Elpida: memorie DDR2 a 90 nanometri

Elpida Memory, il quinto maggior produttore di memorie DRAM, ha annunciato l'avvio della produzione con processo a 90 nanometri. Il processo produttivo più fine permette di ridurre i costi di produzione e di realizzare prodotti DDR2 SDRAM più convenienti.

Yukio Sakamoto, presidente e CEO di Elpida Memory, ha dichiarato: "Elpida continua ad incrementare gli sforzi nella produzione per raggiungere una maggiore capacità produttiva e migliori rese nella produzione dei prodotti DRAM ad alte prestazioni. La nostra abilità di iniziare la produzione a 90 nanometri per memorie DDR2 SDRAM aiuterà Elpida a soddisfare la crescente domanda per memorie DDR2-533 e DDR2-667 ad alta densità".

I chip da 512Mbit prodotti a 90 nanometri saranno certificati per operare a 533MH (CL4-4-4), 667MHz (CL4-4-4 e CL5-5-5) e 800MHz (CL5-5-5) alla tensione operativa di 1,8 Volt. I primi sample dovrebbero essere disponibili per il mese di Giugno e l'avvio della produzione in volume dovrebbe prendere il via entro nel secondo trimestre fiscale che si concluderà il 31 Marzo 2006.

Fino ad ora Elpida ha prodotto chip a 512Mb solamente utilizzando il processo a 100 nanometri. La compagnia ha anticipato un incremento della produttività del 40% con il passaggio a 90 nanometri, il che significa che il 40% in più di chip di memoria possono essere ottenuti da un singolo wafer rispetto a quanto ottenibile con il processo utilizzato precedentemente.

Il processo a 90 nanometri è impiegato presso lo stabilimento E300 della compagnia, situato ad Hiroshima.

Fonte: Xbitlabs