Samsung e le memorie DDR3 al JEDEX 2005

Samsung Electronics ha espresso l'intenzione di discutere di alcune pecularità riguardanti l'implementazione delle memorie DDR3 SDRAM alla prossima JEDEX 2005 Conference, in aggiunta ad alcune sfide che la compagnia e i partner stanno fronteggiando con questa nuova tecnologia.

Secondo le dichiarazioni della compagnia, sarà Jon Kang, Senior VP del Technical Marketing Group di Samsung, e altri sette membri dello staff di ingegneri della compagnia, a parlare alla quarta "Annual JEDEX 2005 Conference and Exposition" di San Jose, che prenderà il via domani 31 Marzo e chiuderà i battenti il giorno 1 Aprile. La conferenza tratterà temi legati all'archiettura delle memorie, alle interfacce network wireless, alle prestazioni e alla realizzazione pratica di chip e moduli di memoria.

I rappresentanti di Samsung che prenderanno parte alla conferenza, intendono parlare di alcuni aspetti relativi alle memorie DDR3, così come delle alte prestazioni nei settori video e networking. Essendo attualmente l'unico fornitore di memorie GDDR3, Samsung è in prima linea per quanto riguarda le memorie ad alta velocità.

Attorno alla metà di febbraio la compagnia ha annunciato di aver realizzato il primo chip a 512Mbit rispondente alle specifiche DDR3 ed in grado di operare alla velocità di 1066MHz ad una tensione di 1,5Volt. Il chip è stato realizzato con processo produttivo a 80 nanometri, mentre gli attuali prodotti commerciali DDR e DDR2 di Samsung sono realizzati con processo a 90 nanometri.

Secondo la società IDC, specializzata in analisi di mercato, i primi moduli di memoria DDR3 DRAM saranno commercializzati nel 2003 e nel 2006 le memorie DDR3 rappresenteranno il 65% del mercato globale di memorie DRAM. Secondo i piani, le prime piattaforme Intel in grado di supportare le memorie DDR3 saranno disponibili entro il 2007.

Fonte: Xbitlabs