Samsung, un nuovo impianto di chip negli USA: produzione al via entro fine 2023

Samsung, un nuovo impianto di chip negli USA: produzione al via entro fine 2023

Samsung Foundry ha intenzione di realizzare un nuovo impianto per la produzione di chip negli Stati Uniti. L'azienda prevede un investimento di 17 miliardi e 1800 posti di lavoro. Sono tre i luoghi candidati per ospitare una Fab che, intoppi permettendo, dovrebbe iniziare a produrre entro la fine del 2023.

di pubblicata il , alle 16:21 nel canale Processori
Samsung
 

Si chiama Project Silicon Silver il piano di Samsung Foundry per espandere la sua capacità produttiva negli Stati Uniti. Stando a quanto riportato da Anandtech, il braccio produttivo dell'azienda sudcoreana avrebbe depositato la documentazione presso le autorità in Arizona, New York e Texas, al fine di trovare una casa per un nuovo impianto che - intoppi permettendo - potrebbe iniziare a produrre nel quarto trimestre 2023, grazie a un investimento complessivo superiore a 17 miliardi di dollari.

La fabbrica potrebbe creare 1800 posti di lavoro e avere un indotto in 20 anni di 8,6 miliardi nell'area in cui sarà situata. La decisione su dove costruire l'impianto sottostà chiaramente agli incentivi (sotto varie forme) che gli Stati saranno in grado di assicurare al gigante asiatico. La spesa dovrebbe aggirarsi intorno ai 5 miliardi di dollari per la costruzione e il terreno, mentre altri 10 miliardi serviranno per l'installazione dei macchinari produttivi.

Samsung non ha rivelato il processo produttivo con il quale inizierà a produrre wafer nell'impianto, ma si specula che potrebbe trattarsi di uno dei futuri processi avanzati, forse i 3 nanometri. L'azienda sudcoreana ha già un impianto chiamato S2 negli Stati Uniti (Austin, Texas) dove produce principalmente con processo 14LPP e derivati, molto usati in svariati settori. In un arco di temporale dalla seconda metà di quest'anno all'intero 2022, Samsung dovrebbe introdurre il processo produttivo a 3 nanometri EUV, importante perché segnerà il passaggio dei transistor dal progetto FinFET (Fin Field-effect) al Gate All Around FET (GAAFET) - MBCFET, Multi Bridge Channel FET, nell'implementazione di Samsung.

L'azienda ha moltissimi clienti negli USA - Nvidia, Tesla, IBM, Qualcomm solo per citarne alcuni - che necessitano di una produzione con processi avanzati e i 3 nanometri potrebbero essere un ottimo candidato. Allo stesso tempo non bisogna dimenticare che la rivale TSMC ha in programma di costruire un impianto produttivo in Arizona da cui, nel 2024, usciranno chip prodotti a 5 nanometri. Al di là delle intenzioni di Samsung, l'arrivo di nuovi impianti produttivi sul territorio statunitense è un segnale di come il Paese voglia evitare di affidarsi completamente o quasi alla produzione estera, un problema deflagrato in tutta la sua evidenza nei primi mesi della pandemia, quando la Cina dovette chiudere impianti e più in generale limitare la produzione, mettendo in difficoltà le grandi realtà hi-tech a stelle e strisce.

0 Commenti
Gli autori dei commenti, e non la redazione, sono responsabili dei contenuti da loro inseriti - info

Devi effettuare il login per poter commentare
Se non sei ancora registrato, puoi farlo attraverso questo form.
Se sei già registrato e loggato nel sito, puoi inserire il tuo commento.
Si tenga presente quanto letto nel regolamento, nel rispetto del "quieto vivere".

La discussione è consultabile anche qui, sul forum.
 
^