancellazione di un file compromette a non recuperarlo più rimane.

@Liupen

06-07-2025, 18:43

In questo caso però non cripti i dati già cancellati (credo). Lo spazio contrassegnato come vuoto come viene gestito? Perché tu cripti i file mica fisicamente le celle, quindi i dati già cancellati dovrebbero essere comunque recuperabili…

Non cripti i non-dati o lo spazio vuoto (criptazione software).

Con la copia metti in moto un GC che sovrascrive; poi di pende dall'ssd, magari è tra quelli che hanno DZAT come gestione.
Per recuperare inoltre quei dati serve un data recovery specializzato.
Qualche bastone tra le ruote c'è, insomma..

Black (Wooden Law)

08-07-2025, 11:33

Il P41 (https://www.amazon.it/dp/B09QX6SL2Y/ref=twister_B0B19WN7L1?_encoding=UTF8&th=1) da 1TB a 80 euro penso che sia il best buy degli NVMe.

giovanni69

10-07-2025, 08:57

Black (Wooden Law)

10-07-2025, 14:25

Buongiorno,

con la funzione di ricerca :mc: non riesco a trovare qualcosa nel thread circa il Samsung T7, SSD esterno USB 3.2 Gen 2x1.

Esiste anche la versione T7 Shield e T7 Touch.

Si sa qualcosa su controller, celle ....?

In una vecchia recensione di StorageReview del 2020 vengono citate ' V-NAND MLC a 3 bit'. Ma 5 anni sono tanti....
Esistono 3 Samsung T7: T7/T7 Portable, T7 Touch e T7 Shield. Il T7 e il T7 Touch hanno entrambi un controller Pablo e NAND flash V5 TLC (92L, giusto dire “MLC 3-bit”) mentre il T7 Shield ha lo stesso controller ma con NAND flash V6 TLC (128L, sempre MLC 3-bit ovviamente). In poche parole il T7 Shield al suo interno ha un 980. Il T7 Shield è migliore in performance del T7 e T7 Touch ma di poco essendo comunque limitato dall’interfaccia a 10 Gbps.

La differenza tra T7 e T7 Touch sta nella sicurezza (https://www.eomni.co.uk/the-difference-between-t7-ssd-and-t7-touch-ssd): entrambi usano una crittografia AES 256-bit però il T7 Touch ha il sensore a impronta di dita cioè il touch ID de facto.

sbaffo

11-07-2025, 10:43

Il P41 (https://www.amazon.it/dp/B09QX6SL2Y/ref=twister_B0B19WN7L1?_encoding=UTF8&th=1) da 1TB a 80 euro penso che sia il best buy degli NVMe.

che dite del 990 evo plus 2TB a 115? (HD blog diceva 114 fino a ieri ma vabbè)
https://www.amazon.it/MZ-V9S2T0BW-progettata-professionisti-occasionali-compatibile/dp/B0DGHB9V34/ref=sr_1_4_sspa?__mk_it_IT=%C3%85M%C3%85%C5%BD%C3%95%C3%91&crid=3JEVN3TK96SLB&dib=eyJ2IjoiMSJ9.e6StuGc-GN50mm8fto4tQg.SMGaqcM4DD6dtdYRAwfNzD5pKPaPqWCa1SNaTpJurfY&dib_tag=hdbnewsamznpchaamznamznldia-21&keywords=B0B9C4DKKG&qid=1751902854&sprefix=b0b9c4dkkg%2Caps%2C107&sr=8-4-spons&ufe=app_do%3Aamzn1.fos.800fdaae-507d-4a13-a42a-fa87db57d4bf&sp_csd=d2lkZ2V0TmFtZT1zcF9hdGY&th=1

1TB a 80 come il p41

Black (Wooden Law)

11-07-2025, 12:28

che dite del 990 evo plus 2TB a 115? (HD blog diceva 114 fino a ieri ma vabbè)
https://www.amazon.it/MZ-V9S2T0BW-progettata-professionisti-occasionali-compatibile/dp/B0DGHB9V34/ref=sr_1_4_sspa?__mk_it_IT=%C3%85M%C3%85%C5%BD%C3%95%C3%91&crid=3JEVN3TK96SLB&dib=eyJ2IjoiMSJ9.e6StuGc-GN50mm8fto4tQg.SMGaqcM4DD6dtdYRAwfNzD5pKPaPqWCa1SNaTpJurfY&dib_tag=hdbnewsamznpchaamznamznldia-21&keywords=B0B9C4DKKG&qid=1751902854&sprefix=b0b9c4dkkg%2Caps%2C107&sr=8-4-spons&ufe=app_do%3Aamzn1.fos.800fdaae-507d-4a13-a42a-fa87db57d4bf&sp_csd=d2lkZ2V0TmFtZT1zcF9hdGY&th=1

Direi che è un ottimo prezzo, best buy per i DRAM-less.

andreamarra

11-07-2025, 14:05

ciao, ho sempre partizionato i miei hd/ssd per installare SO in una partizione e il resto (games e programmi) nell'altra.
Adesso ho un dubbio che leggendo in giro non ho dissipato: visto che utilizzo il pc principalmente per gaming, mi conviene avere un ssd solo per sistema operativo ed eventuali programmi e un secondo ssd da dedicare esclusivamente ai games? Ho letto pareri contrastanti. (Avevo fatto questa domanda sul forum aprendo un 3d ma non trovo più il topic)

In questo momento ho un pcie 5 crucial t700 1tb su cui ho installato tutto, se prendessi un ssd pcie 4 aggiuntivo ci potrei installare i games e win11 sul pcie 5 o viceversa?

In caso, che ssd pcie 4 mi converrebbe acquistare? Sempre crucial per poter sfruttare per entrambi il software crucial?

Nicodemo Timoteo Taddeo

11-07-2025, 14:28

ciao, ho sempre partizionato i miei hd/ssd per installare SO in una partizione e il resto (games e programmi) nell'altra.
Adesso ho un dubbio che leggendo in giro non ho dissipato: visto che utilizzo il pc principalmente per gaming, mi conviene avere un ssd solo per sistema operativo ed eventuali programmi e un secondo ssd da dedicare esclusivamente ai games? Ho letto pareri contrastanti. (Avevo fatto questa domanda sul forum aprendo un 3d ma non trovo più il topic)

Puoi organizzarti e fare quello che desideri e ritieni più giusto nel tuo contesto, non ci sono preclusioni di sorta. Io farei esattamente uno SSD a parte per i giochi.

In caso, che ssd pcie 4 mi converrebbe acquistare? Sempre crucial per poter sfruttare per entrambi il software crucial?

Crucial T500, al momento un ottimo qualità prezzo su Amazon. Taglio da 1 TB a 81 euro.

Black (Wooden Law)

11-07-2025, 23:01

Direi un ottimo SSD: https://www.techpowerup.com/review/lexar-nm1090-pro-4-tb/. Lo metterei sotto al 9100 PRO ma comunque fascia alta. Ottimo anche il fatto che non raggiunga il TT senza dissipatore in uno scenario reale, non sembra superare i 78 °C (ovviamente necessita lo stesso di un dissipatore).

Per me non c'è pin magico che tira giù tutti i dati in pochi sec come asserito
Ecco il famoso pin magico… https://wccftech.com/team-group-launches-self-destruct-p250q-nvme-ssd/. :asd:
L’SSD P250Q può facilmente cancellare tutti i dati nel drive in una semplice pressione di un tasto e viene fornito con funzioni intelligenti per continuare tali operazioni anche dopo un’interruzione di corrente improvvisa.

giovanni69

12-07-2025, 07:16

Grazie Black circa i T7. :mano:

andreamarra

12-07-2025, 13:51

Puoi organizzarti e fare quello che desideri e ritieni più giusto nel tuo contesto, non ci sono preclusioni di sorta. Io farei esattamente uno SSD a parte per i giochi.

Crucial T500, al momento un ottimo qualità prezzo su Amazon. Taglio da 1 TB a 81 euro.

grazie mille, in effetti pensavo di installare i games da una parte e il sistema operativo e drivers in un altro.

Che tu sappia "conviene" mettere il sistema operativo in quello più veloce e i giochi nel pcie 4? Tanto alla fine tecnicamente nei games la velocità dovrebbe essere praticamente similare/impercettibile.

Lo chiedo perchè sarei indeciso se mettere win11 sul pcie5 che è da 1tb e in caso prenderei un 2t pcie4 per i games (bastano tre pack grafici di oblivion remastered che mi prende troppo spazio :D ), oppure prendere un 1tb (molto bello il modello che mi indichi, grazie) e non saprei però dove converrebbe mettere il SO

Black (Wooden Law)

12-07-2025, 16:52

Che tu sappia "conviene" mettere il sistema operativo in quello più veloce e i giochi nel pcie 4? Tanto alla fine tecnicamente nei games la velocità dovrebbe essere praticamente similare/impercettibile.

Lo chiedo perchè sarei indeciso se mettere win11 sul pcie5 che è da 1tb e in caso prenderei un 2t pcie4 per i games (bastano tre pack grafici di oblivion remastered che mi prende troppo spazio :D ), oppure prendere un 1tb (molto bello il modello che mi indichi, grazie) e non saprei però dove converrebbe mettere il SO
Non è una questione di convenienza ma è una questione che non c’è differenza, però vabbè, visto che il Gen5 è più veloce ti consiglio di mettere il SO giusto per.

andreamarra

12-07-2025, 17:08

Non è una questione di convenienza ma è una questione che non c’è differenza, però vabbè, visto che il Gen5 è più veloce ti consiglio di mettere il SO giusto per.

ciao, ne facevo più una questione su cose come usura/prestazioni, difatti pensavo nel t700 di mettere il SO e nell'altro i games e programmi :)

Black (Wooden Law)

12-07-2025, 19:10

ciao, ne facevo più una questione su cose come usura/prestazioni, difatti pensavo nel t700 di mettere il SO e nell'altro i games e programmi :)
Sì, sì, ma tranquillo che non noti differenze… nel senso che sono entrambi ottimi SSD (T700 e T500, ma vale lo stesso discorso per altri Gen4 top di gamma come P41, SN850X, ecc.) e non ti deluderanno mai né come durata né come performance se ci metti SO e i programmi. Quindi è indifferente, metti il SO sul T700 ma non per questo ti durerà di più del T500 o sentirai le maggiori performance.

@Liupen

12-07-2025, 20:39

Ecco il famoso pin magico… https://wccftech.com/team-group-launches-self-destruct-p250q-nvme-ssd/ :asd:.

Data Destruction... come?

Black (Wooden Law)

14-07-2025, 09:32

Data Destruction... come?
Ho trovato questo (https://www.youtube.com/watch?v=SGzQIzuuvXI) video sul processo dell'autodistruzione. Ci sono due modi: software o hardware. Per azionare le modalità va tenuto il bottone rosso visualizzato nel video per 5-10 secondi e poi a seconda della modalità i dati si perderanno proprio per autodistruzione.

Il metodo software (pensato per gaming e usi "blandi") mi sembra in tutto e per tutto un secure erase/sanitize ma semplicemente molto più veloce e azionato soltanto tramite un bottone, il metodo hardware (pensato per uso di difesa e di automazione) letteralmente rompe le NAND flash/l'SSD da ovviamente rendere i dati irrecuperabili e non far rilevare più l'SSD dal SO. TeamGroup dice che c'è un circuito hardware dedicato per quest'operazione (penso che dia una tensione esagerata alle NAND flash).

Qui (https://patentimages.storage.googleapis.com/c4/37/43/7aae32d1c60c5b/TWM662727U.pdf) c'è il brevetto brevettato nel 2024. Purtroppo è tutto in taiwanese ma l'astratto cita:
Le fasi della funzione di distruzione comprendono: quando lo switch viene premuto viene generato un segnale di pressione; l'unità di controllo [il controller] genera un tempo di pressione basato sul segnale di pressione; l'unità di controllo genera un segnale di cancellazione basato su un primo valore di preselezione del tempo e un secondo valore di preselezione del tempo e sul tempo di pressione. L'unità di controllo esegue un processo di distruzione dell'unità di memorizzazione in base al segnale di cancellazione.

Il succo dell'implementazione è:
[0016] [...] premendo il primo switch o il secondo switch, si genera un segnale di pressione all'unità di controllo, l'unità di controllo genera un tempo di pressione e quando il tempo di pressione è maggiore di un primo valore di preset del tempo l'unità di controllo invia una prima tensione di cancellazione all'unità di memorizzazione per cancellare i blocchi di memorizzazione e quando il tempo di pressione è maggiore di un secondo valore di preset del tempo l'unità di controllo invia una seconda tensione di cancellazione all'unità di memorizzazione per cancellare i blocchi di memorizzazione. Quando il tempo di pressione è superiore a un secondo valore preset del tempo, l'unità di controllo invia una seconda tensione di cancellazione all'unità di conversione boost e l'unità di conversione boost genera di conseguenza un segnale di tensione all'unità di memorizzazione per colpire l'unità di memorizzazione.
Suona un po' strano ma questa è la traduzione cinese-inglese da DeepL. A quanto pare un primo impulso di tensione cancella i blocchi e un secondo (che viene mandato all'unità di conversione boost) impulso di tensione "colpisce" l'SSD (cosa vuol dire non lo so, non so se intende le varie mappe, il controller o altro).
Poi secondo me non ci sono tanti altri punti interessanti, anche perché con il traduttore non si capisce molto bene. Il "circuito hardware" a cui si riferisce TeamGroup è formato da due switch, due LED, un power supply/alimentatore e un convertitore boost. Secondo il brevetto, sia il primo che il secondo LED ricevono sia il primo che il secondo segnale di emissione della luce emettendo due raggi luminosi. Il controller per decidere quale autodistruzione fare (se hardware o software) si basa su una differenza di triggering time.

Questo (https://imgur.com/a/cUPWRcX) è l'SSD con il circuito hardware.

Wikkle

14-07-2025, 10:10

Domandona...
gli M.2 hanno sempre necessita del raffreddamento con il pad termico?

aled1974

14-07-2025, 10:14

Wikkle

14-07-2025, 10:21

dipende

più li usi più vanno raffreddati

più sono infognati in un case piccolo e con poca areazione e più vanno raffreddati

comprare e usare un pcie5 esclusivamente per facebook è una scelta nonsense che comporta interventi (vedi raffreddamento) evitabili in origine*

ciao ciao

* s'intende che non è il tuo caso ma spesso vedo la rincorsa all'acquisto del disco "più fast" a prescindere dall'effettivo utilizzo, seguito poi dalle lamentele legate al th thrott ;)

Ti ringrazio.. certo, capisco.
L'uso computer è medio/intenso.. ma più che altro la nuova mainboard ha preinstallati dei pad termici sugli slot degli m.2.

Quindi sono in dubbio... devo lasciarli?

Ma più che altro c'è lo slot primario m.2 che ha il pad termico sopra e sotto... devo metterci un m.2 particolare o tutti vanno bene?

makka

14-07-2025, 10:28

https://www.hwupgrade.it/news/storage/l-ssd-con-il-tasto-come-i-film-di-spionaggio-fai-clic-e-la-memoria-si-autodistrugge_141037.html

Wikkle

14-07-2025, 10:30

https://www.hwupgrade.it/news/storage/l-ssd-con-il-tasto-come-i-film-di-spionaggio-fai-clic-e-la-memoria-si-autodistrugge_141037.html

Che centra con il precedente post? è click bait :read: :D

Nicodemo Timoteo Taddeo

14-07-2025, 11:39

Che centra con il precedente post? è click bait :read: :D

LOL ! :)

Non stava rispondendo a te, questo è un thread ufficiale dove si discute di SSD a 360 gradi, non è il tuo thread personale :)

Wikkle

14-07-2025, 11:45

LOL ! :)

Non stava rispondendo a te, questo è un thread ufficiale dove si discute di SSD a 360 gradi, non è il tuo thread personale :)

Ma certo lo sò, era una battuta.

Comunque sarebbe cosa gradita (e da niquette del forum) non mettere link senza una descrizione al link stesso su che link sia ;)

@Liupen

14-07-2025, 12:02

Ho trovato questo (https://www.youtube.com/watch?v=SGzQIzuuvXI) video sul processo dell'autodistruzione. Ci sono due modi: software o hardware. Per azionare le modalità va tenuto il bottone rosso visualizzato nel video per 5-10 secondi e poi a seconda della modalità i dati si perderanno proprio per autodistruzione.

Il metodo software (pensato per gaming e usi "blandi") mi sembra in tutto e per tutto un secure erase/sanitize ma semplicemente molto più veloce e azionato soltanto tramite un bottone, il metodo hardware (pensato per uso di difesa e di automazione) letteralmente rompe le NAND flash/l'SSD da ovviamente rendere i dati irrecuperabili e non far rilevare più l'SSD dal SO. TeamGroup dice che c'è un circuito hardware dedicato per quest'operazione (penso che dia una tensione esagerata alle NAND flash).

Qui (https://patentimages.storage.googleapis.com/c4/37/43/7aae32d1c60c5b/TWM662727U.pdf) c'è il brevetto brevettato nel 2024. Purtroppo è tutto in taiwanese ma l'astratto cita:

Il succo dell'implementazione è:

Suona un po' strano ma questa è la traduzione cinese-inglese da DeepL. A quanto pare un primo impulso di tensione cancella i blocchi e un secondo (che viene mandato all'unità di conversione boost) impulso di tensione "colpisce" l'SSD (cosa vuol dire non lo so, non so se intende le varie mappe, il controller o altro).
Poi secondo me non ci sono tanti altri punti interessanti, anche perché con il traduttore non si capisce molto bene. Il "circuito hardware" a cui si riferisce TeamGroup è formato da due switch, due LED, un power supply/alimentatore e un convertitore boost. Secondo il brevetto, sia il primo che il secondo LED ricevono sia il primo che il secondo segnale di emissione della luce emettendo due raggi luminosi. Il controller per decidere quale autodistruzione fare (se hardware o software) si basa su una differenza di triggering time.

Questo (https://imgur.com/a/cUPWRcX) è l'SSD con il circuito hardware.

Grazie Black!
Interessante ed esaustivo.

https://www.hwupgrade.it/news/storage/l-ssd-con-il-tasto-come-i-film-di-spionaggio-fai-clic-e-la-memoria-si-autodistrugge_141037.html

Muoro... :sbonk: ho letto un commento

supertigrotto14 Luglio 2025, 11:59#4
Pensate di avere i dati Bitcoin in questo SSD e che il nipotino vada a premere il pulsante per gioco.....

Black (Wooden Law)

14-07-2025, 12:12

@Liupen

14-07-2025, 12:47

Caspita...radiazione luminosa (?) [emissione elettromagnetica] sulle Nand pare dal brevetto.

@Liupen

14-07-2025, 12:58

Wikkle

14-07-2025, 13:20

Vanno bene tutti gli SSD e usa i pad termici preinstallati.

Grazie, in effetti era logico, ma ho preferito chiedere per conferma

makka

14-07-2025, 13:34

Ma certo lo sò, era una battuta.

Comunque sarebbe cosa gradita (e da niquette del forum) non mettere link senza una descrizione al link stesso su che link sia ;)

Hai ragione, chiedo scusa.

Black (Wooden Law)

14-07-2025, 13:38

Micron G9
https://www.micron.com/products/storage/nand-flash/g9-nand?srsltid=AfmBOor_SnWNhuN1YiwwsrgqdSqw19KYnOGo7iY9H676M-upcoe6lGdN

Si parlava qualche giorno fà dell'uso del molibdeno per le nuove nand

Notizie da...

TechInsights ha scoperto l'uso industriale di ALD Mo nella nostra analisi tecnica in corso di Micron 2yyL (G9) TLC 3D NAND Flash [1].

Il Mo è altamente conduttivo e può essere incorporato senza uno strato barriera. L'utilizzo di un elettrodo di gate in Mo senza barriera per la NAND 3D offre un vantaggio di 3-4 nm rispetto alla barriera convenzionale in nitruro di titanio (TiN) con uno schema di elettrodo di gate in tungsteno (W).

La notizia dell'ALD Mo [2, 3] è disponibile dallo scorso anno e, sorprendentemente, Micron Singapore, con la sua capacità ALD Mo fornita da Lam, l'ha adottata per prima per la produzione ad alto volume. Micron ha rivelato che Micron G9 è il primo nodo a introdurre la metallizzazione della linea di parola (WL) Mo per una migliore resistenza WL e che è stata effettuata un'attenta selezione del passo WL insieme al rapporto ossido/nitruro per una riduzione ottimale dei costi senza compromettere affidabilità e prestazioni [4].

Questo indica che Samsung e SK Hynix si stanno concentrando maggiormente su DRAM (e HBM)? Micron è più o ugualmente aggressiva sia sul fronte NAND che su DRAM?

Samsung e SK Hynix sono più attente al costo, rispettivamente per le loro memorie NAND 3D da 286L e 321L. L'adozione tempestiva di ALD Mo da parte di Micron dimostra la loro fiducia nel mercato e nella redditività delle memorie NAND 3D e la loro ambizione di superare la concorrenza.

Per coincidenza, Micron ha annunciato i suoi die flash 3D NAND QLC 2yyL (G9) da 2 Tb per il suo SSD Micron 2600 [5], dimostrando la loro fiducia nel loro processo flash 3D NAND 2yyL (G9), il primo nel settore ad adottare ALD Mo per 3D NAND WL.
Nei giorni scorsi mi sono fatto un giro su Google Scholar e IEEE Xplore e ho trovato diversi paper che parlano dell'uso di WL di molibdeno e di WL di rutenio.

Questo (https://www.researchgate.net/publication/383451318_Fluorine-free_Word_Line_Molybdenum_Process_for_Enhancing_Scalability_and_Reliability_in_3D_Flash_Memory) paper di Kioxia (di cui si può trovare il riassunto qui (https://www.kioxia.com/en-jp/rd/technology/topics/topics-71.html)), per esempio, mostra nella Figura 2 (https://imgur.com/a/AHL7U15) che adesso anche le loro attuali NAND flash usano una WL fatta di molibdeno anziché tungsteno. La struttura attuale del transistor è quella a destra, cioè:
- silicio (Si);
- ossinitruro di silicio (SiON), cioè una miscela di silicio, ossigeno e azoto che funge da ossido del tunnel;
- Si₃N₄ che immagazzina gli elettroni;
- SiO₂ che funge da ossido di bloccaggio tra lo strato in cui si tengono gli elettroni e il control gate;
- Al₂O₃, secondo strato di bloccaggio che è ad alta costante dielettrica;
- MoN (nitruro di molibdeno) utile per "migliorare l'adesione con il sottolayer";
- WL in molibdeno.

Questi paper, purtroppo, sono parecchio tecnici e richiedono tanto tempo per esser studiati e attualmente sto leggendo altri studi interessanti come Emerging Nonvolatile Memory Technologies in the Future of Microelectronics (https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsomega.5c01414) e NAND Flash Memory Scaling and Process Technology Modeling (https://dl.acm.org/doi/full/10.1145/3716368.3735253). Appena finisco questi due vado alla lettura degli studi su WL in rutenio e molibdeno.

Per il poco che so, comunque, posso dire che si è deciso di adottare questi materiali perché sono meno resistivi e permettono di migliorare lo scaling verticale (cioè l'incremento del numero di WL) riducendo il passo tra le WL e aiuta anche nello scaling orizzontale perché riduce il passo tra i fori di memoria (che in letteratura vengono chiamati "memory hole (MH)").

aled1974

15-07-2025, 08:27

Ti ringrazio.. certo, capisco.
L'uso computer è medio/intenso.. ma più che altro la nuova mainboard ha preinstallati dei pad termici sugli slot degli m.2.

Quindi sono in dubbio... devo lasciarli?

Ma più che altro c'è lo slot primario m.2 che ha il pad termico sopra e sotto... devo metterci un m.2 particolare o tutti vanno bene?

i pad se ci sono meglio lasciarli li dove sono :mano:

tutti gli ssd "lisci", ovvero quelli che vengono venduti senza un loro specifico dissipatore, andranno bene :)

ripesco la solita foto del sabrent pcie4:

https://i.postimg.cc/K1BpxXX8/sabrent-rocket-4.jpg (https://postimg.cc/K1BpxXX8)

se lo compri con il suo dissipatore ufficiale va da se che non dovrai usare quello della mobo che a confronto è un lamierino giocattoloso

ma appunto, nel caso di utilizzo intenso vero

per office/web/videogames, finanche 18h al giorno, l'utilizzo non sarà mai medio-intenso, anzi, l'ssd si gratterà tutto il tempo :D

ciao ciao

gabmac2

16-07-2025, 17:57

è più che altro una curiosità
se un ssd è danneggiato, recuperare i dati è più complicato rispetto ad un HDD?
ovviamente solo per sapere
grazie

Black (Wooden Law)

16-07-2025, 18:42

è più che altro una curiosità
se un ssd è danneggiato, recuperare i dati è più complicato rispetto ad un HDD?
ovviamente solo per sapere
grazie
Sì, è più complicato, c'è scritto anche in prima pagina (https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=39580116&postcount=1):
A causa del TRIM e del garbage collection una cancellazione di un file avviene molto più velocemente di quanto pensiamo, quindi recuperare un file tramite software come si fa per gli HDD è molto più difficile (se non impossibile) come pratica. Questo è anche il motivo per il quale è sufficiente una formattazione "normale" quando vogliamo vendere il nostro SSD.

gabmac2

16-07-2025, 19:10

Sì, è più complicato, c'è scritto anche in prima pagina (https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=39580116&postcount=1):

grazie per le risposte chiare che fornisci
solitamente creo una VM per dati riservati e account
se dovesse saltare ssd del notebook e deve andare in assistenza.....
più che tranquilli quindi?

Black (Wooden Law)

16-07-2025, 19:32

grazie per le risposte chiare che fornisci
solitamente creo una VM per dati riservati e account
se dovesse saltare ssd del notebook e deve andare in assistenza.....
più che tranquilli quindi?
Sì solitamente son molto difficili da recuperare i dati da un SSD. Abbiamo discusso in passato anche basandoci sulla letteratura scientifica sul fatto che a volte si possono recuperare i dati a seconda della frequenza del garbage collection e della dimensione dei dati ma in linea generale ti direi di stare tranquillo. Poi un secure erase/sanitize fa passare tutte le paure.

Nicodemo Timoteo Taddeo

16-07-2025, 21:18

OK gabmac2 a tra una quindicina di giorni - venti quando per l'ennesima volta rifarai la stessa domanda: è possibile recuperare dati dagli SSD? :) E riceverai la stessa risposta perché ovviamente non è cambiato niente nel frattempo, a presto :D

Black (Wooden Law)

17-07-2025, 06:30

A seguito di un restock ci si aspetta per gli SSD consumer un aumento dei prezzi del 3-8% dopo il 3Q25. Le NAND flash, invece, 8-13%. Fonte: https://www.trendforce.com/presscenter/news/20250709-12638.html.

gabmac2

17-07-2025, 06:47

Sì solitamente son molto difficili da recuperare i dati da un SSD. Abbiamo discusso in passato anche basandoci sulla letteratura scientifica sul fatto che a volte si possono recuperare i dati a seconda della frequenza del garbage collection e della dimensione dei dati ma in linea generale ti direi di stare tranquillo. Poi un secure erase/sanitize fa passare tutte le paure.

grazie
non so se intendiamo la stessa cosa però (immagino di si comunque)
intendevo se il disco "salta", non per cancellare in maniera sicura
se dovesse rompersi (non più visibile al sistema) un tentantivo di recupero (di un centro assistenza dedicato) che possibilità di successo ha (molto molto basso suppungo, soprattutto verso una VM)?

@Nico
se hai letto la domanda era riferito al fatto "se il disco si rompe", non per cancellare
poi se non vuoi rispondere puoi lasciare a persone come Black che vogliono farlo, senza intervenire giusto per farlo
basta leggerli i messaggi
come ho scritto, era più che altro una curiosità

Nicodemo Timoteo Taddeo

17-07-2025, 09:12

@Nico
se hai letto la domanda era riferito al fatto "se il disco si rompe", non per cancellare

L'avevo letto ma davo per scontato che se l'SSD (non il disco non c'è niente di rotondo dentro gli SSD) si rompe, non funziona quindi sarebbe ancora più inutile chiedere se è possibile recuperarne i dati. Ma visto che serve risposta per giustificare la presenza sulla discussione una la do:

Sì è teoricamente è possibile recuperare prendendo le singole memorie non rotte e cercando di vedere se è possibile ottenerne qualcosa, ma non ci vuol grande intuito per capire che non è operazione semplice né tanto meno a portata di curioso o smanettone, ma manco di grossa ditta di assistenza computer autorizzata dal produttore. Quella cui mandi il computer per l'assistenza in garanzia.

Immagino comunque che anche questa risposta non sarà sufficiente a placare l'istinto paranoico di qualcuno che legge e tra qualche tot di settimane riproporrà la domanda, magari con altre parole o altra forma ma il succo sempre quello è: È possibile recuperare i dati dai miei ssd? :)

Ed allora la risposta definitiva è sempre solo la stessa: si è possibile. Se vuoi impedirlo smonta l'SSD e frantumalo in millemila pezzettini, poi disperdili in posti diversi senza dire dove, questo è l'unico modo. Perché se consegni uno SSD intero non è escluso al 100% possa finire nelle mani ad esempio di qualche servizio governativo ben preparato ed attrezzato ed i tuoi importantissimi dati saranno recuperabili, almeno in parte.

E così ho risposto nel merito gettando altra benzina nel fuoco della paranoia :D Alla prossima.

gabmac2

17-07-2025, 09:41

il problema non è questo infatti (almeno non completamente)
ci sono persone che svolgono lavori dove trattano dati personali (anche di altri dovendo garantire la privacy)
sul pc (o notebook) di un utente classico, un erase ssd da DiskGenius su HBCD è più che sufficiente
se il disco salta e si manda pc in assistenza, pazienza
se è il notebook di un commercialista ad esempio, vuole essere certo che non si possano recuperare i dati
se ssd si rompe, prima di mandare pc in assistenza vuole essere certo che la possibilità di recupero dei dati sia pressochè nulla (partirà poi da un backup)
mi rendo conto che è al limite della paranoia, ma alcuni vogliono (e devono) essere tranquilli
non so se condividete, solitamente consiglio di mettere i dati riservati su una VM cifrata (se anche dovessero recuperarla non possono fare niente)

Nicodemo Timoteo Taddeo

17-07-2025, 14:19

il problema non è questo infatti (almeno non completamente)
ci sono persone che svolgono lavori dove trattano dati personali (anche di altri dovendo garantire la privacy)

OK ma in realtà tutti trattiamo dati personali nostri e di altri e mica solo su PC. Guardare in tasca dove c'è lo smartphone e riflettere su cosa contiene.

sul pc (o notebook) di un utente classico, un erase ssd da DiskGenius su HBCD è più che sufficiente

E no :) , accennavi a SSD rotto, su uno SSD rotto non puoi eseguire niente, non puoi cancellare niente. Niente erase SSD, inutile Hiren's ecc. ecc.

Mi hai scritto per rimproverarmi che non avevo capito la questione in realtà l'ho capita benissimo da subito e tu invece hai equivocato il discorso generale fatto da "Black (Wooden Law)" che non trattava affatto il tuo scenario proposto. Sì nel caso di SSD rotto quello che ha scritto Black (Wooden Law) è inappropriato, Trim e GC non risolvono un bel niente perché lasciano logicamente intonsi i dati "utili" contenuti nell'SSD, che sono quindi teoricamente ritrovabili.

se il disco salta e si manda pc in assistenza, pazienza

E quindi la domanda era inutile? :confused:

se è il notebook di un commercialista ad esempio, vuole essere certo che non si possano recuperare i dati

Un commercialista non si occupa di rendere irrecuperabili i dati e neppure di inviare in assistenza il suo miniPC guasto acquistato su Amazon o Ebay. Ha un servizio di assistenza tecnica qualificato che si occupa di gestire la parte hardware e software della sua attività, servizio che si assume l'onere di assolvere alla normativa vigente sulla privacy e rispetto del GPDR.

Il tecnico professionale deve sapere come fare per ovviare all'eventualità che i dati sensibili siano accessibili da altri e quindi sceglie lui la politica da attuare che può anche essere quella di inviare in assistenza il PC o Server senza unità di memorizzazione. O cancellarli prima se sono cancellabili. Affari suoi, tocca lui vedersela dato il fatto che intasca la parcella per l'assistenza.

se ssd si rompe, prima di mandare pc in assistenza vuole essere certo che la possibilità di recupero dei dati sia pressochè nulla

Ti ho spiegato come si fa: si consegna la macchina senza unità di memorizzazione o si pensa che la stessa essendo non funzionante non sarà a rischio "prelievi non autorizzati".

non so se condividete, solitamente consiglio di mettere i dati riservati su una VM cifrata (se anche dovessero recuperarla non possono fare niente)

Del tutto sproporzionato come metodo IMHO, esiste la cifratura sulle directory, sui singoli file ma un po' tutti i programmi sensibili su questo argomento offrono sistemi di protezione avanzata basati su credenziali. Anche Excel per dirne uno di diffusione planetaria ti offre da decenni di cifrare i file. E taciamo sulla cifratura degli interi filesystem, opzione offerta su tutti i sistemi operativi odierni, oramai quasi obbligatoria su Windows (Bitlocker), lo diventerà obbligatoria tra non moltissimo... che ormai dovrebbe essere pane quotidiano anche per gli "smanettoni". Usare una VM per questo è sproporzionato come andare a caccia di zanzare col bazooka.

@Liupen

17-07-2025, 15:44

Microsoft sicuro si muove su questo. Prossimamente la criptazione se non lo è già, sarà di default specie sui preinstallati e notebook.

gabmac2

17-07-2025, 17:41

@Nico

abbi pazienza
intendevo dire che se un pc funziona ma ha qualche problema si può procedere con l' erase ssd (prima di mandarlo in assistenza)
se il pc non parte per un problema hw si toglie ssd e si fa erase, con un altro pc
quello intendevo (è ovvio che non si fa erase su un ssd rotto)

inoltre che sia eccessivo cifrare una VM.....poi sono pareri personali
inoltre nutro forti dubbi che si possano inviare notebook in assistenza o chiedere un reso senza unità ssd all' interno
poi che ci possano essere delle Workstation che permettono di essere inviare senza unità di memorizzazione, niente da dire
alla fine l' unica soluzione per essere "certi" di avere un buon grado di sicurezza, probabilmente è la cifratura

Nicodemo Timoteo Taddeo

17-07-2025, 19:28

@Nico

abbi pazienza

Con te ci vuole la pazienza di Giobbe perché ora dici una cosa poco dopo dirai che intendevi dire altro e successivamente sì ma in effetti l'argomento era un altro... :D

intendevo dire che se un pc funziona ma ha qualche problema si può procedere con l' erase ssd (prima di mandarlo in assistenza)
se il pc non parte per un problema hw si toglie ssd e si fa erase, con un altro pc

Puoi fare tutto quello che vuoi, non stai dicendo nulla di particolarmente strano o innovativo, tutto molto ovvio.

quello intendevo (è ovvio che non si fa erase su un ssd rotto)

Eri intervenuto chiedendo sull'ipotesi SSD rotto, "se un ssd è danneggiato", su quello pensavo si dovesse discutere e mi hai rimproverato di non averlo fatto.

inoltre che sia eccessivo cifrare una VM.....poi sono pareri personali

Hai chiesto se condividevamo, ovvio che ricevi pareri personali.

No non è il cifrare la VM che è sproporzionato è l'idea stessa della VM da criptare che è il bazooka per uccidere la zanzara. Se cripti l'intero filesystem è la stessa cosa lato sicurezza con la differenza che non sprecherai risorse hardware per una VM. Poi puoi complicarti la vita quanto ti piace per carità. :)
Tipico dei fanatici della privacy e sicurezza complicarsela fino al punto da ottenere l'effetto contrario a volte, le paure e fobie impediscono un approccio razionale ai problemi.

inoltre nutro forti dubbi che si possano inviare notebook in assistenza o chiedere un reso senza unità ssd all' interno

E quindi capirai che chiedere periodicamente come impedire il recupero dati dagli SSD, guasti o integri, vuol dire non aver capito niente sull'argomento nonostante tante discussioni che hai avuto. Non devi arrivare al come impedire perché non deve servire impedire il recupero. Se hai cose importantissime che non vuoi vengano viste o prelevate mettiti nella condizione di renderle inutili se recuperate. E non dovrai preoccuparti su come impedirne il recupero.

alla fine l' unica soluzione per essere "certi" di avere un buon grado di sicurezza, probabilmente è la cifratura

Esatto.

gabmac2

18-07-2025, 06:34

@Nico

anche con te ci vuole pazienza se per questo
alla fine il discorso che ho fatto all' inizio riferito all' erase era solo per dire, che le situazioni sono diverse
se ssd funziona è una cosa e puoi fare certe cose, se è guasto è un' altra cosa
fortunatamente almeno sul discorso cifratura siamo dello stesso parere

Black (Wooden Law)

21-07-2025, 14:36

A quasi un anno dall’inizio della produzione di massa delle Samsung V9 QLC (https://news.samsung.com/global/samsung-begins-industrys-first-mass-production-of-qlc-9th-gen-v-nand-for-ai-era) è uscito l’ISSCC delle V9 TLC (https://ieeexplore.ieee.org/document/11075032). Questa uscita così “ritardataria” rispetto alle QLC non mi fa altro che pensare che le TLC non siano mai state pronte dall’annuncio delle QLC e che Samsung abbia avuto qualche problema. Ecco perché son fermi con le 236L (visto che le V9 QLC da 286L ancora non ci sono in commercio) da non so quanto.

Parlando delle NAND flash, invece, sono diverse le innovazioni proposte. Prima di tutto Samsung non usa un design a tre deck ma ben due, perché a differenza degli altri produttori (da quanto sappiamo ovviamente) solamente Samsung sta usando l’incisione criogenica (in più ha anche la miglior incisione tra tutti quanti). Questo è un gran vantaggio per costi e quant’altro. Poi, per farla breve, hanno usato un nuovo materiale (“materiale delle sementi”) all’interno del canale in polisilicio per aumentare la dimensione dei grani, hanno rivisto la tecnica di rifinitura dello strato ONO (oxide-nitride-oxide, cioè tunnel layer, Si₃N₃ e blocking oxide layer), hanno reso gli strati ONO meno spessi nelle WL più in alto, ecc. Tutto ciò per ottenere la dimensione di una cella NAND flash più piccola tra tutti che non è assolutamente una cosa da poco. Così facendo si riduce l’interferenza cella a cella e si tenta di mettere più layer possibili.

Ultimo ma non per importanza, Figura 10 e 11 (https://imgur.com/a/Xtv0Wbl). È stato migliorato il data retention di un 12% e la Figura 11 mette in mostra la variazione della tensione di soglia (Vth) con i PEC e le V9 TLC reggono più PEC senza un esagerato cambiamento alle celle NAND flash. Anzi, mi sembra quasi che sia queste V9 TLC che V8 QLC possano reggere 5.000-10.000 PEC (“1E+4”) senza troppi problemi, specialmente le V9 a 10.000 PEC.

Per chiudere il discorso, penso che queste NAND flash da 3.200 MT/s potremmo vederle in un futuro SSD PCIe 5.0 "9200 PRO" (giusto per dargli un nome) o "9100 EVO Plus". Non penso che avrebbero molto senso nel 9100 PRO visto che il suo controller ha canali da 2.400 MT/s e le V8 TLC sono da 2.400 MT/s. Non penso neanche in un futuro SSD PCIe 6.0 visto che come ha detto il CEO di Silicon Motion vedremo il primo Gen6 consumer dal 2030 in poi (e poi per i Gen6 si potrebbe utilizzare le V10 da 4xxL).

P.S.: anche qui si utilizza la stessa tecnologia di Kioxia e Micron per eliminare i fori dummy, quindi si eliminano tutti i fori delle celle NAND flash non utilizzabili perché attraversati da un dielettrico per la separazione dei select gate drain (SGD).

Black (Wooden Law)

21-07-2025, 21:14

Due belle news potenti: Kioxia introduce il primo SSD da 245,76TB (https://www.thessdreview.com/daily-news/latest-buzz/kioxia-introduces-worlds-first-gen-5-245-76tb-nvme-ssd-in-edsff-e3-l-form-factor-for-ai/) e YMTC punta ad un market share del 15% entro il 2026 (15% è quanto Micron, Kioxia e più di SanDisk secondo gli ultimi dati di TrendForce (https://www.trendforce.com/presscenter/news/20250529-12600.html)). L'SSD di Kioxia (formato E3.L) usa NAND flash BiCS8 QLC con die da 2Tb (ovviamente) e package da 32 die, quindi per quella capacità usa 31 chip NAND flash. 32 die per package è un numero importante visto che per tanto tempo siamo rimasti fermi con i package da massimo 16 die.

Per trovare una motivazione a questa scelta di YMTC di prendere un maggior piede nel mercato delle NAND flash penso che ci sia la nuova causa fatta lo scorso mese da YMTC verso Micron. Perché sì, YMTC ha fatto causa a Micron per la terza volta: https://www.tomshardware.com/pc-components/ssds/ymtc-sues-micron-again-now-over-serious-defamation-claims-micron-funded-anti-chinese-tech-misinformation-campaigns-to-get-ahead-says-ymtc. Questa volta però la cosa è più seria: YMTC ha fatto causa perché secondo loro Micron e il gruppo DCI hanno creato il sito web "China Tech Threat (CTT) (https://www.google.com/search?q=China+Tech+Threat&oq=China+Tech+Threat&gs_lcrp=EgZjaHJvbWUyEAgAEEUYExgnGDkYgAQYigUyBggBECMYJzIKCAIQABgTGBYYHjIKCAMQABgTGBYYHjIKCAQQABgTGBYYHjIGCAUQRRg8MgYIBhBFGDwyBggHEEUYPNIBBzI0OWowajeoAgCwAgA&sourceid=chrome&ie=UTF-8)" per diffamare YMTC e gli altri enti della Cina. Per esempio riguardo a YMTC, CTT ha detto che installano degli spyware nei chip dei telefoni con fini militari.
Intanto, Bloomberg (https://www.bloomberg.com/news/articles/2024-01-25/dell-micron-backed-a-group-criticizing-chinese-rivals?embedded-checkout=true) conferma che CTT sia principalmente fondato da Micron e Dell.

Facendo una cronotassi sulla guerra YMTC-Micron:
- 2022: Biden aggiunge YMTC nella lista nera (entity list (https://en.wikipedia.org/wiki/Entity_List));
- 2022: YMTC controbatte bannando i chip Micron dai computer del governo cinese;
- 2023: YMTC fa la prima causa a Micron dicendo che ha infranto 8 brevetti (https://www.tomshardware.com/tech-industry/manufacturing/chinese-memory-maker-ymtc-sues-micron-for-3d-nand-patents-violation) sulle NAND flash;
- 2024: YMTC fa la seconda causa a Micron dicendo che ha infranto 11 brevetti (https://www.trendforce.com/news/2024/07/22/news-china-us-chip-war-escalated-as-ymtc-sues-micron-for-patent-infringement/) sempre sulle NAND flash;
- 2025: YMTC fa la terza causa a Micron dicendo che tramite CTT fanno diffamazione su YMTC e le altre aziende cinesi.

Detto ciò, io nei panni dei produttori un minimo di timore ce l'avrei. Abbiamo visto il potenziale che la Cina ha. YMTC è passata dalle NAND flash a 32L nel 2019 (quando gli altri produttori erano già alle 96L) alle attuali 276L in un nulla, perlopiù ha incominciato ad usare una tecnologia che adesso è vitale per la produzione dei nuovi chip NAND flash e ha ridotto Samsung a chiedere un accordo con lei per l'uso di questa tecnologia (wafer-on-wafer). Poi, come se non bastasse, ha ridotto gli altri produttori a dover far cartello per l'eccessiva diffusione dei prodotti YMTC con un incremento dei prezzi delle NAND flash da non so quanto (e le previsioni continuano ad essere negative (https://www.trendforce.com/news/2025/07/17/news-nand-flash-price-hikes-reportedly-set-for-q3-with-supply-shortage-likely-stretching-into-2026/)) tempo. Infine, per ultimo, è arrivata CXMT nel mercato delle DRAM. Ha iniziato a maggio 2024 vendendo banchi a prezzi bassi e obbligando gli altri produttori ad abbassare i prezzi, entro maggio 2025 è passata dalle DDR4 alle DDR5 in un solo trimestre (!) e tutti i produttori assieme a lei hanno finalmente alzato i prezzi per la scarsa offerta e la bassa produzione delle DDR4.
Come ha fatto CXMT a passare dalle DDR4 alle DDR5 in soli tre mesi tramite la vendita di banchi RAM a bassi prezzi se è un'operazione costosa? Semplicemente ci ha messo tutti i fondi la Cina, più particolarmente con Big Fund (https://en.wikipedia.org/wiki/China_Integrated_Circuit_Industry_Investment_Fund) del progetto Made in China 2025 (https://it.wikipedia.org/wiki/Made_in_China_2025), anche perché non ha avuto abbastanza profitto per attuare la transizione.

La fonte di tutto ciò è l'articolo "Some Clarity on 2025’s DDR4 Price Surge (https://thememoryguy.com/some-clarity-on-2025s-ddr4-price-surge/)" di The Memory Guy.
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Chiudo il discorso citando una parte di un commento di "Jukan" su X (https://x.com/Jukanlosreve/status/1947079433120321831) che riguarda CXMT e YMTC:
Solo due o tre anni fa, la quota di CXMT nel mercato globale della DRAM era così trascurabile da non essere nemmeno rilevata dalle cifre, ma in poco tempo ha rapidamente ampliato le sue linee di produzione e di spedizioni. Secondo le previsioni di Omdia per il prossimo anno, le spedizioni di DRAM di CXMT dovrebbero avvicinarsi a quelle di Micron, il terzo operatore del settore. Per questo motivo le previsioni suggeriscono che l'attuale struttura delle "tre grandi" DRAM (Samsung Electronics, SK hynix, Micron) sarà riorganizzata in futuro in una struttura di "quattro grandi".

Anche per quanto riguarda le memorie NAND, la rapida espansione della produzione di YMTC sta alimentando un eccesso di offerta sul mercato. Mentre le principali aziende come Samsung Electronics, SK hynix, Kioxia e Micron continuano a tagliare la produzione a causa del calo dei prezzi delle memorie NAND, YMTC ha aumentato in modo significativo la produzione della sua fabbrica 2 di Wuhan dal primo trimestre dello scorso anno. La produzione di NAND di YMTC presso la fabbrica 2 di Wuhan ha raggiunto i 130.000 wafer nel secondo trimestre di quest'anno, sulla base dei wafer, più del doppio rispetto ai 60.000 wafer dello stesso periodo dell'anno scorso. Anche la produzione totale di NAND di YMTC è aumentata del 42% rispetto allo stesso periodo dell'anno precedente.

Entrambe le aziende stanno espandendo i loro portafogli non solo ai prodotti di memoria commoditized e più vecchi, ma anche alle linee di prodotti avanzati. CXMT sta facendo progressi più rapidi del previsto nel mercato delle memorie ad alta larghezza di banda (HBM), di cui SK hynix è attualmente leader. CXMT prevede di completare il processo di certificazione per la produzione di massa di HBM3, un prodotto HBM di quarta generazione, entro la fine di quest'anno.

Un funzionario dell'industria dei semiconduttori ha spiegato: "CXMT sta espandendo in modo aggressivo le sue fabbriche di Pechino e Hefei e si prevede che in futuro investirà in attrezzature per il confezionamento di HBM. CXMT ha fissato l'obiettivo interno di produrre in massa HBM di quinta generazione (HBM3E), un prodotto all'avanguardia dominato da SK hynix e Micron, entro due anni".

Nicodemo Timoteo Taddeo

22-07-2025, 14:21

Aspetto il Black Friday per prenderlo a buon prezzo, comincio a star strettino con il 860 EVO Plus da 512 MB, un po' di spazio in più farà certamente comodo :sofico:

https://www.hwupgrade.it/news/storage/questo-ssd-puo-contenere-12500-film-in-4k-ecco-il-mostro-da-245-tb-di-kioxia_141430.html

unnilennium

22-07-2025, 17:46

ed io sono pure andato a vedere il link prima di capire... :mc:

makka

23-07-2025, 07:53

ed io sono pure andato a vedere il link prima di capire... :mc:

Anche io !! :D

@Liupen

23-07-2025, 09:28

@Liupen

23-07-2025, 10:03

Black (Wooden Law)

23-07-2025, 16:18

Boh! Sono un po perplesso su due cose riguardo questo ssd (certamente da data center e AI) di Kioxia.

La prima cosa è: quale controller usano per gestire così tante nand?
È un controller apposito? Un mix di controller per la gestione RAID di gruppi di ssd?
Infatti ieri che mi stavo spulciando le presentazioni sugli scorsi FMS ho visto questa (https://files.futurememorystorage.com/proceedings/2024/20240806_SSDT-101-1_Jagatha.pdf) presentazione in cui controller che supportano capacità da 256TB sono proiettati per il 2026 PCIe 6.0 non nel 2025 con PCIe 5.0. Quindi boh, chi lo sa come ha fatto Kioxia a raggiungere 256TB in un solo SSD. L'unica cosa che mi viene da pensare è che abbia messo in RAID due controller come hai detto tu.
La seconda è: si parla anche di un formato 2,5”, ma mi chiedo, come ci stanno una 30ina di chip in quel formato?
No ma il taglio da 2,5'' non supera i 122,8TB, quindi quei 31 chip non esistono in quel caso. Anche il formato E3.S arriva a massimo 122,8TB (che tra l'altro sono comunque tanti per un SSD grande quanto un MX500).

Per questi due SSD, comunque, i chip sono 15 (122,8 / 8 = 15,35) che è un numero già più decente visto che tanti chip NAND flash li abbiamo già visti con i vecchi SATA 2,5'' (esempio super a caso con questo Intel 330 Series (https://www.thessdreview.com/our-reviews/intel-330-series-120gb-sata-3-ssd-review-lsi-sandforce-performance-with-unbeatable-value/) da 120GB).

ChioSa

23-07-2025, 18:07

Salve a tutti, mi consigliate un ssd 2.5 con DRAM? Avevo pensato al Samsung 870 EVO da 500gb? Eventuali alternative? Grazie :flower:

Nicodemo Timoteo Taddeo

23-07-2025, 18:48

Salve a tutti, mi consigliate un ssd 2.5 con DRAM? Avevo pensato al Samsung 870 EVO da 500gb? Eventuali alternative? Grazie :flower:

Hai pensato bene con il Samsung, fino a qualche mese fa come alternativa si dava il Crucial MX500 ma ora è stata cessata la produzione, si trovano ancora in giro ma c'è il rischio di spendere troppo o di farti arrivare qualche esemplare difettoso o ricondizionato per svuotare i magazzini...

@Liupen

24-07-2025, 14:30

Non avevo letto bene.
Una ventina di chip Bics 8 penso sia il limite degli ssd in formato 2,5”.
Sinceramente penso che siano troppi TB persino per un data center, rischiare di perderli tutti insieme per una rottura accidentale, ne un accesso multiplo su tanta memoria per un solo controller possa rendere questi ssd particolarmente utili.
Questi SSD sono utili solo in contesti molto specifici (es. archiviazione fredda ad alta densità con ridondanza esterna), non adatti a workload dinamici o DC x AI

DOC-BROWN

25-07-2025, 11:13

Hai pensato bene con il Samsung, fino a qualche mese fa come alternativa si dava il Crucial MX500 ma ora è stata cessata la produzione, si trovano ancora in giro ma c'è il rischio di spendere troppo o di farti arrivare qualche esemplare difettoso o ricondizionato per svuotare i magazzini...

cioe' .... un colosso come la CRUCIAL ,ha chiuso ? :doh:

Black (Wooden Law)

25-07-2025, 11:17

cioe' .... un colosso come la CRUCIAL ,ha chiuso ? :doh:
Non ha chiuso, semplicemente ha fermato la produzione dell'MX500 essendo SATA III (obsoleto ormai).

DOC-BROWN

25-07-2025, 11:19

Non ha chiuso, semplicemente ha fermato la produzione dell'MX500 essendo SATA III (obsoleto ormai).

appunto mi pare strano ! sono rimasto mi sa indietro , SATA III obloleto ...

quindi ora cosa sono ?

Black (Wooden Law)

25-07-2025, 11:36

appunto mi pare strano ! sono rimasto mi sa indietro , SATA III obloleto ...

quindi ora cosa sono ?
Eh ora gli SSD attuali sono quelli NVMe PCIe, non più SATA III. Ora i SATA III vengono comprati soltanto per vecchi sistemi incompatibili con M.2 PCIe NVMe.

Black (Wooden Law)

25-07-2025, 13:11

@Liupen ma le BiCS9 non dovevano saltare? https://www.techpowerup.com/339276/kioxia-commences-sample-shipments-of-9th-generation-bics-flash-512-gb-tlc-devices.
Le nuove BiCS FLASH 512 Gb TLC di nona generazione, sviluppate con un processo di impilamento a 120 layer basato sulla tecnologia BiCS FLASH di quinta generazione e sulla tecnologia CMOS avanzata, presentano significativi miglioramenti delle prestazioni rispetto agli attuali prodotti BiCS FLASH di Kioxia con la stessa capacità di 512 Gb.
A parte il fatto che 512Gb sono pochi rispetto alle BiCS8 che sono da 1Tb (TLC), ha senso che i gate totali di ogni deck siano 120 perché le BiCS8 hanno 241 gate in totale e quindi 120,5 gate per ogni deck (e ci sono due deck per ogni array NAND flash). Poi di questi 241 gate totali soltanto 218 sono utili alla memorizzazione dei dati e questi calcoli coincidono con quello che dice Block&Files in questo (https://blocksandfiles.com/2025/02/20/kioxia-sandisk-332-layer-3d-nand/) articolo delle BiCS10:
La generazione BiCS 9 di Kioxia e SanDisk utilizzerà una nuova tecnologia di interfaccia NAND nel suo strato logico CMOS accoppiata all'attuale package di celle NAND a 218 layer per ottenere prestazioni più elevate e un consumo energetico inferiore.

Comunque densità inferiori = più die all'interno dell'SSD con maggior interleaving e maggiori performance come sai anche tu, quindi questo potrebbe essere positivo. Però la frase "presentano significativi miglioramenti delle prestazioni rispetto agli attuali prodotti BiCS FLASH di Kioxia con la stessa capacità di 512 Gb" mi fa ridere perché gli unici attuali prodotti da 512Gb sono le BiCS6 e grazie al cacchio che hanno performance superiori le BiCS9, c'è una generazione intera di NAND flash in mezzo...

Non so neanche cosa intenda TPU con "tecnologia BiCS FLASH di quinta generazione" ma vabbè.

DOC-BROWN

25-07-2025, 13:14

Eh ora gli SSD attuali sono quelli NVMe PCIe, non più SATA III. Ora i SATA III vengono comprati soltanto per vecchi sistemi incompatibili con M.2 PCIe NVMe.

interessante , sono vedo rimasto molto indietro , ah ah

quindi in TUTTI i nuovi pc PORTATLI (immagino di qualche anno o ? ) non ci

sono piu dentro SSD sata III ma SOLO quelli piccoli NvMe ?

Black (Wooden Law)

25-07-2025, 13:24

quindi in TUTTI i nuovi pc PORTATLI (immagino di qualche anno o ? ) non ci

sono piu dentro SSD sata III ma SOLO quelli piccoli NvMe ?
Sì, esatto, o NVMe di piccole dimensioni (2230/2242) o NVMe "normali" 2280.

DOC-BROWN

25-07-2025, 13:34

Sì, esatto, o NVMe di piccole dimensioni (2230/2242) o NVMe "normali" 2280.

quindi solo questi 2 formati ....

sbaglio o questi nvme sono MOLTO ma molto piu veloci del calssico

ssd 2.5'' sata III ?

Black (Wooden Law)

25-07-2025, 13:48

quindi solo questi 2 formati ....

sbaglio o questi nvme sono MOLTO ma molto piu veloci del calssico

ssd 2.5'' sata III ?
Sì e il motivo per il quale gli NVMe hanno performance superiori l'ha scritto qui (https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48790152&postcount=23126) Liupen:
E' la differenza tra sata e pcie: sata gestisce un unica coda alla volta (scrivo oppure leggo) e quella coda può avere "solo" 32 richieste I/0
NVMe è un 5G ;) ha la banda larga... può scrivere e leggere in un solo tempo e ognuna di queste migliaia può essere costituita da migliaia di richieste I/0 accodate (il controller di suo non arriverà mai a fornirgliene così tante, ne avrebbe senso perchè le die nand sono un numero esiguo).

Quindi gli SSD SATA possono gestire soltanto un thread composto da massimo 32 richieste I/O mentre gli NVMe sono in grado di gestire fino a 64.000 thread composti da massimo 64.000 richieste I/O. Direi una bella differenza...

Kingston (https://www.kingston.com/en/ssd/what-is-nvme-ssd-technology#:~:text=Because%20NVMe%20utilizes%20PCIe%20sockets,faster%20compared%20to%20AHCI%20drives.) in più dice:
Con i driver AHCI, i comandi utilizzano cicli di CPU elevati con una latenza di 6 microsecondi, mentre i comandi dei driver NVMe utilizzano cicli di CPU ridotti con una latenza di 2,8 microsecondi.

Il driver NVMe comunica direttamente con la CPU del sistema, mentre il driver AHCI deve comunicare con il controller SATA.

DOC-BROWN

25-07-2025, 14:02

Sì e il motivo per il quale gli NVMe hanno performance superiori l'ha scritto qui (https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48790152&postcount=23126) Liupen:

Quindi gli SSD SATA possono gestire soltanto un thread composto da massimo 32 richieste I/O mentre gli NVMe sono in grado di gestire fino a 64.000 thread composti da massimo 64.000 richieste I/O. Direi una bella differenza...

Kingston (https://www.kingston.com/en/ssd/what-is-nvme-ssd-technology#:~:text=Because%20NVMe%20utilizes%20PCIe%20sockets,faster%20compared%20to%20AHCI%20drives.) in più dice:

cavoli ..... davvero il TOP !

;)

Nicodemo Timoteo Taddeo

25-07-2025, 14:03

quindi solo questi 2 formati ....

sbaglio o questi nvme sono MOLTO ma molto piu veloci del calssico

ssd 2.5'' sata III ?

Sono più veloci sì ma non aspettarti che aprendo la finestra e montando uno NVMe al posto di un SATA ti fa volare in un niente sulla luna... :D

Al di là dei benchmark che propongono giustamente numeri impietosi nel confronto, nell'uso normale del PC un utente tipo sta bene ancora oggi con uno SSD SATA di buona qualità. Il fatto che ormai sulle macchine nuove montino solo NVMe può spiegarsi con una questione di vantaggi per il produttore: occupa meno spazio, non richiede connessioni apposite tramite filo o staffette varie, costa uguale o anche meno, inoltre la gente è assuefatta all'idea dei numeri migliori nei benchmark e richiede i numeri più alti anche se non gli servono effettivamente per andare su internet, usare Office, ascoltare musica e vedere film...

aled1974

26-07-2025, 07:29

cavoli ..... davvero il TOP !

;)

repetita juvant: LINK (https://www.youtube.com/watch?v=4YoRKQy-UO4)

ergo ---> nella vita comune del 99,__% delle persone qui dentro (office, web, videogames, film...) cambierà.... pari a nulla :D

però oggi a parità di spesa (visto che i sata li fan pagare assurdamente troppo e ben di più rispetto ad anni fa) e avendone la possibilità, meglio un nvme :mano:

ciao ciao

@Liupen

28-07-2025, 20:39

@Liupen ma le BiCS9 non dovevano saltare? https://www.techpowerup.com/339276/kioxia-commences-sample-shipments-of-9th-generation-bics-flash-512-gb-tlc-devices.

A parte il fatto che 512Gb sono pochi rispetto alle BiCS8 che sono da 1Tb (TLC), ha senso che i gate totali di ogni deck siano 120 perché le BiCS8 hanno 241 gate in totale e quindi 120,5 gate per ogni deck (e ci sono due deck per ogni array NAND flash). Poi di questi 241 gate totali soltanto 218 sono utili alla memorizzazione dei dati e questi calcoli coincidono con quello che dice Block&Files in questo (https://blocksandfiles.com/2025/02/20/kioxia-sandisk-332-layer-3d-nand/) articolo delle BiCS10:

Comunque densità inferiori = più die all'interno dell'SSD con maggior interleaving e maggiori performance come sai anche tu, quindi questo potrebbe essere positivo. Però la frase "presentano significativi miglioramenti delle prestazioni rispetto agli attuali prodotti BiCS FLASH di Kioxia con la stessa capacità di 512 Gb" mi fa ridere perché gli unici attuali prodotti da 512Gb sono le BiCS6 e grazie al cacchio che hanno performance superiori le BiCS9, c'è una generazione intera di NAND flash in mezzo...

Non so neanche cosa intenda TPU con "tecnologia BiCS FLASH di quinta generazione" ma vabbè.

Si, sulle Bics che saltavano una gen, l'avevo letto anch'io mi pare... :boh:

Leggendo il comunicato Kioxia https://americas.kioxia.com/en-us/business/news/2025/memory-20250724-1.html

"Prodotti BiCS FLASH™ di nona generazione: raggiungono elevate prestazioni a costi di produzione ridotti sfruttando la tecnologia CBA (CMOS direttamente legato all'array),² che integra le tecnologie delle celle di memoria esistenti³ con la più recente tecnologia CMOS."

con

2: Tecnologia in cui ogni wafer CMOS e ogni wafer di matrice di celle vengono realizzati separatamente nelle loro condizioni ottimizzate e poi uniti insieme.

3: FLASH BiCS di quinta generazione a 112 stratiTMe 218 strati BiCS FLASH di ottava generazione. La nuova gamma di memorie BiCS FLASH di nona generazione i prodotti ne integreranno uno, a seconda del modello.

e

La nuova BiCS FLASH di nona generazioneTMLa TLC da 512 Gb, sviluppata utilizzando un processo di impilamento a 120 strati basato sulla tecnologia BiCS FLASH™ di quinta generazione e sulla tecnologia CMOS avanzata, presenta significativi miglioramenti delle prestazioni rispetto all'attuale BiCS FLASH di Kioxia⁴ con la stessa capacità di 512 GB.

4: BiCS FLASH™ di sesta generazione, che implementa lo stesso prodotto TLC da 512 Gb di questo prodotto.

Sembra quasi che abbiano preso le vecchie BICS 5 in magazzino che avanzavano (magari erano pieni i magazzini di nand invendute) e le abbiano sottoposte a bonding per ottenere nand immediatamente sfruttabili con un CMOS attualizzato(CBA) che permettesse (non credo alla pubblicità del "sono più veloci", se non sono le BICS 8 che infatti sono previste.. ma sicuramente) di stare al passo con le attuali in mercato.

Sulla densità, se intendi la frase: "Densità di bit: aumentata dell'8% grazie ai progressi nel ridimensionamento planare"
si intende sempre la solita riduzione della densità X-Y grazie all'avvicinamento delle celle e migliorante dei tagli di isolante. La tecnologia usata nelle BICS 8, appunto, certo che sono furboni a compararle alle BICS 6 :D

Che te ne pare?

Una stranezza; scrivono: "Kioxia ha inoltre confermato che la TLC da 512 Gb funziona a velocità di interfaccia NAND fino a 4,8 Gb/s⁵ in condizioni dimostrative."

Cioè... è stano che una news ufficiale KIOXIA scriva "ha confermato" e non direttamente una frase tipo: "La TLC da 512 Gb funziona a velocità di interfaccia NAND fino a 4,8 Gb/s⁵ in condizioni dimostrative."

Black (Wooden Law)

28-07-2025, 23:20

Che te ne pare?
Penso che siano delle BiCS5 (neanche BiCS6...) overcloccate con CBA sinceramente... anche se un I/O di 4.800 MT/s non ce l'hanno neanche le BiCS8 (perché infatti ce l'hanno le BiCS10 (https://www.hwupgrade.it/news/storage/l-ssd-del-futuro-esiste-gia-ecco-come-kioxia-cambiera-il-mondo-dei-dati_139578.html) da 332L) e mi fa abbastanza ridere che ce l'abbiano ste NAND flash campata all'aria da 112L. Motivo della loro esistenza? Non lo so, da quel che leggo mi sembra che Tom's Hardware (https://www.tomshardware.com/pc-components/storage/kioxia-and-sandisk-start-shipping-bics9-3d-nand-samples-hybrid-design-combining-112-layer-bics5-with-modern-cba-and-ddr6-0-interface-for-higher-performance-and-cost-efficiency) dica che sono per enteprise ("BiCS9 adotta un approccio più ottimizzato in termini di costi, prendendo di mira gli SSD aziendali costruiti per carichi di lavoro d'IA e soluzioni di storage di medio livello in cui l'efficienza e l'equilibrio delle prestazioni sono fondamentali") ma visto che non c'è traccia di loro neanche nella roadmap (https://www.hwupgrade.it/immagini/kioxia-memorie-futuro-1-10-06-2025.jpg) di Kioxia mi viene da pensare che abbiano avuto qualche problema di scorta/spedizione delle BiCS8.
Una stranezza; scrivono: "Kioxia ha inoltre confermato che la TLC da 512 Gb funziona a velocità di interfaccia NAND fino a 4,8 Gb/s⁵ in condizioni dimostrative."

Cioè... è stano che una news ufficiale KIOXIA scriva "ha confermato" e non direttamente una frase tipo: "La TLC da 512 Gb funziona a velocità di interfaccia NAND fino a 4,8 Gb/s⁵ in condizioni dimostrative."
Sì una frase del genere non l'abbiamo mai letta, né da Kioxia né dagli altri produttori. Comunque ecco perché i die son soltanto da 512Gb (TLC, non so manco se esisteranno in QLC): le NAND flash son da 112L, non 218L...

Black (Wooden Law)

29-07-2025, 21:31

Segnalo l’ottimo P51 (https://www.amazon.it/SK-Platinum-intensivi-Compatibile-Notebook/dp/B0F51XLPV8/ref=mp_s_a_1_2?crid=3U83CUSNF1WJT&dib=eyJ2IjoiMSJ9.0vs0uSe1RxAJX1iCUzOQ0GGMhoOZfowfvdtWfhMrn-zE3f1xFVwZjl_zqYRrykDXhBhI7VFlQ030YwAwcW5eZ7MARAUbDvkhNwdJmXmAmuMxh_o0_au5TWov82UtPeMlrPVzbuNcASo68u728I6evw22U7UkhqZ9VXB_SdOqQVp8C64mdMnYIx7fTNdBBFH7JTKXSb4Kq49cGBuZ_3TsRQ.VBiQNOXW-3F3W1KqsfkNBmOeZwzP2mb72WthzmhAHrA&dib_tag=se&keywords=P51+1TB&qid=1753821101&sprefix=p51+1tb%2Caps%2C91&sr=8-2&ufe=app_do%3Aamzn1.fos.4ed3ebda-5e83-4808-af48-7e08fa6b1d8b) a 147 € (1TB). A mio parere un SSD migliore del T705 e del Fury Renegade G5 e a questo prezzo senza dubbio il miglior Gen5 in rapporto qualità-prezzo.

sbaffo

30-07-2025, 08:07

megthebest

30-07-2025, 08:49

Stica, a quel prezzo stava il P41 ma 2TB... in pratica costa il doppio. Ok che va il doppio (nei bench), però che prezzi.
e credo che peggio verrà con i vari aumenti che pian piano arriveranno su nand e impatti vari dei dazi:confused:

Black (Wooden Law)

30-07-2025, 10:19

Stica, a quel prezzo stava il P41 ma 2TB... in pratica costa il doppio. Ok che va il doppio (nei bench), però che prezzi.
Lo segnalo più che altro perché è il primo SSD superiore al T705 (che è stato l'unico SSD PCIe 5.0 che ho consigliato finora per rapporto qualità-prezzo) che scende ad un prezzo decente. Vero che costa quanto gli SSD PCIe 4.0 di fascia alta da 2TB ma questo mi sembra chiaramente un segno che anche i Gen5 si stiano adattando ai prezzi di mercato.
e credo che peggio verrà con i vari aumenti che pian piano arriveranno su nand e impatti vari dei dazi:confused:
Adesso più che un aumento dei prezzi causati dai dazi sembra esserci il problema di penuria di Bismaleimide-Triazine (BT), un tipo di resina usato per i substrati nei package BGA (quelli attuali usati). Infatti, citando DigiTimes (https://www.digitimes.com/news/a20250729PD208/phison-2025-materials-packaging-demand.html) (qui (https://x.com/Jukanlosreve/status/1950072338437067125) l'articolo completo):
Poiché le materie prime per i substrati IC devono affrontare la carenza, la fornitura di substrati BT continua a restringersi. Ciò ha portato a carenze di materiale negli IC di imballaggio flash e SSD. Il CEO di Phison Khein-Seng Pua ha dichiarato che potrebbero verificarsi carenze parziali già dalla metà/fine di agosto 2025. Inoltre, i produttori di memoria a monte stanno spostando le linee di produzione verso prodotti DRAM a margine più elevato, con conseguente uscita flash NAND al di sotto delle aspettative. Si prevede che gli squilibri tra domanda e offerta flash NAND diventeranno più gravi nel 2026.
Quindi c'è penuria di materia prima, un aumento del prezzo di essa (e i costi della resina BT ammontano a più de 30% nel packaging BGA) e perlopiù una focalizzazione da parte dei produttori sulla DRAM (come se il taglio di produzione delle NAND flash da inizio anno non fosse abbastanza).

Le aspettative sono negative anche per il 2026:
Data la forte domanda sostenuta, Pua ritiene che la situazione della carenza di fornitura di flash NAND peggiorerà nel 2026.

Black (Wooden Law)

30-07-2025, 18:52

Rilasciato il primo SSD PCIe 6.0 del mondo: Micron 9650 PRO e 9650 MAX (https://www.micron.com/content/dam/micron/global/public/products/storage/ssds/data-center/9650/9650-nvme-ssd-product-brief.pdf) che rispettivamente arrivano a massimo 30,72TB e 25,6TB. 28 GB/s in sequenziale e più di 5,5 milioni di IOPS. Questi SSD sono vertically-integrated, cioè i componenti sono interamente costruiti da Micron: controller, NAND flash (che sono le G9 TLC, cioè le B68S da 276L) e DRAM. Non penso che abbiamo visto parecchi SSD Micron vertically-integrated, anzi...

@Liupen

31-07-2025, 10:13

Black (Wooden Law)

31-07-2025, 11:20

I/0 QD 32 …niente ancora che possa essere simile a optane suppongo.
Penso proprio di no. Il P5800X da 800GB fa 110.000+ IOPS (https://cdn.mos.cms.futurecdn.net/WfQMcX7V2r7eQSShsUFmeY-970-80.png.webp) in lettura randomica QD1, penso che questi SSD Gen6 arriveranno a un 40.000-50.000 IOPS, nulla di più. Purtroppo non so quanto siano ottenibili risultati da Optane con le NAND flash, mi sa che sono al di fuori dei loro limiti fisici non riuscendo a fornire "bus completi per indirizzi e dati"¹ (https://imgur.com/a/h4MaAuS).
Liquid Cooling, leggo bene?
Oops, mi è scappato di vista. :asd:
Mi sa che non è un buon segno... :sbonk:

Comunque solo nel form factor E1.S c'è la possibilità di raffreddamento liquido. Penso che su sti SSD, sulle loro performance e sul loro nuovo controller avremo più informazioni all'FMS: https://www.storagenewsletter.com/2025/07/30/fms-2025-micron-extends-its-portfolio-of-ssds-with-upcoming-up-to-245tb-drive-up-to-122tb-e3-s-ssd-and-pcie-gen6-data-center-ssd-to-power-ai-revolution/.

DOC-BROWN

31-07-2025, 11:30

Nicodemo Timoteo Taddeo

31-07-2025, 13:07

azz.... 30 TB ??? :doh:

Stanno creando la generazione di SSD necessari per un buon funzionamento di Windows 11 25H2 ed il suo Recall... :D

DOC-BROWN

31-07-2025, 13:09

Stanno creando la generazione di SSD necessari per un buon funzionamento di Windows 11 25H2 ed il suo Recall... :D

azz.... necessita' di ben 30 TB ? :eek:

Nicodemo Timoteo Taddeo

31-07-2025, 13:38

azz.... necessita' di ben 30 TB ? :eek:

Stavo a schezza' dai... :D

Ma mica tanto, già oggi Microsoft dice che per il miglior risultato servono almeno 50 GB disponibili, come ovvio aumenteranno inesorabilmente.

Oh hanno una famelica IA da addestrare, per l'IA ci vogliono SSD da IA no? :sofico:

DOC-BROWN

31-07-2025, 13:55

Un hard disk da 250Mb, era il 1979

Nel 1979 era disponibile un hard disk da 250MB. Era un dispositivo ingombrante e costoso, con un peso di circa 250 kg e un costo di decine di migliaia di euro.

Un hard disk da 250MB era considerato molto capiente per l'epoca, considerando che il primo hard disk IBM del 1956, con 50 dischi da 24 pollici, conteneva solo 5MB.

I 250 kg di peso e le dimensioni notevoli rendevano questo hard disk adatto solo a grandi aziende e organizzazioni, non certo a un uso personale o domestico.

Solo un anno dopo sarebbe uscito il primo hard disk che superava 1Gb, sempre da parte di IBM, si chiamava IBM 3380.

Confrontando con le memorie attuali, una scheda micro-SD da 256 GB pesa solo 0.4 grammi.. Questa rapida evoluzione tecnologica testimonia il progresso dell'informatica in pochi decenni.

foto da vedere , 250 kg per soli 250 MB !!!! ah ah

https://i.postimg.cc/ryndhCFk/xxxxxxxxxxx.jpg (https://postimages.org/)

Nicodemo Timoteo Taddeo

31-07-2025, 13:58

DOC-BROWN

01-08-2025, 13:10

Nel mio primo PC, un Olivetti, l'hard disk montato dentro era da ben 20 megabyte e mi sentivo privilegiato rispetto a chi andava solo con i floppy disk. Quelli con la custodia di cartone... :)

Quante cose ci mettevo dentro quell'HD e rimase sempre dello spazio libero.

azz.... non ricordavo che i HDD erano solo da 20 Mb ...

mentre i floppy se ricordo bene erano prima da 760 Kb e poi da 1,44 Mb :D

Nicodemo Timoteo Taddeo

01-08-2025, 13:51

azz.... non ricordavo che i HDD erano solo da 20 Mb

"Il Seagate modello ST-506 è stato il primo hard disk drive da 5,25 pollici. Introdotto nel 1980[1], memorizza fino a 5 MB di dati dopo la formattazione. "

https://it.wikipedia.org/wiki/Seagate_ST-506

mentre i floppy se ricordo bene erano prima da 760 Kb e poi da 1,44 Mb :D

Questo per i floppy disk da 3.5 pollici, quelli con la custodia di plastica. Quelli con la custodia di cartone meno, anche molto meno. I primi che vidi erano da 160 KB...

Chiudo qui l'OT, scusandomi con gli altri eventuali lettori se ho disturbato :)

Black (Wooden Law)

01-08-2025, 22:31

Rumpelstiltskin

02-08-2025, 21:13

So che il thread è ssd ma ho una domanda al limite della legalità: avete esperienze dirette con box esterni Thunderbolt 5 da 80gb e dischi nvme?

Gundam1973

03-08-2025, 21:19

Qualche tempo fa chiesi consiglio per un nvme pcie4 e mi consigliaste il P41 di Hynix da 2tb.

Preso ieri, schiaffato dentro e reinstallato tutto da zero visto che erano anni che il mio SO era solo sovrascritto! Fatto qualche bench e mi rispecchia i valori di targa...forse un filo meno...ma tanto sono numeri molto relativi! Ma sempre meglio averli che no.... :D ma soprattutto si mangia il vecchio quasi del doppio, visto che era un Crucial P5+ da 512!

Sinceramente sono molto soddisfatto preso a 149 sull'amazzone, probabilmente in giro si trova anche a meno ma preferisco l'amazzone per ovvi motivi!

Pero voglio raccontarvi l'altalena di brividi che mi hanno accompagnato dalla consegna fino all'apertura dell'ssd:

Ordino il P41 e contestualmente un box esterno per metterci dentro il P5+ che vado a sostituire dopo anni di onorato servizio.
Amazon raggruppa la spedizione e infila i due pacchetti dentro la classica busta di cartone marrone mezza rigida che bisogna strappare la striscia per aprirli. Ora vi spiego il perche di questa specificazione.

Alle 17 mi suona il citofono e rispondo al corriere che scendo subito, il tempo di scendere 5 piani, con anche il culo di trovarmi l'ascensore al piano e al portone non c'è nessuno...neanche un furgoncino delle consegne che va via in lontananza...nulla...il deserto...rimango perplesso. :stordita: :mbe:

Ricontrollo al volo sul cellulare e lo stato mi da consegnato!

Cribbio è successo?:muro:

Torno indietro verso l'ascensore gia cliccando per l'assistenza amazon, quando vedo il di cui sopra plico, appoggiato sul corrimano delle scale!
Ripongo immediatamente il cellulare tirando un sospiro di sollievo e lo prendo, lo giro per strappare la famosa linguetta....ma scopro che non è proprio chiuso! Nel senso che è completamente aperto, non incollato....azzz...ripiombo nello sconforto!:muro: :muro:

Ecchelallà...m'hanno solato l'ssd...ecco perchè il tizio è scappato che Bolt spostati!

Guardo dentro e vedo due pacchetti, prendo quello sopra ed era il box per ssd che metto subito via e prendo la scatolina dell'ssd.

Me la guardo sui sigilli per vedere se fosse stata aperta ma per scendere di corsa avevo lasciato gli occhiali su, quindi mi limito a cercare di capire se fosse manomessa o meno perche sembrava intonsa! Intanto l'ansia sale, una volta a casa inforco gli occhiali ed esamino ogni cm del pacchetto che risulta essere perfettamente integra in tutti i suoi sigilli, sia sopra che sotto!

Tiro definitivamente un sospiro di sollievo e scongiuro la "sOla" ricevuta...quindi con il coltellino taglio i sigilli e apro la scatolina.:D :sofico:

Estraggo il blister interno che piano piano esce e.....non c'è l'ssd...CA%%O!!!! :muro: :ncomment: :what:

Rimango con questo blister di cartone pressato in mano..con quella che al centro sembra l'alloggiamento per un SSD NVME...VUOTA!
Ripiombo nello sconforto....MI HANNO SOLATO!:mad: :mad: :mad:

Riprendo immediatamente il cellulare in mano per controllare che le varie foto che avevo fatto al pacco in questi passaggi ci fossero tutte...prendo il blister vuoto e lo piazzo sulla scrivania per scattarne altre ma in questo movimento sento come se la parte sotto del blister si muovesse....:mbe: :mbe:

Insomma per farla breve il blister era perfettamente accoppiato tipo scatola cinese sottovuoto che creava il classico alloggiamento sopra...ma io dico...ma fallo trasparente o almeno un'asola dove si vede che dentro c'è qualcosa anche perche l'ssd non pesa nulla!! CRIBBIO!:stordita: :stordita:

Cmq il papiro solo per chiedere scusa pubblicamente al corriere amazon che si è beccato qualche improprio di troppo in questa mezz'oretta di tribolazioni!
Un UP per lui!
:sofico: :sofico:

aled1974

04-08-2025, 09:14

tzk

io per le consegne ormai mi affido solo ai locker/tabacchini e nonostante questo a inizio anno il corriere amz mi ha ciulato il nuovo cavo dp :muro:

invece per la posta con consegna affidata a terzi è un pianto... manco suonano più il campanello, arrivano, senza spegnere il furgone abbassano il finestrino e lanciano i pacchi al di la del muretto :incazzed:

visto una volta per caso un giorno di persona, dopo averne trovati diversi in giardino. Sono andato a protestare all'ufficio postale con tanto di descrizione mezzo e parte della targa.... risposta?

"non possiamo farci niente"

che Paese di M che è il nostro a livello di ed. civica

fine OT, scusate e continuiamo con gli ssd :D

ciao ciao

Nicodemo Timoteo Taddeo

04-08-2025, 09:30

tzk
che Paese di M che è il nostro a livello di ed. civica

Direi che l'educazione civica c'entra fino ad un certo punto :) In realtà si tratta di aziende di trasporto e consegna che cercano di arraffare quanti più denari possibili. Pochi corrieri cui assegnare un sacco di consegna l'uno, vuol dire poche spese ed introiti sicuramente superiori se dovessero pagare qualche corriere in più.

Il corriere non ha materialmente il tempo per bussare, aspettare che gli rispondono, che aprano la porta per poter consegnare il pacco, ha altre trentasette consegne prima di sera da fare, quindi lancia il pacco e chi s'è visto s'è visto.

Del resto è anche un po' colpa nostra che apprezziamo "consegna gratis"...

aled1974

04-08-2025, 09:40

hai ragione, non è l'educazione civica in questo caso (anche se per me è anche quella)

la consegna non è gratis e non lo era per gli altri "lanci", e di grazia che finora non si è mai rotto nulla. O intendevi che se il corriere amz ruba sulle consegne è perchè ho pagato il prime e quindi è giusto così, zitto e muto?

se poi a prescindere da chi/cosa è colpa mia, vabbeh, prendiamone atto :doh:

la considerazione finale per me non cambia, sarà che passati i 50 la prospettiva oltre che in avanti comincia ad essere rivolta anche all'indietro, ma IMHO la direzione in cui stiamo andando è sconfortante... non per me che ormai... ma per i nostri (attuali) ragazzi

ciao ciao

e davvero fine OT :ave:

Black (Wooden Law)

05-08-2025, 13:42

Sandisk chiama il proprio SSD da 256TB "UltraQLC": https://www.techpowerup.com/339621/sandisk-showcases-ultraqlc-technology-platform-with-milestone-enterprise-ssd-capacity. Ovviamente non usa delle NAND flash QLC potenziate come potrebbe suggerire il nome, è semplicemente il nome del modello.

Anche Micron ha detto di avere un SSD da 245TB sottomano (6600 ION): https://www.storagenewsletter.com/2025/07/30/fms-2025-micron-extends-its-portfolio-of-ssds-with-upcoming-up-to-245tb-drive-up-to-122tb-e3-s-ssd-and-pcie-gen6-data-center-ssd-to-power-ai-revolution/.

Alla fine @Liupen si sbagliava l'articolo di TheSSDReview che avevo linkato sul Kioxia LC9 da 245,76TB, questa capacità è stata raggiunta anche nel form factor U.2 (2,5'', come i soliti SSD SATA che conosciamo) secondo questo (https://europe.kioxia.com/en-europe/business/news/2025/20250722-1.html) articolo di Kioxia:
Fino a 245,75 TB nel form factor 2,5 pollici e E3.L

Non ho idea di come abbiano messo 31 die da 2Tb ciascuno in quelle dimensioni però aspettiamo il FMS in questi giorni che inizia oggi alle 17:30 italiane.

@Liupen

07-08-2025, 11:20

Succede anche a me. A volte, con i pacchi piccoli, il corriere neanche aspetta che scendi per il ritiro, te lo devi cercare nei pressi dell'androne condominiale :rolleyes:

Sandisk chiama il proprio SSD da 256TB "UltraQLC": https://www.techpowerup.com/339621/sandisk-showcases-ultraqlc-technology-platform-with-milestone-enterprise-ssd-capacity. Ovviamente non usa delle NAND flash QLC potenziate come potrebbe suggerire il nome, è semplicemente il nome del modello.

Anche Micron ha detto di avere un SSD da 245TB sottomano (6600 ION): https://www.storagenewsletter.com/2025/07/30/fms-2025-micron-extends-its-portfolio-of-ssds-with-upcoming-up-to-245tb-drive-up-to-122tb-e3-s-ssd-and-pcie-gen6-data-center-ssd-to-power-ai-revolution/.

Alla fine @Liupen si sbagliava l'articolo di TheSSDReview che avevo linkato sul Kioxia LC9 da 245,76TB, questa capacità è stata raggiunta anche nel form factor U.2 (2,5'', come i soliti SSD SATA che conosciamo) secondo questo (https://europe.kioxia.com/en-europe/business/news/2025/20250722-1.html) articolo di Kioxia:

Non ho idea di come abbiano messo 31 die da 2Tb ciascuno in quelle dimensioni però aspettiamo il FMS in questi giorni che inizia oggi alle 17:30 italiane.

Stò leggendo... è sembra, amico mio, che ci sia il "trucco" :D

Adesso citano un "154 BGA, un'altra novità assoluta nel settore" e continua "memoria avanzata e tecnologia CBA consente di ottenere8 TB in un piccolo pacchetto".

A questo punto occorre trovare info su struttura e dimensioni di questo BGA.

Premesso
[Ogni die ha 2 Tb, essendocene 32 per chip, sono 64Tb per BGA (chip) = 8 TB --> 31 chip.]

Considerando che
11,5 mm × 13,5 mm footprint (stando a StorageReview) circa 28 % più piccolo rispetto al 152‑BGA (credo siano le tipiche delle BICS 8)

Ho fatto una simulazione, tanto per...

https://i.ibb.co/Q3Bb0jYD/as.png (https://ibb.co/Q3Bb0jYD)

Black (Wooden Law)

07-08-2025, 11:47

A quanto pare l’SN5000 non bastava, serviva un SN5100… https://www.techpowerup.com/339499/western-digital-wd-blue-sn5100-m-2-nvme-ssd-pictured?amp. Non sappiamo nulla tranne che nel taglio da 500GB la lettura sequenziale è di 6,6 GB/s, quindi fascia medio-alta (penso che la scrittura sequenziale sia di circa 5,5-6,0 GB/s). QLC? Boh. TLC? Boh. Controller? Boh. Le nuove NAND flash Kioxia BiCS9? Boh. Tutto un mistero, non so neanche come abbia ottenuto queste informazioni e immagini TPU che su internet non c’è traccia di ‘sto SSD… :asd:
Con performance da 7,3 GB/s in lettura sequenziale e NAND flash BiCS8 QLC sembra essere un SN7100 in versione QLC: https://www.thessdreview.com/computex-2025/sandisk-announces-sn5100s-gen4-client-ssd-which-may-be-the-ultimate-ultrabook-ssd/.
Stò leggendo... è sembra, amico mio, che ci sia il "trucco" :D

Adesso citano un "154 BGA, un'altra novità assoluta nel settore" e continua "memoria avanzata e tecnologia CBA consente di ottenere8 TB in un piccolo pacchetto".

A questo punto occorre trovare info su struttura e dimensioni di questo BGA.

Premesso
[Ogni die ha 2 Tb, essendocene 32 per chip, sono 64Tb per BGA (chip) = 8 TB --> 31 chip.]

Considerando che
11,5 mm × 13,5 mm footprint (stando a StorageReview) circa 28 % più piccolo rispetto al 152‑BGA (credo siano le tipiche delle BICS 8)

Ho fatto una simulazione, tanto per...

https://i.ibb.co/Q3Bb0jYD/as.png (https://ibb.co/Q3Bb0jYD)
Figo Liupen, grazie! Ha assolutamente senso quello che dici e alla fine sembra un SSD SATA dei vecchi tempi come avevo citato in qualche commento prima.

Mi immagino soltanto il calore che esca da quel gigante array RAID di NAND flash e dal controller che deve gestire tutti quei die NAND flash... :mc:

Black (Wooden Law)

07-08-2025, 17:30

Questa la ritengo una notizia non da poco: https://www.ithome.com/0/868/770.htm. In poche parole Sandisk ha per ora cancellato il piano della costruzione di una fabbrica di NAND flash da più di 50 miliardi di dollari negli USA per un'"enorme incertezza economica a livello nazionale". Tenendo conto che Sandisk ha le fabbriche in condivisione con Kioxia e che sono tutte localizzate in Giappone non avere una propria fabbrica negli USA colpisce il fatturato causa dazi imposti da Trump (15% (https://edition.cnn.com/business/live-news/us-tariffs-take-effect-08-07-25) sui prodotti giapponesi).

Nicodemo Timoteo Taddeo

07-08-2025, 18:58

Magari hanno fatto bene i conti e deciso che 50 miliardi non sono bruscolini, i dazi per il momento li ammortizzano con il risparmio di spesa per la fabbrica in USA e Trump non dura in eterno... per fortuna :)

Nel senso non che deve volare al creatore ma che in USA si sveglieranno da questo sogno e lo cacceranno via assieme ai suoi sodali dalla casa Bianca. Ricordo che i dazi li pagano chi compra, li pagheranno i cittadini americani.

@Liupen

08-08-2025, 11:39

Gli elementi che concorrono alla decisione di non investire, possono dipendere anche dall'azienda stessa.

La strategia generale di WD è stata quella di scorporare l'azienda trainante che ora si occupa di hdd da quella in perdita che ora fà ssd, puntando sulle tecnologie di memorizzazione su chip per il futuro prossimo, con la previsione che tutti gli investimenti fatti, portino nel 2026 a un sostanziale ribaltamento della situazione: Sandisk acquista quote, mentre WD hdd ne perde (normale andamento del mercato che favorirà gli ssd agli hdd nel settore cluoding, AI, e poi da questo a tutto il "mondo" consumer).

Il Progetto Grid, quello citato per la realizzazione di Fab in Michigan (USA), è dell'agosto 2024, quando ancora c'era un illusione di crescita per WD/Sandisk.
Però non è un progetto partito da WD/Sandisk, quanto un invito dell'amministrazione del Michigan per creare un polo tecnologico e posti di lavoro (nel 2023 la stessa proposta era stata fatta a Micron e prima ancora nel 2021 alla Ford Motor Co.). Vero che c'era stato un primo accordo, ma molto poco vincolante.

A parte questa precisazione di prospettiva, Sandisk, con sede in California, da quando è stata scorporata da WD (24 febbraio 2025) è in forte calo di fatturato (prevedibile, visto che WD hdd era noto essere il settore trainante, ma la ricerca di nuovi investitori non è andata bene come si credeva). Generalmente un -10% sulle vendite consumer, che è parecchio, ed un grosso impegno di investimento per il comparto ricerca e sviluppo (BICS 8, ecc).

La cosa che mi fà sorridere è che tra i "piani" di Sandisk che avrebbero portato soldi cera pure il termine di utilizzo di Windows 10 e nei loro sogni il cambio di hardware/ssd che avrebbero costituito un bacino di acquisti anche dei loro prodotti.
Anche Microsoft, ora si è resa conto che la gente, nonostante le politiche di ostruzionismo che ci sono e ci saranno, non è disposta a spendere soldi in nuovo hardware facilmente.

Sandisk ha effettivamente aumentato i prezzi dopo la fine del terzo trimestre, per combattere il calo di fatturato, ma c'è troppa concorrenza e ciò non stà ripagando in termini di ripresa.
Sandisk e Kioxia puntano alle innovazioni che stanno presentando (rivolto più verso il clouding e l'automazione robotica, automotive) ...vedremo come reagirà il mercato.

Ovvio che non è tempo di investimenti così dissanguanti. Oltre ciò la frase detta dal governatore del Michigan Gretchen Whitmer secondo cui: "la decisione di non investire è causata dalle turbolenze economiche nazionali", si deve vedere anche in ottica politica. Whitmer ha fatto del progetto un punto focale del suo secondo mandato, di certo funziona di più dire: "è colpa di Trump e dei dazi" che non "ho puntato su un azienda in crisi" (Sandisk lo era già l'anno scorso, quindi un investimento così ingente aveva una scarsa percentuale di successo). Inoltre Whitmer, democratica, è naturalmente propensa a dare contro al repubblicano Trump... insomma sono tante le sfaccettature da considerare nel caso Grid, che un buon giornalista dovrebbe considerare.

Parlando della partnership Sandisk/Kioxia, quest'ultima è giapponese per il 33% mentre per oltre il 50% è di proprietà di una società di investimenti che paga le tasse in USA.

Il Chip Act e i dazi, toccano di striscio Micron e Sandisk; sono focalizzati sulle produzioni finite cinesi, taiwanesi, coreane e ovviamente "gli sfruttatori" europei.
O almeno, era così fino a poche ore fà...

La preoccupazione di Sandisk/Kioxia non sono i dazi sui loro prodotti finiti ma le forniture dalla Cina (dazi del 27,5%) che eventualmente arrivano. Il prodotto SSD Sandisk che entra in USA è un loro prodotto a tutti gli effetti.

Questo invece sarà un problema anche per Sandisk https://www.tomshardware.com/tech-industry/trump-announces-100-percent-semiconductor-tariffs-theres-no-charge-for-chips-built-in-the-u-s?

Black (Wooden Law)

08-08-2025, 11:49

A parte questa precisazione di prospettiva, Sandisk, con sede in California, da quando è stata scorporata da WD (24 febbraio 2025) è in forte calo di fatturato (prevedibile, visto che WD hdd era noto essere il settore trainante, ma la ricerca di nuovi investitori non è andata bene come si credeva). Generalmente un -10% sulle vendite consumer, che è parecchio, ed un grosso impegno di investimento per il comparto ricerca e sviluppo (BICS 8, ecc).
Quindi dici che qui (https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48784652&postcount=23098) il CEO ha fatto un commento positivo giusto per pararsi il sedere?

@Liupen

08-08-2025, 12:51

Quindi dici che qui (https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48784652&postcount=23098) il CEO ha fatto un commento positivo giusto per pararsi il sedere?

Non so se il CEO di Sandisk ha rilasciato ultimamente dichiarazioni in merito alla questione.
Se non l'ha fatto gli è andata bene, perchè ora il dover investire in fab in USA diventerà non questione di SE ma di QUANDO.

Non vorrei essere in lui, la situazione per gli investitori è un attimo pesante
https://www.google.com/finance/quote/SNDK:NASDAQ?sa=X&ved=2ahUKEwjn77Dh_PqOAxWLm_0HHRkwG50Q3ecFegQIUBAT

Jackari

08-08-2025, 13:00

Ricordo che i dazi li pagano chi compra, li pagheranno i cittadini americani.

questa l'hai letta sulla stampa pennivendola europea?:D
è molto più complesso di così...
e spesso i dazi li pagano anche i venditori, ovvere le aziende europee e di conseguenza i lavoratori europei

HSH

08-08-2025, 13:09

un ssd esterno economico ma affidabile, vanno bene i sandisk? devo regalarlo per un compleanno ad un ragazzo, uso storage gaming

Nicodemo Timoteo Taddeo

08-08-2025, 13:51

questa l'hai letta sulla stampa pennivendola europea?:D
è molto più complesso di così...
e spesso i dazi li pagano anche i venditori, ovvere le aziende europee e di conseguenza i lavoratori europei

Ma in primo luogo gli acquirenti americani e l'inflazione salirà fregandosene dei pennivendoli e degli operai europei. Trump e gli americani avranno a che fare con i dati economici del loro paese in primo luogo .

Nicodemo Timoteo Taddeo

08-08-2025, 13:55

un ssd esterno economico ma affidabile, vanno bene i sandisk? devo regalarlo per un compleanno ad un ragazzo, uso storage gaming

Puoi indicare disponibilità di spesa e capacità in GB del dispositivo?

Comunque per l'affidabilità se non ti metti nelle mani delle cineserie su Aliexpress, ebay ecc, cioè stai su marche ben conosciute e su venditori affidabili solitamente l'affidabilità c'è.

Black (Wooden Law)

08-08-2025, 14:06

un ssd esterno economico ma affidabile, vanno bene i sandisk? devo regalarlo per un compleanno ad un ragazzo, uso storage gaming

Dipende dal modello di SanDisk ma io andrei con il Kingston XS2000 (https://www.amazon.it/Kingston-XS2000-Portatile-1000G-SXS2000/dp/B09F5YHQ1K/ref=sr_1_30?__mk_it_IT=%C3%85M%C3%85%C5%BD%C3%95%C3%91&crid=3TYCPW6JPKRED&dib=eyJ2IjoiMSJ9.wll7po7O4umCPEhGu3_6HLGIVFnNpXfoZ8rJ_yv33HRED39z4Tugm-JMB6xtSgUwhsWR6zAvQfUNu-CDeNw18P_L1lY5YO5hqYJUpbd21RsQ-kxy_kUIL-7Unl8Y50eKUVlVVGixFMPSszwc-G_j5FcVMBQULPPjYKKDg2nTh6SfCvxsrW_s1k8Au1uSYiOF09QsESskodUCaz42MuWck4EHT6QPizTYrPD9VY1KH4TNO5kqfQ05DBIHFqI5hkLOmXhAkHMoWnC1l5iPJ_HBqOhIe3Qn8YyEU4TIn1Inqok.IFSuUjrK_5EovuVGG_sZLyvedsx66-PI2RdOstzg40Q&dib_tag=se&keywords=SSD%2Besterno%2B1TB&qid=1754657586&sprefix=ssd%2Besterno%2B1tb%2Caps%2C93&sr=8-30&th=1) che è da 20 Gbps.

HSH

08-08-2025, 14:26

Puoi indicare disponibilità di spesa e capacità in GB del dispositivo?

Comunque per l'affidabilità se non ti metti nelle mani delle cineserie su Aliexpress, ebay ecc, cioè stai su marche ben conosciute e su venditori affidabili solitamente l'affidabilità c'è.

direi 1TB 80€ ma se si trova un 2TB a 95€ allora si prende!

Dipende dal modello di SanDisk ma io andrei con il Kingston XS2000 (https://www.amazon.it/Kingston-XS2000-Portatile-1000G-SXS2000/dp/B09F5YHQ1K/ref=sr_1_30?__mk_it_IT=%C3%85M%C3%85%C5%BD%C3%95%C3%91&crid=3TYCPW6JPKRED&dib=eyJ2IjoiMSJ9.wll7po7O4umCPEhGu3_6HLGIVFnNpXfoZ8rJ_yv33HRED39z4Tugm-JMB6xtSgUwhsWR6zAvQfUNu-CDeNw18P_L1lY5YO5hqYJUpbd21RsQ-kxy_kUIL-7Unl8Y50eKUVlVVGixFMPSszwc-G_j5FcVMBQULPPjYKKDg2nTh6SfCvxsrW_s1k8Au1uSYiOF09QsESskodUCaz42MuWck4EHT6QPizTYrPD9VY1KH4TNO5kqfQ05DBIHFqI5hkLOmXhAkHMoWnC1l5iPJ_HBqOhIe3Qn8YyEU4TIn1Inqok.IFSuUjrK_5EovuVGG_sZLyvedsx66-PI2RdOstzg40Q&dib_tag=se&keywords=SSD%2Besterno%2B1TB&qid=1754657586&sprefix=ssd%2Besterno%2B1tb%2Caps%2C93&sr=8-30&th=1) che è da 20 Gbps.

Buono grazie me lo segno

Black (Wooden Law)

08-08-2025, 14:36

direi 1TB 80€ ma se si trova un 2TB a 95€ allora si prende!
Neanche il GiGimundo Donnarumma (https://www.amazon.it/GiGimundo-Magnetico-2TB-Resistente-Compatible/dp/B0DFW1YVLQ/ref=sr_1_2_sspa?__mk_it_IT=%C3%85M%C3%85%C5%BD%C3%95%C3%91&crid=16K5IE78E2M3&dib=eyJ2IjoiMSJ9.2gnykjLEpb0ydlDnteCvYyR4_f4IfnAZfYENJNU-JykPTyeMWW8Tk3g81KP3ecvHi2fgAD8HvJ4OU9tJx4WIiXsxGtb0LKaJe-Y0DACyMjWQGcSonMcy-r174SIoptXRyo6s6FrCM-WSL32tWXyPgTyHyETBfZGef0jXXpI93CT7cSo5DPA1LwZsv_J9wq_pUkL3D80nopQ9Ye7C74Tmf5akeUulaGE1CnFRPNrYvv2ks14-u62wM5B4KKOlhN68NrkvSTeYagXzK4jMMvQWMlEZxPA1nyAo_bZphHxadBs.QZAnvrIhdgQ3jOlTfXAYH1Mi-2xwXBInXpDGv9sXOqM&dib_tag=se&keywords=GiGimundo%2BSSD%2B2TB&qid=1754660081&sprefix=gigimundo%2Bssd%2B2tb%2Caps%2C67&sr=8-2-spons&ufe=app_do%3Aamzn1.fos.4ed3ebda-5e83-4808-af48-7e08fa6b1d8b&sp_csd=d2lkZ2V0TmFtZT1zcF9hdGY&th=1) da 2TB costa 95 euro (e a priori dal prezzo non lo consiglierei mai).

@Liupen

08-08-2025, 14:39

Quindi dici che qui (https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48784652&postcount=23098) il CEO ha fatto un commento positivo giusto per pararsi il sedere?

https://www.investing.com/news/transcripts/earnings-call-transcript-sandisks-q3-2025-revenue-drops-guidance-revised-93CH-4030236

questa l'hai letta sulla stampa pennivendola europea?:D
è molto più complesso di così...
e spesso i dazi li pagano anche i venditori, ovvere le aziende europee e di conseguenza i lavoratori europei

E' una cosa che penalizza proprio tutti.
Occorrerebbe che le alleanze economiche siano flessibili e staccate dalle ragioni politiche e militari per trovare sbocchi alle esportazioni su nuovi mercati, allora si che Trump se lo prenderebbe nel bip!

un ssd esterno economico ma affidabile, vanno bene i sandisk? devo regalarlo per un compleanno ad un ragazzo, uso storage gaming

Meglio i Samsung.

Jackari

08-08-2025, 14:49

E' una cosa che penalizza proprio tutti.
Occorrerebbe che le alleanze economiche siano flessibili e staccate dalle ragioni politiche e militari per trovare sbocchi alle esportazioni su nuovi mercati, allora si che Trump se lo prenderebbe nel bip!

ma mica è detto...
ogni scelta economica ha degli effetti redistributivi . qualcuno ci guadagna e qualcun altro ci perde

nuovi mercati? forse su marte c'è qualcuno che compra... :mbe:
cmq nonso perchè ma mi sembra di essere OT :D

Black (Wooden Law)

08-08-2025, 14:58

https://www.investing.com/news/transcripts/earnings-call-transcript-sandisks-q3-2025-revenue-drops-guidance-revised-93CH-4030236
Male che anche questo trimestre sia stato negativo (anche se c'è in positivo la liquidità secondo quell'articolo). Però hanno appena formato un comitato consultivo tecnico (https://it.investing.com/news/company-news/sandisk-forma-un-comitato-consultivo-tecnico-per-la-nuova-tecnologia-di-memoria-93CH-2917918) con due grandi nomi (David Patterson e Raja Koduri) e annunciato una collaborazione con SK hynix (https://www.tomshardware.com/tech-industry/sandisk-and-sk-hynix-join-forces-to-standardize-high-bandwidth-flash-memory-a-nand-based-alternative-to-hbm-for-ai-gpus-move-could-enable-8-16x-higher-capacity-compared-to-dram) per lo sviluppo di HBF prevedendo il primo prodotto dopo la metà del 2026, forse c'è speranza (anche se mo' che arriva la seconda metà del 2026 ce ne vuole, e poi oltre ad esser solo previsioni è una tecnologia completamente nuova a differenza di HBM che esiste da quasi 15 anni)...

HSH

08-08-2025, 15:53

Meglio i Samsung.

this ?

Samsung MU-PC1T0T/WW T7 - SSD Esterno Portatile da 1 TB, USB 3.2 Gen 2, 10 Gbps

Black (Wooden Law)

08-08-2025, 16:11

this ?

Samsung MU-PC1T0T/WW T7 - SSD Esterno Portatile da 1 TB, USB 3.2 Gen 2, 10 Gbps
Sì, migliore del SanDisk Extreme v2 Portable penso che lo sia anch'io ma non lo ritengo superiore all'XS2000 (l'unica cosa migliore sono le NAND flash ma l'XS2000 ha performance superiori nella cache SLC di 1 Gbps).

DOC-BROWN

10-08-2025, 11:23

scusate OT .....

mentre per le chiavette penDrive USB ... come memorie usate sempre

al TOP le Samsung o ?

P.S. ma usano la stessa tecnologia dei SSD o sono diverse ?

grazieeeee

Nicodemo Timoteo Taddeo

10-08-2025, 12:19

scusate OT .....
mentre per le chiavette penDrive USB ... come memorie usate sempre

al TOP le Samsung o ?

Ogni produttore può produrre chiavette buone, meno buone e scarse. Anche Samsung, quindi non bisogna scegliere andando solo sulla marca.

P.S. ma usano la stessa tecnologia dei SSD o sono diverse ?

Brevemente: viene usata la stessa tecnologia di memorizzazione, memoria Flash di tipo NAND, ma poi rispetto agli SSD manca tutto l'ambaradan che fa il firmware degli SSD: trim, GC, fornitura dei dati SMART ecc.
Considerare anche che se la tipologia di memoria è la stessa, per ottenere prezzi bassi si montano memorie scarse per prestazioni, inevitabile e si arriva al paradosso di chiavette dichiarate 150 MB/s ma che in scrittura vanno a 10 o anche meno...

giovanni69

10-08-2025, 13:03

this ?

Samsung MU-PC1T0T/WW T7 - SSD Esterno Portatile da 1 TB, USB 3.2 Gen 2, 10 Gbps

Ciao @HSH,
in aggiunta alla risposta di Black (https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48840455&postcount=23470),
Vedi anche questo suo post:

https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48823616&postcount=23363

HSH

11-08-2025, 07:53

Ciao @HSH,
in aggiunta alla risposta di Black (https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48840455&postcount=23470),
Vedi anche questo suo post:

https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48823616&postcount=23363

ah grazie ma per il suo uso penso vada bene una cosa ultra basic, anzi stavo pensando di comprare una slittina nvme usb e metterci dentro un ediloca od un orico anche se mi sa si risparmeirebbe poco

@Liupen

11-08-2025, 08:50

ah grazie ma per il suo uso penso vada bene una cosa ultra basic, anzi stavo pensando di comprare una slittina nvme usb e metterci dentro un ediloca od un orico anche se mi sa si risparmeirebbe poco

Sarebbe anche meglio, gli potresti dire che è una soluzioni "espandibile" per il futuro.
I costo siamo li...

HSH

11-08-2025, 08:58

Sarebbe anche meglio, gli potresti dire che è una soluzioni "espandibile" per il futuro.
I costo siamo li...

ho preso due slittine da ali express, se arrivano in tempo per il compleanno cosa protrei prendere , il solito Ediloca EN870 va bene? ricordo ne avevamo parlato tempo addietro ed era uno dei top qualità prezzo (tra i cinesi)

sennò c'è Ediloca EN705 a 99eur di 2tb

giovanni69

11-08-2025, 09:36

@Liupen: a parte le tua esperienza diretta con l'ICY IB-1817M-C31, hai più avuto notizie circa l'IB-1823MF-C31 se 'sia in effetti più efficace nel tenere a bada un nvme performante.'?

@HSH: Se ppuò esserti utile circa EN-870 vedi alcuni post a partire da:
febbraio:
https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48722850&postcount=22620
maggio
https://www.hwupgrade.it/forum/showpost.php?p=48792268&postcount=23130

HSH

11-08-2025, 09:43

ah quindi rischiosetto prendere ediloca .. mananggia a loro

magic carpet

11-08-2025, 09:47

Buongiorno ragazzi!
Mi chiedevo: ma ha ancora senso attivare l'over provisioning sulle unità SSD?
Sul mio 980 Pro è disabilitato; voi lo avete attivato e se sì, a che percentuale?

Grazie :)
M_C

aled1974

11-08-2025, 09:55

IMHO no, e da anni ormai (cioè da quando è uscito w8)

l'importante è lasciare almeno un 15~20% di spazio libero per permettere agli algoritmi di ruotare l'uso delle celle in modo ottimale ;)

ciao ciao

Nicodemo Timoteo Taddeo

11-08-2025, 10:40

Buongiorno ragazzi!
Mi chiedevo: ma ha ancora senso attivare l'over provisioning sulle unità SSD?

Ha senso se sei una delle tante persone che non guardano mai l'occupazione disco ed arrivano prima o poi a riempirlo tutto a loro insaputa.

Se sei un utente consapevole del fatto che il SSD se aggiungi sempre roba senza toglierne prima o poi si riempie tutto e quindi ogni tanto dai un'occhiata e prendi i provvedimenti del caso (cancellare o spostare su altre unità) , puoi tenere disattivato tranquillamente l'over provisioning.

Sul mio 980 Pro è disabilitato; voi lo avete attivato e se sì, a che percentuale?

Sui miei PC lo tengo sempre disattivato, anni fa quando capitava di dover installare SSD su computer non di mio stretto controllo ed in mano ad "utonti" impostavo un venti per cento della capacità dell'SSD.

Black (Wooden Law)

11-08-2025, 11:10

ah quindi rischiosetto prendere ediloca .. mananggia a loro
In realtà non ci sono ancora prove che abbia NAND flash QLC. Ho visto uno smontaggio di recente con NAND flash con S/N simile a NubCake ed è stato confermato essere TLC per le prestazioni. NubCake ha ipotizzato che il suo sample fosse QLC soltanto perché il FID non è andato ma anche nel caso di prima non è andato, eppure sono NAND flash TLC…

Confermo personalmente che per quanto sappiamo l’EN870 è ancora TLC.
Buongiorno ragazzi!
Mi chiedevo: ma ha ancora senso attivare l'over provisioning sulle unità SSD?
Sul mio 980 Pro è disabilitato; voi lo avete attivato e se sì, a che percentuale?

Grazie :)
M_C
Mi chiedo il perché non andrebbe attivato se c’è di default in ogni SSD da boh, il 2012-2013… anche perché parliamo (solitamente) di un 7% che fa comodo all’SSD abbassando il WAF, fornendo blocchi “buoni” sostitutivi a quelli cattivi, ecc…
I discorsi fatti da Nicodemo e aled1974 son giusto per l’amor del cielo, il controller lavora tranquillamente se lasci un po’ di spazio libero, ma dal momento che riduce di poco la capacità utilizzabile dall’utente e offre sia vantaggi prestazionali che durevoli non vedo perché andrebbe tenuto disattivato.

Nicodemo Timoteo Taddeo

11-08-2025, 11:27

Mi chiedo il perché non andrebbe attivato se c’è di default in ogni SSD da boh, il 2012-2013… anche perché parliamo (solitamente) di un 7% che fa comodo all’SSD abbassando il WAF, fornendo blocchi “buoni” sostitutivi a quelli cattivi, ecc…
I discorsi fatti da Nicodemo e aled1974 son giusto per l’amor del cielo, il controller lavora tranquillamente se lasci un po’ di spazio libero, ma dal momento che riduce di poco la capacità utilizzabile dall’utente e offre sia vantaggi prestazionali che durevoli non vedo perché andrebbe tenuto disattivato.

AFAIK (As Far As I Know)

Quello che scrivi tu è la riserva di celle previste dal produttore dell'SSD e su cui l'utente non può influire in alcun modo, non può disattivarlo.

L'over provisioning di cui si sta parlando è quello che alcune utility come Samsung Magician consentono di impostare, uno spazio addizionale e che non è impostato di default.

" How do I set OP?
Depending on the SSD product, some are already over-provisioned by the manufacturer and users cannot access and control
it. However, users can set additional OP areas using several methods - using utility tools (hdparm, etc.), setting unallocated
partitions on the operating system (OS) and using Samsung Magician software (SW"

https://download.semiconductor.samsung.com/resources/others/Samsung_SSD_845DC_04_Over-provisioning.pdf

HSH

11-08-2025, 11:32

In realtà non ci sono ancora prove che abbia NAND flash QLC. Ho visto uno smontaggio di recente con NAND flash con S/N simile a NubCake ed è stato confermato essere TLC per le prestazioni. NubCake ha ipotizzato che il suo sample fosse QLC soltanto perché il FID non è andato ma anche nel caso di prima non è andato, eppure sono NAND flash TLC…

Confermo personalmente che per quanto sappiamo l’EN870 è ancora TLC.

io ne ho uno, come posso testare la cosa senza smontarlo dal PC, c'è modo?

@Liupen

11-08-2025, 12:57

ho preso due slittine da ali express, se arrivano in tempo per il compleanno cosa protrei prendere , il solito Ediloca EN870 va bene? ricordo ne avevamo parlato tempo addietro ed era uno dei top qualità prezzo (tra i cinesi)

sennò c'è Ediloca EN705 a 99eur di 2tb

Se voui stare contenuto sul prezzo, vedo un Fikwot FN955 a 112 € Patriot Viper VP4300 Lite a 118 €
Penso possa bastargli.
Se è un fissato per la velocità ecc, allora devi prendere box da 20 Gbps e un ssd nvme con DRAM.

@Liupen: a parte le tua esperienza diretta con l'ICY IB-1817M-C31, hai più avuto notizie circa l'IB-1823MF-C31 se 'sia in effetti più efficace nel tenere a bada un nvme performante.'?

Ma sai che ho sempre il IB-1823MF-C31 tra la lista acquisti su amazon?
Non torna acquistabile, purtroppo.
Mi piace ne avrei acquistato volentieri uno.

Buongiorno ragazzi!
Mi chiedevo: ma ha ancora senso attivare l'over provisioning sulle unità SSD?
Sul mio 980 Pro è disabilitato; voi lo avete attivato e se sì, a che percentuale?

Grazie :)
M_C

Io, se non è un ssd con sistema operativo, non stò più attivando OP ne a me ne a quelli su cui metto mano.
Basta avere l'accortezza di non riempirli troppo (ad esempio Windows in "This PC" cambia colore ad device quando troppo pieno).
Vero anche che NON acquisto/uso ssd Dramless o con cache di scrittura troppo grandi, ed il mio uso è prevalentemente in lettura.
Quì si tratta di un 980 Pro, un buon prodotto che difficilmente rallenta in scrittura anzitempo.

aled1974

11-08-2025, 13:06

concordo con NTT :mano: , un conto è la riserva out-of-space inutilizzabile dagli os/utenti, un conto è l’over-provisioning da utility sw del produttore

del tutto inutile da utilizzare, almeno si spera per i frequentatori e utilizzatori di un sito tech come questo*

l’op by-software si rendeva, non dico necessario, ma sicuramente utile per OS pre w7 sp2 dove l’os non dialogava con gli ssd mancando anche la funzione basilare del trim (figuriamoci GC – WL) ;)

*così come il turbo mode

ciao ciao

HSH

11-08-2025, 13:19

Se voui stare contenuto sul prezzo, vedo un Fikwot FN955 a 112 € Patriot Viper VP4300 Lite a 118 €
Penso possa bastargli.
Se è un fissato per la velocità ecc, allora devi prendere box da 20 Gbps e un ssd nvme con DRAM.

Ha 12 anni cosa vuoi che sappia dei 20gbps :D
quindi FN955 miggliore dell' Ediloca o siamo li?

DOC-BROWN

11-08-2025, 13:22

@Liupen

11-08-2025, 14:13

Ha 12 anni cosa vuoi che sappia dei 20gbps :D
quindi FN955 migliore dell' Ediloca o siamo li?

Dovrebbero corrispondersi se "EN870 è ancora TLC"

scusate il piccolo OT , ma per voi epserti ....

ieri provato tutte e tante pendrive usb nel cassetto da anni , NESSUNA ha

perso malgrado gli anni i dati , ma alcune richiedevano la Correzzione

degli Errori di win !

Come mai sta cosa , e come mai solo alcune ?

Ci sono un paio di aspetti in quello che descrivi e chiedi, che occorre considerare.

La correzione di windows può essere un errore di perdita di dati. Se ho dei dati illegibili perchè il tempo ha cancellato certe celle, windows potrebbe trovare una mappatura con errori e far partire una scansione di correzione degli indici (significa perdere ulteriori dati legati a queste incertezze).
D'altra parte può essere dovuto all'ultima volta che hai usato la pendrive e non hai effettuato correttamente la rimozione sicura hardware.

L'aspetto invece più particolare e che le pendrive ci sono da molto molto prima degli ssd.
Quindi le attuali pendrive non sono certo la "medesima" tecnologia di quelle di 10 o 15 anni fà.
Esempio: sostanzialmente e con buona approssimazione le pendrive anteriori al 2010 hanno celle (grezze) ma di tipo SLC che possono avere dati validi ancora oggi.
Come anche pendrive anteriori al 2015 sono con celle grezze MLC sicuramente migliori rispetto a quelle di oggi.

Nicodemo Timoteo Taddeo

11-08-2025, 14:22

scusate il piccolo OT , ma per voi epserti ....

ieri provato tutte e tante pendrive usb nel cassetto da anni , NESSUNA ha

perso malgrado gli anni i dati , ma alcune richiedevano la Correzzione

degli Errori di win !

Come mai sta cosa , e come mai solo alcune ?

Windows quel messaggio lo da anche con le chiavette nuove a volte...

Apri esplora file e guarda che lettera di unità è assegnata al volume sulla chiavetta USB. Facciamo finta che si tratti di H:, OK?

Apri il pompt dei comandi o power shell, dai uno

chkdsk h:

Il programma chkdsk analizzerà il filesystem presente sul volume H: e dopo ti dirà delle cose, se vedi scritto

Analisi del file system effettuata. Nessun problema rilevato.
Non sono necessarie ulteriori azioni.

Non fare niente. Se vedi scritto dell'altro posta qui tutto quello che è stato risposto nel prompt, tutto dall'inizio alla fine e ne riparliamo.

Ovviamente se la lettera di unità è diversa devi cambiarla nella riga di comando, dovrebbe essere lapalissiano ma meglio precisare mi sa :D

Black (Wooden Law)

11-08-2025, 14:34

AFAIK (As Far As I Know)

Quello che scrivi tu è la riserva di celle previste dal produttore dell'SSD e su cui l'utente non può influire in alcun modo, non può disattivarlo.

L'over provisioning di cui si sta parlando è quello che alcune utility come Samsung Magician consentono di impostare, uno spazio addizionale e che non è impostato di default.

" How do I set OP?
Depending on the SSD product, some are already over-provisioned by the manufacturer and users cannot access and control
it. However, users can set additional OP areas using several methods - using utility tools (hdparm, etc.), setting unallocated
partitions on the operating system (OS) and using Samsung Magician software (SW"

https://download.semiconductor.samsung.com/resources/others/Samsung_SSD_845DC_04_Over-provisioning.pdf
Allora state parlando di un OP in più a quello predefinito, io pensavo che stesse parlando di quello di default che nel caso del 980 PRO da 1TB è del 10% (https://www.techpowerup.com/ssd-specs/samsung-980-pro-1-tb.d47).
In quel caso sì, non ha senso aggiungere altro OP.
io ne ho uno, come posso testare la cosa senza smontarlo dal PC, c'è modo?
Dovresti fare una scrittura intensiva per vedere il livello del crollo delle performance dopo la cache SLC. Se le performance sono al di sotto 400 MB/s (circa) l’SSD è teoricamente QLC, altrimenti TLC. Questo test però andrebbe fatto con SSD sanificato (nel senso che ci devi fare una passata di sanitize cancellando tutti i dati) e con un software come Iometer o FIO su Linux.

aled1974

11-08-2025, 18:50

Allora state parlando di un OP in più a quello predefinito, io pensavo che stesse parlando di quello di default che nel caso del 980 PRO da 1TB è del 10% (https://www.techpowerup.com/ssd-specs/samsung-980-pro-1-tb.d47).
In quel caso sì, non ha senso aggiungere altro OP.

beh, io lo avevo inteso così fin dall’inizio anche perché quello "predefinito" non è accessibile all’os nè all’utente, quindi non puoi decidere tu di averlo, non averlo, quanto averlo :stordita:

ciao ciao

makka

12-08-2025, 10:46

DOC-BROWN

12-08-2025, 10:47

Windows quel messaggio lo da anche con le chiavette nuove a volte...

Apri esplora file e guarda che lettera di unità è assegnata al volume sulla chiavetta USB. Facciamo finta che si tratti di H:, OK?

Apri il pompt dei comandi o power shell, dai uno

chkdsk h:

Il programma chkdsk analizzerà il filesystem presente sul volume H: e dopo ti dirà delle cose, se vedi scritto

Analisi del file system effettuata. Nessun problema rilevato.
Non sono necessarie ulteriori azioni.

Non fare niente. Se vedi scritto dell'altro posta qui tutto quello che è stato risposto nel prompt, tutto dall'inizio alla fine e ne riparliamo.

Ovviamente se la lettera di unità è diversa devi cambiarla nella riga di comando, dovrebbe essere lapalissiano ma meglio precisare mi sa :D

ovvio ! :doh:

ma poi non sarebbe questa cosa che farlo da :

Questo PC, tasto dx e Propieta', Struemnti e poi Controllo Errori ?

non e' la stessa cosa ?

DOC-BROWN

12-08-2025, 10:51

@DOC-BROWN:
Tanto per rimanere su Samsung, io ti consiglio le Usb Pen Drive
della serie "Bar plus". Sono velocissime e affidabili (nel senso che funzionano bene su svariati tipi di dispositivi)
Per mia esperienza singola invece non ti consiglio le "Fit plus", ne uso una in macchina per la musica e ha sempre problemi (e non mi sembra un utilizzo gravoso)

esatto !!! infatti ne ho ben 3 delle bar plus , ottime !

ho preso anche la Fit plus ... dici da noie , magari solo la tua rognosa ?

ma le memorie interne saranno le stesse nelle 2 pendrive o saranno

PEGGIORI nella piccola Fit ?

makka

12-08-2025, 12:25

esatto !!! infatti ne ho ben 3 delle bar plus , ottime !

ho preso anche la Fit plus ... dici da noie , magari solo la tua rognosa ?

ma le memorie interne saranno le stesse nelle 2 pendrive o saranno

PEGGIORI nella piccola Fit ?

Si probabilmente è la mia "difettosa".... sembra un problema di connessione dato che a volte semplicemente sparisce !
Dopo succede quello che succede alle tue usb: windows dice che "è necessario analizzare e correggere il drive" ... a volte corregge qualcosa a volte no.

Nicodemo Timoteo Taddeo

12-08-2025, 13:19

ovvio ! :doh:

ma poi non sarebbe questa cosa che farlo da :

Questo PC, tasto dx e Propieta', Struemnti e poi Controllo Errori ?

non e' la stessa cosa ?

Probabilmente è la stessa cosa ma io preferisco comunque il chkdsk dal terminale che alla fine da molte più informazioni.

mikael84

12-08-2025, 16:17

scusate OT .....

mentre per le chiavette penDrive USB ... come memorie usate sempre

al TOP le Samsung o ?

P.S. ma usano la stessa tecnologia dei SSD o sono diverse ?

grazieeeee

scusate il piccolo OT , ma per voi epserti ....

ieri provato tutte e tante pendrive usb nel cassetto da anni , NESSUNA ha

perso malgrado gli anni i dati , ma alcune richiedevano la Correzzione

degli Errori di win !

Come mai sta cosa , e come mai solo alcune ?

Basta OT!

Black (Wooden Law)

18-08-2025, 12:38

Buongiorno ragazzi.
In 'sti giorni son mancato con le news perché ero in ferie ma ora ci sono.
Le notizie son tante ma le elenco per semplicità:

Future of Memory and Storage (FMS, ex Flash Memory Summit) 2025

Quest'anno si è tenuta la 19ª edizione dell'FMS, un evento sulle memorie e sull'industria dello storage. è importante dirlo perché in questo evento partecipano produttori di SSD come Sandisk e Micron e anche produttori di controller Silicon Motion e Phison oltre a ricercatori e analisti del mercato. Purtroppo non abbiamo ancora le slide di ogni presentazione per gli anni scorsi ma qui (https://futurememorystorage.com/news/press-releases/download/114/FMS%202025%20Best%20of%20Show_FINAL.pdf) c'è la lista dei presentatori con i corrispettivi argomenti. Gli argomenti più interessanti per me sono l'SN8100, "CXL Memory Hackathon & EDSFF E2 Form Factor", "High Bandwidth Flash (HBF)", "Xtacking® 4.0", "LC9 Series 245.76 TB SSD with BiCS FLASH generation 8 Memory", "PM1763 16-Channel PCIe Gen6 SSD" e "Hybrid Bonding for Memory Device".

Recensione dell'SM2504XT

È uscita da poco la recensione sull'SM2504XT di TweakTown (https://www.tweaktown.com/reviews/11137/silicon-motion-sm2504xt-controller-best-dramless-ssd-ever/index.html), un controller da 3 core ARM Cortex-R8, 4 canali e 16 CE con velocità di picco di 11,5 GB/s. Questo controller si conferma essere migliore dell'E31T (il suo diretto concorrente) nonostante la scrittura randomica sia molto, molto bassa (penso per un'immaturità del firmware). Silicon Motion domina già la fascia alta, ora bisogna vedere se dominerà anche quella medio-bassa con questo modello.

Confronto tra Gen5, Gen4, Gen3, SSD SATA e HDD in gaming

Questo articolo di TechSpot (https://www.techspot.com/article/3023-ssd-gaming-comparison-load-times/) penso che interessi principalmente ad aled1974 visto che è solito a linkare video che mostrano la differenza nei caricamenti dei giochi tra i diversi tipi di SSD. TechSpot ha testato tanti giochi e ha verificato se ci fosse differenza anche nei caricamenti di file salvati e in alcune scene di transizione (come la "scena del portale" su Ratchet & Clank: Rift Apart). Il risultato è che in linea generale la differenza tra PCIe 5.0 e SATA non supera i 10 secondi nel caricamento dei giochi mentre nel caricamento di file salvati la differenza è al di sotto del secondo. Per quanto concerne le scene di transizione, invece, sembra che su alcuni giochi gli SSD SATA laggano un po' di più rispetto a quelli PCIe ma non è un concetto applicabile per qualsiasi gioco esistente nel mondo.

Samsung rianima le Z-NAND

Le Samsung Z-NAND sono molto semplicemente NAND flash 3D SLC da 48L (ricordo che le NAND flash TLC più alte costruite finora sono le SK hynix 321L) costruite per alta velocità e bassa latenza. Furono lanciate nel 2019 nel 983 ZET, poi le avemmo nell'SZ1735 nel 2021 e lì fini la storia. Ora, Secondo DigiTimes (https://www.digitimes.com/news/a20250808VL210/samsung-3d-nand-technology-ai.html), Samsung all'FMS 2025 ha detto che resusciterà le Z-NAND per superare alcuni bottleneck nell'IA che abbiamo con NAND flash TLC e QLC:
La prossima generazione di Z-NAND è stata progettata con la tecnologia GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS), che consente alle GPU di recuperare i dati direttamente dallo storage senza passare attraverso CPU o DRAM. Questa architettura mira a ridurre al minimo la latenza e ad accelerare l'addestramento e l'inferenza di modelli AI di grandi dimensioni.

Controller PCIe 6.0 di Silicon Motion

Escono i primi dettagli del futuro controller PCIe 6.0 di Silicon Motion chiamato "Neptune": velocità da più di 25 GB/s, 3,5 milioni di IOPS e canali da 4.800 MT/s (velocità uguale alle BiCS10). Silicon Motion prevede la produzione di massa di questo controller nel 2028.

Aumento dei prezzi delle NAND flash nel 4Q25

Secondo UBS nel 3Q25 il prezzo delle NAND flash è aumentato soltanto del 3% rispetto allo scorso trimestre e le previsioni per il 4Q25 erano una diminuzione del 5% se non fosse per l'aumento della domanda degli SSD enterprise che invece darà un 5% in più. Il problema vero, però, è che le previsioni dicono un aumento sequenziale dei prezzi fino al 3Q26, ossia fino a settembre 2026. I motivi sono "la domanda di HBM che dirotta la capacità produttiva, il miglioramento della domanda del mercato finale (ad esempio, i server) e i rendimenti limitati per le DDR5 a 16 nm di CXMT rendono improbabile il ripetersi dell'eccesso di offerta di DDR4 dello scorso anno (fonte (https://x.com/Jukanlosreve/status/1955808837258367336))". Questo aumento di prezzi non colpisce soltanto le NAND flash ma anche la DRAM.

Calo di profitti per Kioxia nel 2Q25

Secondo DigiTimes (https://www.digitimes.com/news/a20250811PD233/kioxia-revenue-profit-nand-market.html), Kioxia in questo momento ha subito un 20% in meno di profitti rispetto all'anno scorso con un risultato operativo in calo del 64% e un utile netto in calo del 74% (meglio di quanto previsto da loro a maggio) a causa della scarsa vendita di NAND flash per gli smartphone e i PC e per il rafforzamento dello yen. Più nello specifico, nella vendita di SSD Kioxia ha avuto un calo del 3%.

Oltre alla bassa vendita di NAND flash, secondo DigiTimes il problema sono anche le future tariffe degli USA di cui Kioxia non ha ancora tenuto conto:
Ulteriori preoccupazioni sono rappresentate dalle proposte di tariffe sui semiconduttori in fase di revisione da parte del governo statunitense, che non sono ancora state incorporate nelle stime di Kioxia
Il problema è anche il fatto che il 40% delle vendite di Kioxia siano legate al mercato statunitense:
L'azienda ha rivelato che circa il 40% delle sue vendite è legato al mercato statunitense, anche se meno della metà di queste vendite sono direttamente esportate negli Stati Uniti. Questa esposizione sottolinea i rischi potenziali, in quanto le tensioni geopolitiche e commerciali potrebbero influenzare le prospettive finanziarie di Kioxia nel breve periodo

Calo dell'utile netto di Phison

Anche Phison non se la sta spassando molto bene in termini finanziari. Infatti, stando a questo (https://apps.digitimes.com/news/a20250815PD213.html) articolo di DigiTimes, l'utile netto è sceso del 39% rispetto allo scorso trimestre mentre il fatturato è aumentato del 29,3% grazie all'aumento dei prezzi delle NAND flash. Khein-Seng Pua, il CEO di Phison, dice che potrebbe esserci un rallentamento della crescita della produzione di NAND flash del 10-15% nel 2026 a causa della maggior concentrazione da parte dei produttori su HBM oppure perché "devono affrontare vincoli finanziari". Questo rallentamento è insufficiente per soddisfare la crescita storica annuale del 30% della domanda con il rischio di una carenza di offerta in caso l'IA si pronunciasse maggiormente.