Micron, memoria HBM quest'anno per competere con Samsung e SK hynix

Micron, memoria HBM quest'anno per competere con Samsung e SK hynix

Micron presenterà entro l'anno la sua versione di HBM (High Bandwidth Memory), andando a competere con Samsung e SK hynix. L'azienda statunitense sta inoltre lavorando sulle memorie DDR5 e le NAND basate su architettura RG (Replacement Gate).

di pubblicata il , alle 10:31 nel canale Memorie
Micron3D XPointDDR5GDDR6
 

A margine dei risultati finanziari, Micron ha parlato della roadmap tecnologica. Sul fronte delle memorie DRAM, l'azienda si aspetta che entro questa estate più di metà della produzione in termini di bit sarà realizzata con i processi 1Y e 1Z, sigle che dovrebbero indicare rispettivamente tra 16 e 14 nm e tra 13 e 10 nanometri.

Nel corso del trimestre fiscale appena concluso, Micron ha iniziato a campionare (sampling) moduli di memoria DDR5 realizzati con processo 1Z e soprattutto ha progredito nella realizzazione di memoria HBM (High Bandwidth Memory), in vista di un'introduzione nel corso dei prossimi sei mesi. L'azienda si unirà così a Samsung e SK hynix nell'offrire questo tipo di memoria, usata anche nell'ambito grafico e negli acceleratori per datacenter.

La speranza è che l'aumento del player sul mercato porti a un calo dei prezzi e un uso più diffuso di questo tipo di memoria. L'azienda sta anche facendo buoni progressi nella messa a punto del processo produttivo "1 alpha" o 1α, un ulteriore passo avanti rispetto all'1Z.

Per quanto riguarda la memoria NAND, Micron afferma di aver registrato avanzamenti importanti nella transizione verso l'architettura replacement gate (RG) che dovrebbe permettere una riduzione della dimensione del die e dei costi, migliorando al tempo stesso le prestazioni e facilitando l'adozione di processi produttivi più avanzati. Micron finora ha adottato l'architettura floating gate, sviluppata in collaborazione con Intel.

La produzione in volumi di NAND "RG" dovrebbe partire già nelle prossime settimane, con le prime consegne previste per il quarto trimestre fiscale dell'anno. "La realizzazione di memoria replacement gate rappresenterà una porzione degna di nota della nostra produzione totale già entro la fine dell'anno fiscale".

Micron continua a puntare fortemente sulla memoria NAND QLC (4 bit per cella), che riduce il prezzo degli SSD e punta a sottrarre quote di mercato agli hard disk in alcuni settori grazie a capacità sempre più elevate. Le consegne di SSD QLC sono cresciute del 60% rispetto al trimestre precedente.

Per quanto concerne la memoria 3D XPoint, Micron si è detta "incoraggiata" dall'accoglienza riservata dai clienti al suo primo prodotto 3D XPoint, X100, rivolto al mercato datacenter. A inizio di questo mese, Micron ha inoltre siglato un nuovo accordo che prevede la vendita di wafer di chip 3D XPoint a Intel.

Infine, l'azienda statunitense ha ravvisato un aumento di oltre il 40% da un trimestre all'altro nella consegna di memoria GDDR6 in termini di bit. Micron si aspetta "una forte crescita con il lancio delle nuove console da gioco che avranno 16 GB di memoria GDDR6. Queste nuove console adotteranno inoltre un SSD al posto dell'hard disk per la prima volta".

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