TSMC realizzerà una seconda Fab in Giappone per produrre chip a 6 e 7 nanometri
TSMC realizzerà una seconda Fab produttiva in Giappone per produrre chip con processi a 6 e 7 nanometri. Nella joint venture JASM è entrata anche Toyota. L'impianto, sempre nelle prefettura di Kumamoto, sarà operativo dalla fine del 2027.
di Manolo De Agostini pubblicata il 07 Febbraio 2024, alle 06:01 nel canale ProcessoriToyotaSonyTSMC
TSMC ha annunciato l'intenzione di realizzare una seconda Fab produttiva in Giappone. Gestita dalla joint venture Japan Advanced Semiconductor Manufacturing (JASM), nelle mani di TSMC (86,5%) con partecipazioni di Sony Solutions Corporation (6%), DENSO Corporation (5,5%) e Toyota Motor Company (2%), la nuova Fab si occuperà di produrre chip con processi nelle classi dei 6 e 7 nanometri.
Il nuovo impianto si affiancherà a quello - ormai in dirittura di arrivo, si vocifera di un'inaugurazione entro la fine del mese - focalizzato sulla produzione di chip con processi maturi, annunciato nel 2021.
La Fab sorgerà sempre nello stesso sito, nella prefettura di Kumamoto, con l'obiettivo di sfornare i primi chip entro la fine del 2027. I lavori per la sua costruzione partiranno entro l'anno. TSMC rimarca che, complessivamente, l'investimento in JASM "supererà i 20 miliardi di dollari, con un forte supporto da parte del governo giapponese".
Si prevede che l'espansione del polo produttivo, con tecnologie produttive mature e più all'avanguardia, "migliorerà la struttura complessiva dei costi e l'efficienza della catena di fornitura di JASM".
Con entrambi gli stabilimenti, il sito di Kumamoto offrirà una capacità produttiva totale di oltre 100.000 wafer da 12 pollici al mese realizzati con processi a 40, 22/28, 12/16 e 6/7 nanometri per il settore automobilistico, industriale, consumer e HPC.
Infine, TSMC sottolinea che il nuovo polo produttivo creerà direttamente più di 3400 posti di lavoro ad alta specializzazione. Al momento, non sono state confermate le voci sull'eventuale costruzione di una terza Fab per produrre semiconduttori a 3 nanometri.
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