IBM realizza il più veloce transistor in grafene

IBM realizza il più veloce transistor in grafene

I ricercatori di BigBlue hanno sperimentato l'operatività ad elevata frequenza di un transistor costruito con un materiale diverso dal silicio

di pubblicata il , alle 16:44 nel canale Processori
IBM
 
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31 Commenti
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Cialtrone22 Dicembre 2008, 17:52 #11
Ragazzi, piano ad esultare..guardate che attualmente i transistor su silicio hanno raggiunto tempi di propagazione del segnale intorno alle decine (o decina) di picosecondi, ma per numerosi motivi il clock dei processori è considerevolmente più lento (varie centinaia di picosecondi), anche perchè le funzioni logiche da calcolare non sono banali. Inoltre non so che tipo di transistor sia stato realizzato, probabilmente un NMOS, quindi tale transistor non si può utilizzare nelle logiche statiche adottate per i microprocessori (servirebbe anche il complementare PMOS). Senza contare che una unity gain frequency di 26 GHz è ampiamente vaporizzata dalle attuali strutture con GaAs, SiC e GaN.
bjt222 Dicembre 2008, 18:04 #12
A 150nm?
Luca6922 Dicembre 2008, 18:04 #13
è un FET non un CMOS quindi non va bene per circuiti logici
bjt222 Dicembre 2008, 18:05 #14
Perchè i MOS che sono? Il nome completo è MOSFET. E CMOS si riferisce alla logica CMOS che righiede un N-MOS(FET) e un P-MOS(FET).
sslazio22 Dicembre 2008, 18:22 #15
bhè, pensiamo ad un bel CELL a un teraherz con 1000 spe
Mr660022 Dicembre 2008, 18:34 #16
a parte le possibili applicazioni che tutti auspicano (gpu,cpu, ecc...), sono lieto di vedere che queste scoperte (l'altro giorno leggevo di un nuovo monitor LED sottilissimo e arrotolabile realizzato da Sharp) vengono sempre fatte da qualche grossa multinazionale americana o coreana o giapponese o tedesca. in italia tutto tace...continuiamo così....
X3llo522 Dicembre 2008, 19:04 #17
Originariamente inviato da: Mr6600
a parte le possibili applicazioni che tutti auspicano (gpu,cpu, ecc...), sono lieto di vedere che queste scoperte (l'altro giorno leggevo di un nuovo monitor LED sottilissimo e arrotolabile realizzato da Sharp) vengono sempre fatte da qualche grossa multinazionale americana o coreana o giapponese o tedesca. in italia tutto tace...continuiamo così....


e i francesi, spagnoli, russi, isalndesi cosa dovrebbero dire :P

comunque sono curioso di sapere i costi.
Neuzzo22 Dicembre 2008, 19:24 #18
le ricerce in questo campo vengono fatte quasi unicamente da IMB, INTEL e ditte di questo tipo, anche i progetti "statali" vengono sviluppati solo grazie a ingenti fondi messi a disposizione dalle aziende.

Certo che tra nuovi materiali, design 3d, chip multistrato.. non si sa da che parte tirera' il futuro..
Trinakie22 Dicembre 2008, 19:28 #19
Se è per questo già ci sono gli InP based HEMTs in grado di raggiungere 500 GHz di fmax con 100 nm di lunghezza di gate. E poi ci sono anche gli Sb based HEMTs che sono ancora in fase di studio (io ci stò lavorando) ma che sono molto più promettenti.

Quindi 26 GHz per 100 nm di lunghezza di gate non sono nulla di eccezzionale per ora.
Indubbiamente questo materiale ha potenzialità notevoli a fra qualche anno permetterà di realizzare dispositivi eccezzionali, ma certamente non per applicazioni digitali quali i processori. Queste sono frequenze da applicazioni analogiche come gli LNA, Mixer ecc
k4rl22 Dicembre 2008, 19:38 #20
Ma non ha nessun senso confrontare le frequenze di un struttura estremamente complessa come un processore con quelle di un singolo transistor o per essere più chiari, con le tecnologie attuali non è fisicamente possibile arrivare a quelle frequenze su milioni o miliardi di transistor

tra l'altro lasciando stare il discorso sul tipo di transistor (che nonostante dovrei non ricordo le differenze ) la novità principale della news è il nuovo limite raggiungo con questo materiale perchè con altre tecnologie/materiali si sono raggiunte frequenze anche di centinaia di ghz parlando sempre di singoli transistor
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