HBM5, DDR6 e NAND da 400 layer: il futuro secondo SK hynix è già scritto

Dopo una trimestrale record, l'ennesima, e aver mostrato le ultimi novità tecniche, SK hynix ha tenuto l'SK AI Summit 2025 di Seul in cui ha delineato la propria visione per la prossima generazione di memorie DRAM e NAND, introducendo il concetto di "Full Stack AI Memory Creator".

L'azienda sudcoreana intende superare il tradizionale ruolo di fornitore per diventare un vero e proprio co-architetto dell'ecosistema AI, sviluppando soluzioni che integrano strettamente calcolo e memoria.

Secondo il CEO Kwak Noh-Jung, SK hynix si prepara a entrare in una nuova fase della propria storia industriale, in cui la memoria non sarà più un semplice componente, ma un valore centrale nell'infrastruttura AI. L'azienda parla di una transizione dalle soluzioni "incentrate sul calcolo" a un approccio "memory-centric", dove la memoria diventa un elemento attivo nell'elaborazione dei dati.

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L'obiettivo è affrontare direttamente il cosiddetto "Memory Wall", ovvero il crescente divario tra la velocità di elaborazione dei processori e quella della memoria, che oggi limita le prestazioni nei sistemi di intelligenza artificiale e nei datacenter di nuova generazione.

La roadmap di SK hynix si articola in due fasi principali: 2026-2028 e 2029-2031.

Nel primo periodo arriveranno HBM4 16-Hi, HBM4E 8/12/16-Hi e una nuova Custom HBM, sviluppata in collaborazione con TSMC, che sposterà parte delle logiche di controllo e dei protocolli direttamente nel base die della memoria. Questa scelta punta a ridurre i consumi energetici dell'interfaccia e libera spazio utile sul die principale di GPU e ASIC, incrementando l'efficienza complessiva del sistema.

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Accanto alle HBM, SK hynix introdurrà diverse soluzioni DRAM convenzionali e AI-oriented, tra cui LPDDR6, MRDIMM Gen2, LPDDR5R, CXL LPDDR6-PIM e il modulo LPDDR5X SOCAMM2, specificamente pensato per piattaforme di inferenza e acceleratori AI. Sul fronte NAND, l'azienda svilupperà SSD PCIe Gen5 con capacità superiori a 245 TB basati su QLC, e successivamente modelli PCIe Gen6, UFS 5.0 e soluzioni AI-N ottimizzate per applicazioni di intelligenza artificiale.

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Nel triennio successivo, 2029-2031, debutteranno le memorie HBM5 e HBM5E, insieme ai nuovi standard GDDR7-next e DDR6, oltre a 3D DRAM pensate per architetture di calcolo eterogenee. Per la memoria flash, SK hynix mira a realizzare NAND 4D con oltre 400 layer e una nuova classe di soluzioni denominate HBF (High-Bandwidth Flash), progettate per rispondere ai requisiti di banda e latenza richiesti dai carichi AI di prossima generazione. Anche SanDisk ci sta lavorando.