Notizie della categoria 'Memorie'

• 09 NOV Memorie
  

  LPDDR5X, Samsung in pole position: il 30% più veloce ma consuma il 20% in meno

  La nuova LPDDR5X di Samsung promette di offrire il 30% delle prestazioni in più e di consumare il 20% in meno rispetto alle soluzioni LPDDR5. Secondo l'azienda sudcoreana, la DRAM troverà applicazione in nuovi settori oltre quello degli smartphone, come l'IA e l'edge computing.
• 02 NOV Memorie
  

  Memoria DDR5-7000 CL40, G.Skill spinge le Trident Z5 sempre più in alto

  G.Skill non si ferma più: l'azienda taiwanese ha annunciato un kit DDR5-7000 CL40 da 32 GB (2 x 16 GB) destinato alle nuove piattaforme Z690 per le CPU Intel Core Alder Lake.
• 28 OTT Memorie
  

  Trident Z5, G.Skill cala il poker: arrivano anche le DDR5-6800!

  Cogliendo tutti di sorpresa, la taiwanese G.Skill ha annunciato le memorie DDR5 più veloci sul mercato in seguito alla presentazione dei processori Intel Core di 12esima generazione "Alder Lake". Le nuove DDR5-6800 non hanno al momento rivali e completano una gamma già molto vasta.
• 27 OTT Memorie
  

  Un terremoto ferma la produzione di RAM nella fabbrica Micron a Taiwan

  Domenica scorsa un terremoto ha colpito l'isola di Taiwan e ha causato lo stop della produzione in diversi impianti di semiconduttori: la statunitense Micron ha dovuto fermare la Fab 11 vicino a Taoyuan.
• 26 OTT Memorie
  

  XPG Lancer RGB, le memorie DDR5 di ADATA pronte per la nuova era

  Un look incentrato sull'illuminazione RGB e velocità fino a DDR5-5200 per il kit mostrato dalla divisione gaming di ADATA. Le nuove XPG Lancer RGB puntano a raggiungere presto 6000 MT/s e, come dimostrato dall'XOCL, a spingersi anche ben oltre.
• 22 OTT Memorie
  

  Ripjaws S5, le memorie DDR5 a basso profilo secondo G.Skill

  Niente RGB e tutta sostanza per i nuovi moduli Ripjaws S5 di G.Skill dall'altezza di soli 33 millimetri, in colorazione nera e bianca. Previsti kit da 32 GB a 6000 MHz con timing CL40 e CL36.
• 20 OTT Memorie
  

  Micron pronta a investire più di 150 miliardi di dollari per creare le memorie del futuro

  Micron pronta a mettere sul piatto oltre 150 miliardi di dollari di investimenti in produzione e ricerca e sviluppo per soddisfare la domanda di memoria del prossimo decennio. L'azienda si aspetta un aiuto dal governo degli USA per continuare a competere con i player asiatici.
• 20 OTT Memorie
  

  DDR5-6600 CL36, G.Skill accelera con un inaspettato kit di memoria Trident Z5

  Non contenta di quanto annunciato solo sette giorni fa, G.Skill rilancia immediatamente presentando un kit DDR5-6600 CL36-36-36-76 da 32 GB (2 x 16 GB) per sbaragliare la concorrenza.
• 20 OTT Memorie
  

  Le memorie DDR5 costeranno davvero tanto: +50-60% rispetto alle DDR4

  Secondo MSI, al debutto le DDR5 costeranno il 50-60% in più delle DDR4. Un balzo superiore a ogni transizione di generazione derivante dai componenti aggiuntivi a bordo delle nuove memorie.
• 20 OTT Memorie
  

  SK hynix pronta con la memoria HBM3: bandwidth di 819 GB/s e fino a 24 GB di capacità

  SK hynix ha annunciato di aver completato con successo lo sviluppo della memoria HBM3. L'azienda ha realizzato due soluzioni, da 16 GB e 24 GB, con una bandwidth di 819 GB/s, il 78% maggiore rispetto alla HBM2E.
• 18 OTT Memorie
  

  GALAX gioca con le memorie DDR5: sono personalizzabili con i LEGO

  Un approccio decisamente fuori dagli schemi per l'azienda taiwanese, che con i suoi primi moduli DDR5 permetterà di personalizzarne l'aspetto con i famosi mattoncini danesi LEGO.
• 15 OTT Memorie
  

  Dominator Platinum RGB anche DDR5: Corsair svela le memorie di nuova generazione

  Anche il produttore californiano si unisce agli annunci delle memorie di nuova generazione, con le DDR5 di punta che riprendono in gran parte il design delle DDR4 che abbiamo imparato a conoscere negli ultimi anni.
• 14 OTT Memorie
  

  G.Skill Trident Z5: DDR5 ad alte prestazioni fino a 6400 MHz presto sul mercato

  G.Skill ha presentato le memorie DDR5 Trident Z5 in arrivo sul mercato in concomitanza con le CPU Intel Alder Lake. Le latenze più spinte dello standard JEDEC e una velocità fino a DDR5-6400 fanno ben sperare sulle prestazioni di queste nuove DRAM.
• 12 OTT Memorie
  

  DDR5 Samsung prodotte con processo a 14 nanometri EUV: ecco tutti i vantaggi

  Il nuovo processo a 14 nanometri con cinque layer EUV applicato da Samsung alle nuove memorie DDR5 aumenta la densità di bit, migliora le rese del 20% e riduce i consumi della stessa cifra. L'azienda, inoltre, punta a produrre chip con densità di 24 Gbit.
• 08 OTT Memorie
  

  DDR5 a 8118 MT/s, le memorie ADATA XPG puntano già in alto

  XPG, il brand gaming di ADATA, ha diffuso alcuni test che mostrano come un modulo di memoria DDR5-4800 sia stato spinto a oltre 8000 MT/s. L'azienda promette però che questo è solo l'inizio di un cammino che la porterà a toccare nuove vette prestazionali.
• 07 OTT Memorie
  

  Kingston, le DDR5 sono pronte: moduli 4800 MHz convalidati da Intel per Alder Lake

  Le memorie DDR5-4800 da 16 e 32 GB di Kingston, al debutto nelle prossime settimane insieme alle CPU Core di dodicesima generazione "Alder Lake", hanno ricevuto la Intel Platform Validation. Nel mentre, anche Corsair mostra le nuove Vengeance e Dominator.
• 12 SET Memorie
  

  Flessibile e richiede 100 volte meno corrente: è la memoria phase change della Stanford University

  Alla Stanford hanno creato una "memoria in plastica" che potrebbe dare un nuovo impulso al mondo dell'elettronica flessibile. La memoria a cambiamento di fase (PCM) messa a punto richiede meno energia proprio perché è costruita sulla plastica.
• 04 SET Memorie
  

  Vengeance RGB RT e RGB RS, Corsair svela due nuove serie di memorie DDR4

  Design rinnovato nell'heatspreader e nella barra luminosa superiore, capacità elevate e frequenze con buoni timing per le due nuove linee di memorie DDR4 di Corsair, Vengeance RGB RT e Vengeance RGB RS.
• 25 AGO Memorie
  

  HBM-PIM e non solo: secondo Samsung l'intelligenza artificiale è una questione di memoria

  A Hot Chips 33 Samsung ha parlato delle sue soluzioni di memoria potenziate da un'unità per la gestione di calcoli di IA a bordo. L'azienda sudcoreana e Xilinx hanno integrato con successo HBM-PIM sull'accelerare Xilinx Virtex Ultrascale+ (Alveo) registrando un aumento delle prestazioni complessive del...
• 23 AGO Memorie
  

  Samsung svela maggiori dettagli sul modulo di memoria DDR5-7200 da 512 GB

  A fine marzo Samsung annunciò il prossimo arrivo di un modulo di memoria DDR5-7200 da 512 GB per l'ambito server. Nel corso della conferenza Hot Chips tenutasi nelle scorse ore la società sudcoreana ha diffuso maggiori informazioni su come è riuscita a creare il nuovo modulo.
• 24 LUG First LookMemorie
  

  G.Skill Royal Elite DDR4-4000: 32 GB, timing CL16 e un look che non passa inosservato

  È arrivato in redazione un kit - 2 x 16 GB - di memoria G.Skill Royal Elite DDR4-4000, caratterizzato da timing CL16-19-19-39 e tensione operativa di 1,4V. L'abbiamo provato su una piattaforma Z590 con un Core i7-11700K per comprendere l'impatto prestazionale con alcuni test sintetici e giochi.
• 12 LUG Memorie
  

  SK hynix pronta a produrre più memorie LPDDR4 grazie al processo '1a'

  Uso a regime di macchinari per la litografia EUV e altri avanzamenti danno vita al processo 1a nanometri di SK hynix, ulteriore perfezionamento della tecnologia a 10 nanometri che permetterà all'azienda di ricavare fino al 25% di chip DRAM in più da ogni wafer.
• 03 LUG Accessori
  

  Lexar annuncia lo sviluppo delle nuove schede SD Express, con prestazioni fino a 824 MB/s. In arrivo nel 2022

  Prodotte nel doppio formato (standard e micro) le nuove schede avranno velocità di lettura fino a 824MB/s e velocità di scrittura fino a 410MB/s. Naturalmente è necessario che tutto l'ecosistema di prodotti si evolva per supportare le nuove schede e Lexar sta lavorando coi produttori dei dispositivi:...
• 01 LUG Storage
  

  Micron e 3D XPoint, adesso è proprio finita: venduta la fabbrica produttiva a Texas Instruments

  Micron Technology ha venduto la fabbrica di Lehi, nello Utah, a Texas Instruments (TI). In quel sito l'azienda realizzava la memoria 3D XPoint, principalmente per Intel. Il futuro della tecnologia è quindi tutto da decifrare.
• 19 GIU Memorie
  

  TEAMGROUP brucia le tappe, DDR5 della serie Elite in commercio tra poche settimane

  TEAMGROUP ha annunciato il debutto a breve delle sue prime DDR5, le soluzioni della serie Elite. Si parte da un kit 16 GB x 2 con frequenza di 4800 MHz e timing CL40-40-40-77.
• 15 GIU Memorie
  

  Samsung, la nuova memoria uMCP fonde LPDDR5 e NAND flash per smartphone più innovativi

  LPDDR5 e NAND flash in un unico chip. Samsung ha annunciato una nuova generazione della memoria uMCP che promette alte prestazioni e grande capacità in un piccolo package da 11,5 x 13 mm. La vedremo a bordo degli smartphone in arrivo dalle prossime settimane.
• 12 GIU Memorie
  

  Kingston annuncia il brand FURY: ciao ciao HyperX

  Kingston ha annunciato il brand FURY in sostituzione del marchio HyperX passato nelle mani di HP. L'azienda presenterà i primi prodotti del nuovo corso, SSD e DRAM, il 19 luglio.
• 10 GIU Memorie
  

  HBM3, SK hynix parla di una bandwidth di 665 GB/s per stack

  La sudcoreana SK hynix scrive sul proprio sito che la nuova generazione delle memorie HBM, le HBM3, saranno in grado di processare oltre 665 GB di dati al secondo con una velocità di I/O pari a 5,2 Gbps. Al momento le nuove memorie sono in via di sviluppo.
• 09 GIU Memorie
  

  Memorie SK hynix difettose per miliardi di dollari? No, anche se qualche problema c'è

  La sudcoreana SK hynix fa sapere che le voci su 240 mila wafer difettosi e danni potenziali per 1,7 miliardi di dollari circolate online sono false. L'azienda, tuttavia, conferma l'esistenza di qualche problema, anche se in misura molto minore rispetto alle indiscrezioni. E sporge denuncia.
• 08 GIU Memorie
  

  G.Skill Trident Z Royal Elite, timing ridotti (CL14) per due nuovi kit di memoria DDR4

  G.Skill ha ampliato la gamma di moduli di memoria Trident Z Royal Elite con i kit DDR4-4000 CL14-15-15-35 e DDR4-3600 CL14-14-14-34 basati su chip Samsung B-die.