Memorie DDR3 a frequenza elevata per G.Skill

Dal produttore taiwanese specializzato in memorie di fascia enthusiast nuovi modelli per piattaforme Intel e AMD, oltre ad un maggiore focus per le soluzioni SSD
di Paolo Corsini pubblicata il 06 Giugno 2011, alle 12:24 nel canale MemorieIntelAMDG.Skill
Molte nuove memorie quelle mostrate da G.Skill al proprio stand del Computex 2011 di Taipei; il produttore taiwanese continua a proporre soluzioni destinate agli utenti più appassionati, forte in questo anche di un nuovo record di overclock ottenuto proprio durante la manifestazione.
Le memorie Ripjaws X sono state proposte su piattaforma Intel Z68 alla frequenza di clock di 2.133 MHz, in abbinamento a latenze pari a 6-10-6-28 che risultano essere tra le più spinte in assoluto per memorie DDR3 certificate a queste frequenze di clock. Il sistema di raffreddamento è tradizionale, con la possibilità di installare un sistema ad aria a doppia ventola che assicura l'adeguato raffreddamento dei moduli.
Approccio differente quello delle memorie Flare, abbinate a una piattaforma AMD socket AM3+ con processore Phenom II X6 1100T. In questo caso alla frequenza di clock di 2.133 MHz le memorie operano con latenze 9-11-9-28, ma abbinando 4 moduli per un totale di 16 Gbytes di capacità complessiva.
La massima frequenza di clock certificata viene raggiunta dalle soluzioni Trident, abbinate in questo caso a processori Intel socket 1156 LGA grazie alla loro possibilità di utilizzare frequenze di base clock fortemente fuori specifica. Siamo con questo kit a 2.400 MHz di clock, in abbinamento a latenze pari a 9-11-10-28 per un quantitativo di 4 Gbytes per ogni modulo.
Come per tutti i produttori di memoria taiwanesi non può mancare una gamma di soluzioni SSD; nell'immagine troviamo l'ultimo modello Phoenix II Pro Series, proposta con capienza di 120 e 240 Gbytes. Troviamo all'interno controller SandForce della serie SF-2200, con interfaccia SATA 6 Gbps. Prestazioni allineate a quelle delle altre proposte basate sullo stesso controller: velocità di lettura e scrittura superiori a 500 Mbytes al secondo, con un picco di 60.000 IOPs nelle letture random di pacchetti 4KB.
5 Commenti
Gli autori dei commenti, e non la redazione, sono responsabili dei contenuti da loro inseriti - infoSono d'accordo sulla prima parte, ma non molto sulla seconda.
Elpida ha appena sviluppato nuove memorie a 30nm e addirittura 25nm contro i 40nm delle attuali (comprese quelle mostrate a Taipei da G.Skill).
Come si può leggere nel sito ufficiale Elpida:
"The 25nm process 2-gigabit DDR3 SDRAM can support ultra-fast performance above DDR3-1866 (1866Mbps) and is compliant with low-voltage 1.35V high-speed DDR3L-1600 (1600Mbps)."
Analogamente per quelle a 30nm (prodotte in moduli anche da 4GB l'uno).
Quindi direi che con queste memorie e la certificazione di base a DDR3-1866Mhz (la news parla di "oltre 1866") o 1600Mhz con 1.35V ci sarà già un notevole passo avanti e non esisterà neanche probabilmente il collo di bottiglia dato dal TRCD eccessivamente alto com'è per gli attuali chip.
Le RAM sono in arrivo.
No, le ddr3 ultraspinte non danno alcun vantaggio prestazionale degno di nota. Soldi buttati.
Affarone!
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