Notizie della categoria 'Memorie'

• 09 APR Memorie
  

  DRAM+, dalla Germania la memoria che combina la velocità della DRAM con la persistenza dei dati della NAND flash

  FMC e Neumonda collaborano per riportare la produzione di memorie in Germania. Grazie all'uso dell'HfO₂, puntano a offrire una memoria chiamata DRAM+ di tipo non volatile e ad alte prestazioni, pensata per applicazioni IA e industriali.
• 04 APR Memorie
  

  G.Skill svela il primo kit DDR5-8000 da 128 GB: massima densità e prestazioni al vertice

  G.Skill ha svelato il nuovo kit di memoria DDR-8000 da 128 GB (64GBx2) che segna un nuovo traguardo in termini di capacità per singolo banco. Insieme a questo, ha mostrato anche il nuovo kit da 64GB con una velocità di 9000 MT/s
• 19 MAR Memorie
  

  G.Skill DDR5-6000 CL26: cala la latenza, raddoppia la capacità, la scelta ideale per l'IA

  G.Skill ha presentato un nuovo kit di memoria ad alta densità e a bassa latenza specifico per le piattaforme AMD con socket AM5. Il nuovo kit sarà proposto all'interno delle serie Trident Z5 Royal Neo, Trident Z5 Neo RG e Ripjaws M5 Neo RGB
• 19 MAR Memorie
  

  Gigabyte segna il record mondiale di velocità DDR5: raggiunti i 12752 MT/s | AGGIORNATA

  Gigabyte ha battuto il suo stesso record di velocità con le memorie DDR5. L'overclocker HiCookie ha spinto un modulo V-Color Manta XFinity RGB a 12752 MT/s con una scheda madre Gigabyte Z890 Aorus Tachyon Ice e un Core Ultra 9 285K
• 19 MAR Memorie
  

  HBM4 e SOCAMM, SK hynix pronta a soddisfare NVIDIA con nuove memorie

  In occasione della GTC 2025, SK hynix ha annunciato di aver iniziato la consegna dei primi sample di memoria HBM4. Non solo, l'azienda - insieme a Micron - ha mostrato per la prima volta un modulo SOCAMM.
• 12 MAR Memorie
  

  G.Skill presenta i nuovi kit EXPO per piattaforme AMD: capacità fino a 192 GB e latenza fino a CL26

  G.Skill ha presentato tre nuovi kit di memorie con capacità fino a 192 GB e velocità fino a 8000 MT/s. Tutte le proposte sono indirizzate alle piattaforme AMD e supportano l'overclock tramite EXPO
• 26 FEB Memorie
  

  Micron, arrivano le memorie DDR5 realizzate con processo 1-gamma

  Micron ha annunciato di essere la prima a spedire ai partner e a clienti selezionati sample della sua memoria DRAM DDR5 basata sul nuovo processo 1γ (1-gamma), realizzato anche con l'ausilio di macchinari EUV.
• 21 FEB Memorie
  

  G.Skill migliora le RDIMM DDR5: PCB a 16 layer e protezione dai picchi di tensione

  PCB a 16 layer per migliorare l'integrità del segnale e soluzioni di salvaguardia per garantire ancora più affidabilità: ruotano attorno a queste innovazioni le nuove RDIMM di G.Skill in arrivo a metà 2025.
• 21 FEB Memorie
  

  Ex dipendente di Samsung condannato per aver spifferato i segreti delle DRAM alla Cina

  Un ex-dipendente di Samsung è stato condannato a 7 anni di prigione e una multa di 200 milioni di won per aver trafugato segreti industriali a CXMT, favorendo l'industria cinese dei semiconduttori.
• 18 FEB Memorie
  

  SOCAMM: NVIDIA sta lavorando con i produttori di memorie a un nuovo standard per l'IA?

  NVIDIA sarebbe a lavoro con i tre principali produttori di memorie (Samsung, SK Hynix e Micron) per lo sviluppo di un nuovo standard di memoria indirizzata all'elaborazione IA. La produzione di massa dei moduli SOCAMM potrebbe partire già entro la fine dell'anno.
• 08 FEB First LookMemorie
  

  G.Skill DDR5-8000 su piattaforma AMD: hanno senso per un gamer?

  Abbiamo fatto qualche prova su un kit di memorie DDR5-8000 da G.Skill per piattaforme AMD, riscontrando come abbia poco senso acquistarle se il vostro obiettivo è avere una configurazione gaming performante.
• 05 FEB Memorie
  

  G.Skill presenta le nuove memorie ad alta densità e bassa latenza: fino a 96 GB DDR5-6800 CL32

  G.Skill ha presentato due nuovi kit di memoria ad alta densità e bassa latenza per piattaforme Intel. Il DDR5-6800 CL32-42-42 sarà disponibile nei tagli da 23, 48 e 96 GB, mentre il DDR5-6400 CL28-39-39 nel solo taglio da 32 GB.
• 26 GEN Memorie
  

  Gigabyte Z890 AORUS TACHYON ICE, azoto liquido e la memoria giusta: HiCookie raggiunge DDR5-12726

  Il noto overclocker HiCookie, aiutato da una motherboard Z890 AORUS TACHYON ICE di Gigabyte, un modulo V-COLOR Manta Xfinity RGB e l'immancabile azoto liquido, ha portato una DDR5 a operare a 12726 MT/s.
• 23 GEN Memorie
  

  SK hynix chiude un anno record sulla spinta della memoria HBM per gli acceleratori NVIDIA

  La sudcoreana SK hynix ha presentato i conti trimestrali e dell'intero anno 2024. L'azienda vola grazie alla memoria HBM, destinata principalmente agli acceleratori IA di NVIDIA, tanto che quel tipo di soluzione ha rappresentato più del 40% del fatturato totale delle DRAM.
• 13 GEN CES 2025Memorie
  

  Memorie e SSD veloci da Biwin, presto anche nel mercato italiano

  Biwin si prepara ad entrare, nel corso del 2025, nel mercato retail italiano con le proprie soluzioni per storage e memoria; al CES 2025 l'azienda mostra le ultime novità, tutte votate alle massime prestazioni
• 19 DIC Memorie
  

  CHIPS Act statunitense, finalizzato l'accordo con SK hynix: quasi un miliardo per portare la memoria HBM nell'Indiana

  SK Hynix ha ottenuto un finanziamento di 958 milioni di dollari dal Dipartimento del Commercio degli Stati Uniti per costruire un impianto avanzato di packaging di chip e un centro di ricerca in Indiana. L'investimento totale previsto è di 3,87 miliardi di dollari, con la creazione di 1.000 posti di...
• 13 DIC Memorie
  

  OCTRAM, transistor in verticale per la 3D DRAM di Kioxia e Nanya

  Kioxia ha parlato di una nuova tecnologia di memoria all'IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) di quest'anno. Si tratta della cosiddetta Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM), il cui cuore è un transistor verticale.
• 12 DIC Memorie
  

  Questa memoria opera a una temperatura di 600 °C, oltre quella di fusione del piombo

  Un gruppo di ricercatori del Sandia National Laboratory ha sviluppato una memoria non volatile allo stato solido capace di operare oltre i 600 °C. Si tratta di una soluzione rivolta all'elaborazione in ambienti estremi teoricamente più conveniente di memorie ferroelettriche e nanogap.
• 04 DIC Memorie
  

  CUDIMM DDR5 anche per Corsair: ecco le Vengeance RGB fino a 9200 MT/s

  Corsair ha annunciato le memorie VENGEANCE RGB DDR5 CUDIMM. I kit iniziali includono capacità da 48 GB e 96 GB, con velocità che vanno da DDR5-8400 fino a DDR5-9200.
• 20 NOV Memorie
  

  DDR5, nuovo record per le V-Color Manta XFinity RGB: 12527 MT/s con Intel Core Ultra 200S e scheda madre ASRock

  ASRock, Intel e V-Color hanno fatto segnare un nuovo record per DDR5: le Manta XFinity RGB CUDIMM hanno raggiunto una velocità di 12527 MT/s su una scheda madre Z890 Taichi OCF abbinata a un Intel Core Ultra 9 285K.
• 15 NOV Memorie
  

  MRDIMM: Intel spiega perché sono la carta segreta dei processori Xeon 6 per il mondo dei datacenter

  Intel è la prima a supportare la memoria MRDIMM con i processori Xeon 6 di fascia alta, nome in codice Granite Rapids. La nuova memoria garantisce maggiore bandwidth ai core rivelandosi utile in una molteplicità di carichi. E non richiede una nuova motherboard.
• 05 NOV Memorie
  

  Nuovo record per DDR5: MSI e Kingston raggiungono i 12.196 MT/s

  La memoria DDR5 ha raggiunto un nuovo record di velocità: grazie a una scheda madre MSI MEG Z890 UNIFY-X e un processore Intel Core Ultra 7 265KF, la Kingston Fury Renegade UDIMM ha raggiunto una velocità di 12.196 MT/s.
• 30 OTT Memorie
  

  Lexar Silver Plus, la super scheda di memoria microSD da 100MB/s reali scende a 25€ con coupon a tempo!

  Ecco una bellissima offerta per chi cerca una scheda microSD (che diventa SD con adattatore) che sia di marca, velocissima e con tanti GB. Lexar Silver Plus è una scelta ottima praticamente per qualsiasi utilizzo.
• 25 OTT Memorie
  

  G.Skill Trident Z5 CK: velocità fino a 10.000 MT/s in overclock per i nuovi Intel Core Ultra 200S

  G.Skill ha annunciato la disponibilità delle nuove memorie CU-DIMM Trident Z5 CK che integrano un chip clock driver. Al momento, la gamma offre un solo kit da 48 GB con o senza illuminazione RGB al prezzo rispettivamente di 399,99 dollari e 389,99 dollari.
• 17 OTT Schede Video
  

  GDDR7, Samsung produce chip da 3 GB e punta fino ai 42,5 Gbps

  Samsung ha annunciato di aver messo a punto memorie GDDR7 da 24 Gbit (3 GB) e di poter puntare a velocità fino a 42,5 Gbps. Il nuovo standard delle memorie grafiche debutterà con la prossima generazione di GPU in arrivo nei prossimi mesi.
• 08 OTT Memorie
  

  Utili deludenti, i vertici di Samsung si prendono tutte le colpe e si scusano pubblicamente

  Nonostante quasi 6,8 miliardi di dollari di utili operativi, i vertici di Samsung Electronics si sono scusati pubblicamente per i risultati sotto le attese, annunciando misure per far tornare il colosso asiatico al vertice dell'innovazione.
• 30 SET Memorie
  

  DDR5-9000, G.Skill spinge la RAM su ASUS ROG Crosshair X870E Hero

  G.Skill ha mostrato che è in grado di confezionare kit di memoria DDR5 da 48 GB capaci di toccare 9000 MT/s grazie a un profilo EXPO. La nuova memoria è stata testata sulla scheda madre ASUS ROG Crosshair X870E Hero con il processore AMD Ryzen 7 8700G.
• 30 SET Memorie
  

  MSI conferma che le CPU Ryzen 9000 e 8000 supporteranno le memorie CUDIMM

  Non solo le soluzioni Core Ultra 200 Arrow Lake di Intel, in arrivo a fine ottobre, ma anche le CPU Ryzen 9000 - e non solo - supporteranno le memorie CUDIMM ad alta velocità in arrivo nei prossimi mesi.
• 26 SET Memorie
  

  SK hynix HBM3E a 12 layer, la capacità per chip sale a 36 GB: è la memoria di NVIDIA Blackwell Ultra

  Chip di memoria da 36 GB grazie alla HBM3E a 12 layer di SK hynix. La società sudcoreana ha avviato la produzione in volumi della memoria che spingerà i nuovi acceleratori IA di NVIDIA, a partire da Blackwell Ultra.
• 19 SET Memorie
  

  Su PC stanno per arrivare le memorie CUDIMM. Di cosa si tratta?

  CUDIMM sta per "Clocked Unbuffered Dual In-line Memory Module", e ne sentiremo parlare nei mesi a venire. Si tratta di una nuova "varietà" di DIMM che aggiunge un chip sul modulo al fine di garantire l'integrità del segnale e frequenze operative più elevate.