Comparativa schede madri KT333

In commercio esistono differenti tipologie di moduli memoria DDR, caratterizzate da varie sigle. I chipset VIA KT333 e SiS745 sono stati pensati per essere abbinati a memorie DDR333, moduli in grado di operare alla frequenza di lavoro di 166 Mhz (333 Mhz effettivi) con piena stabilità operativa. Iniziamo, pertanto, a individuare quali tipi di memoria DDR siano disponibili al momento in commercio:

• DDR200 (PC1600): è il primo tipo di memoria introdotto sul mercato, in grado di operare a frequenze di lavoro di 100 Mhz (200 Mhz effettivi) e capace di una bandwidth massima teorica di 1,6 Gbytes al secondo;
• DDR266 (PC2100): si tratta del più diffuso standard per memorie DDR, con frequenza di alvoro di 133 mhz (266 Mhz effettivi) e bandwidth massima teorica di 2,1 Gbytes al secondo;
• DDR333 (PC2700): nuovo standard per le memorie DDR, con frequenza di lavoro di 166 Mhz (333 Mhzx effettivi); la bandwidth massima teorica è pari a 2,7 Gbytes al secondo;
• DDR400 (PC3200): esistono in commercio moduli caratterizzati da questa sigla, che al momento però non è ancora stata approvata come standard dal JEDEC (l'organizzazione che stabilisce gli standard costruttivi per le memorie di sistema). La frequenza di lavoro di questo moduli memoria DDR è pari a 200 Mhz (400 Mhz effettivi), con bandwidth massima teorica pari a 3,2 Gbytes al secondo.

Alcuni produttori hanno introdotto degli standard "paralleli", introducendo sigle nuove per indicare moduli memoria DDR particolarmente tolleranti in termini di frequenza di lavoro. Ad esempio, le memorie DDR PC2400 sono certificate per una frequenza di lavoro di 150 Mhz (300 Mhz effettivi), mentre quelle PC3000 per una frequenza di 185 Mhz (370 Mhz effettivi).

Per ottenere le migliori prestazioni velocistiche dalla propria memoria DDR è, inoltre, necessario sfruttarne al meglio i timings di accesso, cioè impostare i valori più performanti che permettano di mantenerne piena stabilità operativa. I parametri vengono impostati da bios della scheda madre, con i 3 più noti che sono:

• CAS (Column Address Strobe) Latency: indica il numero di cicli di clock richiesti dalla memoria per processare una richiesta. A valori inferiori della latenza corrispondono prestazioni velocistiche superiori. Ovviamente, una latenza pari a 3 implica prestazioni velocistiche differenti se la memoria opera alla frequenza di 133 Mhz oppure a quella di 166 Mhz.
• RAS to CAS Delay: questo valore indica quanti cicli di clock sono richiesti dalla memoria per accedere ai dati contenuti nelle righe (row) della memoria. I dati contenuti nei moduli memoria vengono disposti e letti in righe e colonne, partendo sempre prima dalle righe e in seguito passando alle colonne
• RAS Precharge Time: questo valore indica quanti cicli di clock sono necessari per precaricare i condensatori della memoria; questa operazione si rende indispensabile affinché i dati contenuti nei moduli memoria possano essere letti oppure scritti. Ovviamente, anche in questo caso a valori inferiori corrispondono prestazioni superiori.

Qui di seguito sono riportate le immagini di alcuni dei moduli memoria DDR attualmente a nostra disposizione per i test; in particolare, sono raffigurati dei moduli memoria DDR ECC registered da 512 Mbytes e 1 Gbyte di capacità, specifici per l'impiego in sistemi server basati su chipset AMD760MP e AMD760MPX.

Memoria Micron DDR266, Cas latency 2, da 256 Mbytes

particolare della sigla del moduli Micron

memoria DDR266 ECC Registered Corsair, da 1 Gbyte

Particolare dei chip, montati uno sopra l'altro

Corsair PC2400 Extreme Memory Speed, da 256 Mbytes

Memoria DDR333 TwinMOS, da 256 Mbytes

memoria DDR266 ECC Registered Corsair, da 512 Mbytes

Corsair PC3000 Extreme Memory Speed, da 256 Mbytes

Memoria Kingmax DDR400, da 256 Mbytes

Chip memoria DDR400 in package BGA