Samsung: in arrivo i chip DDR2 2Gbit a 60nm

Samsung Electronics ha annunciato di aver sviluppato il primo processo produttivo a 60 nanometri per la realizzazione di chip di memoria DDR2 da 2 Gigabit, che verrà utilizzato entro la fine dell'anno in corso per la produzione in volumi di tali chip.

Il processo produttivo a 60 nanometri permette di ottenere un incremento delle prestazioni del 20% rispetto all'attuale processo produttivo a 80 nanometri, sempre per ciò che concerne i chip di memoria DDR2 a 2 Gigabit. Il passaggio al nuovo processo produttivo consentirà inoltre di poter incrementare l'efficienza produttiva del 40% circa.

I chip DDR2 da 2Gb consentono di dimezzare il numero dei componenti utilizzati in un modulo da 8GB costruito con chip da 1 Gigabit. In questo modo è possibile risparmiare il 30% circa di energia per il funzionamento di un modulo di memoria a parità di capacità. La conseguenza diretta di un minor consumo energetico è anche una minore dissipazione del calore, fattore che contribuisce ad incrementare l'affidabilità dei moduli e a ridimensionare le esigenze di sistemi di raffreddamento particolarmente consistenti.

Samsung utilizzerà i chip DDR2 a 2Gb in quattro diversi tipi di moduli: Fully-Buffered DIMM da 8GB, Registered DIMM da 8GB, Unbuffered DIMM da 4GB e SODIMM da 4GB. I nuovi prodotti saranno quindi indirizzati all'impiego con soluzioni server, workstation e notebook ove le prestazioni e la velocità computazionale occupano una posizione di rilievo.

Fonte: Digitimes