DDR5 Samsung prodotte con processo a 14 nanometri EUV: ecco tutti i vantaggi

Samsung ha avviato la produzione in volumi di memoria DDR5 con processo produttivo a 14 nanometri basato su litografia all'ultravioletto estremo (EUV). Dopo l'applicazione della litografia EUV sulla memoria DDR4, l'azienda asiatica ha "aumentato il numero di layer a 5" per le nuove DDR5 che saranno supportate in prima battuta da Intel con le CPU Alder Lake e Sapphire Rapids per PC e server.

La tecnologia EUV più matura ha permesso a Samsung di raggiungere una densità di bit più alta, migliorare la produttività generale dei wafer di circa il 20% e ridurre il consumo di quasi il 20% rispetto al processo di precedente generazione. Secondo Samsung, la combinazione data dallo standard DDR5 e dal nuovo processo produttivo "aiuterà a sbloccare velocità senza precedenti fino a 7,2 gigabit al secondo, più del doppio dei 3,2 gigabit al secondo delle DDR4".

Tra i prossimi passi nella scaletta dell'azienda c'è l'espansione delle DDR5 a 14 nanometri per supportare "datacenter, supercomputer e applicazioni enterprise", inoltre si punta a una densità di 24 gigabit per rispondere alla domanda mondiale.

A tal proposito, ricordiamo che l'azienda ha già annunciato nel marzo di quest'anno un modulo di memoria DDR5 da 512 GB basato su un materiale High-K Metal Gate (HKMG). Il colosso asiatico, inoltre, non è concentrato solo sui chip DRAM ma anche sui PMIC (Power Management IC), ossia i circuiti integrati posti sul modulo che consentono di regolare l'alimentazione fornita ai chip DRAM.