Samsung onesta: siamo indietro rispetto a TSMC, ma entro 5 anni la sorpasseremo

Samsung ha obiettivi ambiziosi nell'ambito della produzione per conto terzi e per questo motivo sta investendo decine di miliardi di dollari nella messa a punto di processi produttivi avanzati e nella costruzione di nuovi impianti. L'obiettivo non è solo avere la capacità produttiva per soddisfare le necessità di un numero crescente di clienti e mercati, ma anche offrire loro le migliori prestazioni possibili sotto ogni punto di vista (PPA - Power, Performance, Area).

Ma se da una parte ampliare la capacità è relativamente semplice (soldi permettendo), basta creare nuove linee e Fab, offrire processi produttivi competitivi o superiori alla concorrenza è un altro paio di maniche. Il colosso sudcoreano, con un'onestà che non è sempre di casa nel mondo della tecnologia, ha ammesso che TSMC è ancora davanti, anche se le distanze non sono incolmabili.

"A essere onesti, la tecnologia produttiva di Samsung Electronics è in ritardo rispetto a TSMC", ha affermato Dr. Kye Hyun Kyung, a capo della divisione Samsung Electronics Device Solutions che sovraintende le operazioni globali in fatto di produzione per conto terzi. "Possiamo superare TSMC entro 5 anni".

Insomma, umiltà ma anche fiducia nei propri mezzi. D'altronde proprio di recente è emerso che le tempistiche di TSMC nella messa a punto dei 2 nanometri, basati sui nuovi transistor GAA (Gate All-Around), permettono alla concorrenza di mettersi in pari. Samsung e Intel avranno probabilmente modo di giocarsi le loro carte per strappare qualche cliente, e la leadership tecnologica, al colosso taiwanese.

La casa sudcoreana è stata la prima ad adottare i transistor GAA con il processo SF3F (3GAE) e secondo il Dr. Kye Hyun Kyung la risposta dei clienti "è buona" (nel novembre scorso vi erano state indiscrezioni in merito). Si tratta di una tecnologia di frontiera, che serve per preparare il terreno alla rimonta e al sorpasso. "Attualmente, la tecnologia a 4 nanometri è indietro di 2 anni rispetto a TSMC e quella 3 nanometri di circa 1 anno", ha aggiunto Kye Hyun Kyung.

L'implementazione targata Samsung della tecnologia GAA prende il nome di Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) e nasce con lo scopo di superare le limitazioni prestazionali dei transistor FinFET attuali: da una parte si punta a migliorare l'efficienza energetica tramite la riduzione della tensione di alimentazione, dall'altra le prestazioni grazie all'aumento della corrente di pilotaggio.

Dietro alla sigla MBCFET si nasconde un transistor basato su nanofogli con canali più ampi, che permettono maggiori prestazioni e una migliore efficienza energetica rispetto alle tecnologie GAA che usano nanofili con canali più ristretti.

Samsung produrrà semiconduttori con processo a 1,4 nanometri nel 2027

Intel ha più volte affermato che punta a "riguadagnare la leadership nelle prestazioni e nei consumi entro il 2025", ma adotterà una propria versione dei transistor GAA solo con il processo 20A in arrivo a fine 2024-inizio 2025.

È quindi proprio il lavoro anticipato sui transistor GAA che, a detta del dirigente, darà a Samsung la chance tanto agognata. La casa sudcoreana sta infatti affrontando oggi quei problemi di produzione che TSMC e Intel dovranno fronteggiare tra diverso tempo.

Da una parte il dirigente di Samsung sa sicuramente il fatto suo e cosa comporta il passaggio dai transistor FinFET ai GAA, quindi potrebbe avere ragione nel fissare entro i 5 anni il tempo del sorpasso, ma dall'altra le sue parole appaiono più come un auspicio: non è necessariamente detto che TSMC e Intel avranno problemi nella transizione, anzi le due società sono piuttosto positive a riguardo. Per cui, come si suol dire, chi "vivrà vedrà".