SK hynix, tempismo perfetto: è pronta a produrre in volumi la memoria HBM3E. NVIDIA nel mirino?

Sk hynix ha annunciato di aver avviato la produzione in volumi di memoria HBM3E, seguendo a stretto giro Micron e Samsung. Per il produttore sudcoreano si tratta di un importante traguardo, ottenuto in circa 7 mesi dall'invio dei primi sample ai clienti.

Il comunicato stampa è arrivato con un tempismo perfetto, visto che oggi la memoria HBM3E è al centro della scena mediatica grazie a NVIDIA Blackwell. SK hynix si candida a rifornire NVIDIA di chip tanto per Blackwell quanto per la generazione Hopper, ma ovviamente è aperta a fare altrettanto anche nel caso di AMD, Intel e altre realtà.

La High Bandwidth Memory è considerabile a tutti gli effetti "la memoria dell'intelligenza artificiale", formata da più chip DRAM impilati verticalmente e interconnessi tra loro per garantire alte prestazioni. La HBM3E è la quinta generazione di HBM e segue HBM, HBM2, HBM2E e HBM3. In termini prestazionali, la HBM3E di SK hynix può processare fino a 1,15 terabyte di dati al secondo, un valore che sembrerebbe collocarla leggermente sotto l'analoga soluzione di Micron.

La casa sudcoreana assicura di aver riposto particolare attenzione alla dissipazione del calore, migliorandola del 10% con una tecnologia chiamata Advanced Mass Reflow Molded Underfill, o MR-MUF2, un processo che prevede il riempimento dello spazio tra i chip impilati con metallo liquido anziché la deposizione di una pellicola.

Sk hynix, come gli altri produttori, ha già messo nel mirino il successore della memoria HBM3E, chiamato HBM4, di cui si vocifera l'avvio della produzione in volumi entro il 2026. Dalla nuova generazione ci si attende un raddoppio dell'interfaccia a 2048-bit, utile a raggiungere una larghezza di banda di almeno 1,5 TB/s. Secondo una roadmap diffusa da Micron, nel 2028 sarà poi la volta della HBM4E in grado di spingersi oltre i 2 TB/s.