Kit DDR da 2 Gbytes: Corsair e G.Skill

Kit DDR da 2 Gbytes: Corsair e G.Skill

Le continue richieste di risorse da parte dei sistemi di fascia alta sta spingendo verso il raddoppio della dotazione di memoria. Analizzati i kit DDR di Corsair e G.Skill, che in due moduli mettono a disposizione un quantitativo di memoria di ben 2 Gbytes. Prestazioni differenti in overclock, ma con costi non comparabili

di pubblicato il nel canale Memorie
CorsairG.Skill
 

Introduzione

Più memoria di sistema a disposizione implica minor rischio di dover ricorrere all'hard disk quale file di scambio quando vengono utilizzate molte applicazioni contemporaneamente, con un potenziale forte impatto sulle prestazioni velocistiche complessive del sistema.

Non solo: con le nuove architetture desktop dual core di Intel e AMD, più memoria di sistema implica la possibilità di avere a disposizione più applicazioni in esecuzione contemporaneamente, beneficiando della disponibilità di due core che possono operare in parallelo sulla stessa applicazione multitasking, oppure ciascuno dedicato ad uno specifico compito.

Negli scorsi anni le dotazioni di memoria mediamente inserite nei sistemi desktop e notebook sono raddoppiate con una periodicità ben precisa, grazie da una parte alla disponibilità di tecnologie memorie sempre più complesse, e dall'altra alla continua discesa di prezzo delle memorie. Che quindi dal taglio attuale di 1 Gbyte di memoria si tenda a spostarsi verso quello di 2 Gbytes, nei sistemi desktop di fascia alta, non deve sorprendere.

Pressoché tutte le schede madri in commercio con supporto a configurazioni di memoria Dual Channel sono dotate di 4 Slot memoria. Tipicamente si preferisce utilizzare due soli moduli memoria per volta e non occupare tutti e 4 gli Slot; questo da una parte lascia spazio di upgrade in un secondo tempo, e dall'altra permette di utilizzare timings di accesso particolarmente spinti. In particolare, i sistemi Athlon 64 non permettono di forzare il timing 1T quando vengono utilizzati 4 moduli memoria DDR400 nel sistema, con un impatto sulle prestazioni velocistiche soprattutto in termini di velocità di scrittura della memoria.

E' anche per questo motivo che i moduli memoria DDR da 1 Gbyte di capacità, proposti poi in kit da 2 moduli per un totale di 2 Gbytes, stanno raccogliendo interesse tra gli utenti più appassionati.

Negli scorsi mesi abbiamo pubblicato, a questo indirizzo, un articolo teorico sulle memorie DDR, mirante a spiegarne principi di funzionamento e storia recente dei vari moduli memoria disponibili sul mercato. All'interno di quell'articolo è stato spiegato il principio di funzionamento di tutti i principali timings di accesso della memoria, utili per ricercare sia le massime prestazioni velocistiche assolute, che un funzionamento completamente stabili.

Tra i vari timings che possiamo modificare (in genere accessibili dal sottomenu Advanced Chipset Features del bios della propria scheda madre) sono quattro le sigle che più di frequente vengono ricordate:

  • CAS Latency (Tcl): indica il ritardo, in termini di cicli di clock, tra l'inoltro di una richiesta in lettura e l'istante in cui il dato è pronto per l'uscita. A valori inferiori della latenza corrispondono prestazioni velocistiche superiori. Ovviamente, una latenza pari a 3 implica performance differenti se la memoria opera alla frequenza di 166 MHz o 200 MHz oppure, ancora, a quella di 250 MHz.
  • RAS to CAS Delay (Trcd): i dati contenuti nei moduli memoria vengono disposti e letti in righe e colonne, partendo sempre prima dalle righe e, in seguito, passando alle colonne. Il Ras to Cas Delay indica il ritardo (delay), in termini di cicli di clock, tra il segnale di RAS e quello di CAS. A valori inferiori corrispondono prestazioni superiori.
  • RAS Precharge Time (Trp): tale valore indica l'intervallo di tempo (sempre espresso in cicli di clock) tra un comando RAS e il successivo. In questo intervallo vengono precaricati i condensatori della memoria. L'operazione di precharge si rende indispensabile per la caratteristica peculiare delle DRAM di cui si è discusso in precedenza. Ovviamente, anche in questo caso, a valori inferiori corrispondono prestazioni superiori.
  • Cycle Time (Tras): intervallo di tempo (espresso in cicli di clock) necessario per prelevare un dato da una cella di memoria e renderlo disponibile per l'output.
    A valori inferiori corrispondono prestazioni superiori.

Se con memorie DDR400 da 512 Mbytes di capacità per chip non è infrequente imbattersi in soluzioni con timings pari a 2-2-2-5, con le memorie DDR400 o superiori da 1 Gbyte di capacità non esistono al momento chip capaci di operare con latenze così conservative. Quello che si verifica tipicamente sono impostazioni pari a 2-3-2-5, come nel caso delle memorie G.Skill e Corsair in prova in queste pagine.

 
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