Samsung introduce il primo modulo DDR da 4 Gbytes

Samsung introduce il primo modulo DDR da 4 Gbytes

Pensati per l'impiego in server ad alta densità, questi moduli memoria stabiliscono nuovi record in termini di capacità di archiviazione dei dati

di pubblicata il , alle 17:37 nel canale Schede Madri e chipset
Samsung
 
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14 Commenti
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pgazz22 Gennaio 2003, 23:04 #11
Per lo schema sulle dram:
http://www.lithium.it/articolo.asp?code=28&pag=5.
1 mos e 1 condensatore per bit + logica di controllo per righe e colonne.
zillo7723 Gennaio 2003, 16:35 #12
Confermo, si utilizza 1 transistor per bit, quindi 1 miliardo di transistor per chip per i bit, piu' quisquiglie (rispetto al miliardo) per la logica.
Interessante che Samsung abbia gia' una tecnologia discretamente affinata sui 100nm (altrimenti avrebbe ritardato l'annuncio ufficiale), tenete comunque presente che qui all'univ di Padova si sta lavorando a studi di affidabilita' sui MOSFET di lunghezze 70, 60 e 30nm nei valori sui singoli transistor e nelle integrazioni. Partners degli studi? tra gli altri: Philips e ST MicroElectronics...
home_theatre23 Gennaio 2003, 17:34 #13
zillo vedo ke nn pekki d modestia eh....
zillo7723 Gennaio 2003, 17:54 #14

x home_theatre

Non ci siamo capiti. Non lo dicevo per fare lo sborone, tanto che io non c'entro un bel nulla con queste ricerche, so solo che ci sono.
Era solo per dire a chi prima si meravigliava del processo produttivo a 100nm gia' in uso, che in realta' per produzioni non di grandi quantita' (come questa di moduli per server) le tecnologie sono piu' avanti di quello che si pensi, e che non solo alla Intel e alla AMD si parla di 0.09um ma in realta' dappertutto gia' da un po' si lavora su tecnologie ben minori. I problemi sorgono quando si deve portare il tutto su produzioni a larghissima scala ed alta resa, come quelle delle cpu, dei chip video e delle ram general-purpouses. E soprattutto e' una questione di costi, che decretano il momento giusto di introduzione.
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