3D X-DRAM, la tecnologia di NEO Semiconductor per moduli DRAM fino a 2 TB

NEO Semiconductor, specializzata nella progettazione di memoria DRAM e NAND, ha annunciato 3D X-DRAM, una tecnologia che punta ad aumentare sensibilmente la capacità dei moduli DRAM. A tale scopo, la società adotta una tecnologia analoga a quella utilizzata per gli SSD 3D NAND, seppur non mancano alcune differenze sostanziali.

In sintesi, NEO Semiconductor intende realizzare chip di memoria a 230 strati con una densità di 128 Gb, il che consentirebbe di produrre moduli da 1 TB o addirittura 2 TB nel caso di chip su entrambe le facce.

Per avere un metro di paragone, i chip DDR4 raggiungono una densità di 32 Gb, mentre le nuove DDR5 per il momento sfruttano moduli da 16 Gb. Una capacità massima per singolo modulo che raggiunge i 64 GB per le prime e 32 GB per le seconde. In sostanza, NEO Semiconductor punta ad aumentare di otto volte la densità dei chip DRAM rispetto a quella attuale.

Il tutto, però, entro il 2030 laddove Samsung, uno dei maggiori player nel settore delle memorie, conta di realizzare i primi moduli da 1 TB già tra la fine del 2023 e l'inizio del 2024. Tuttavia, l'azienda sudcoreana utilizza una tecnologia diversa che sfrutta lo stacking dei chip, i quali raggiungeranno una densità massima di 32 Gb.

Il vantaggio, nel caso di NEO Semiconductor, risiede proprio nel processo produttivo, poiché 3D X-DRAM adotta la tecnologia Floating Body Cell senza condensatori, la stessa utilizzata per le produzioni attuali. Questo, secondo l'azienda, "semplifica le fasi del processo e fornisce una soluzione ad alta densità, alta velocità, basso costo e alto rendimento".

Inutile dire che si tratta di proposte rivolte al settore industriale. Una quantità di memoria DRAM simile probabilmente sarà del tutto inutile anche tra sette anni per le piattaforme consumer, ma risolverebbe i limiti di capacità dei server imposti dalle attuali tecnologie.