SK hynix pronta a produrre più memorie LPDDR4 grazie al processo '1a'

SK hynix pronta a produrre più memorie LPDDR4 grazie al processo '1a'

Uso a regime di macchinari per la litografia EUV e altri avanzamenti danno vita al processo 1a nanometri di SK hynix, ulteriore perfezionamento della tecnologia a 10 nanometri che permetterà all'azienda di ricavare fino al 25% di chip DRAM in più da ogni wafer.

di pubblicata il , alle 12:01 nel canale Memorie
SK hynix
 

SK hynix ha annunciato di aver avviato questo mese la produzione di memoria LPDDR4 da 8 gigabit con processo produttivo "1a" nanometri, ossia la quarta generazione della tecnologia a 10 nanometri. L'industria delle memorie DRAM classifica i processi nella classe dei 10 nanometri (cioè tra 20 e 10 nanometri) con le lettere dell'alfabeto.

La lettera "a" (o alpha come la definisce Micron) segue tre generazioni precedenti che rispondono rispettivamente ai nomi 1x, 1y e 1z. SK hynix ha intenzione di mettere nelle mani dei produttori di smartphone le memorie LPDDR4 realizzate con processo 1a nel corso della seconda metà di quest'anno.

L'azienda fa sapere, inoltre, che è la prima volta che adotta per la produzione in volumi con macchinari che usano la luce nel campo dell'ultravioletto estremo (EUV) per il processo litografico, dove averne fatto un uso parziale per la produzione 1y.

SK hynix ritiene che il processo 1a nm aumenterà del 25% il numero di chip DRAM prodotti per wafer rispetto al processo 1z. Per quanto riguarda la memoria realizzata, si parla di LPDDR4 a 4266 Mbps con un consumo ridotto del 20% rispetto alla generazione precedente. La società sudcoreana intende applicare il processo produttivo 1a anche alle memorie DDR5 che l'azienda ha già annunciato nei mesi precedenti.
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