TSMC pensa già alla Fab per produrre a 1 nanometro: investimento da 32 miliardi di dollari

Mentre fanno ancora discutere i presunti prezzi dei wafer di semiconduttori a 3 nanometri di TSMC, la fonderia taiwanese sembra già guardare al futuro e ai prossimi avanzamenti della sua tecnologia produttiva. Stando ai principali quotidiani economici dell'isola, il vice primo ministro Shen Jong-chin ha dichiarato che la società ha già deciso dove costruirà la sua prima Fab dedicata al processo produttivo a 1 nanometro.

L'impianto dovrebbe sorgere presso il Longtan Science Park, vicino a Taoyuan, nel nord di Taiwan, con un investimento di 32 miliardi di dollari, un incremento importante rispetto ai 20-25 miliardi di dollari necessari per gli impianti deputati alla produzione a 2 e 3 nanometri (N2 e N3).

Il nuovo impianto, la cui operatività non ha una data certa ma che possiamo fissare per la parte finale del decennio, creerà migliaia di posti di lavoro e sarà preceduto dalla messa in opera nel 2025-2026 di una Fab dedicata ai 2 nanometri (N2) che dovrebbe crearne 8000.

I 2 nanometri si preannunciano come un processo produttivo molto importante, di lunga durata. TSMC prevede importanti miglioramenti per la tecnologia N2, atti a ridurre il consumo energetico, aumentando contestualmente la densità e la velocità dei transistor, seppur su una scala più contenuta che in passato.

Uso intensivo della litografia all'ultravioletto estremo (EUV), i nuovi transistor con struttura GAA (Gate All-Around) e in un momento successivo non meglio precisato l'implementazione della "backside power delivery", ovvero un'alimentazione dal retro che ottimizza la trasmissione del segnale eliminando la necessità far passare l'alimentazione al lato anteriore del wafer, contribuiranno alle innovazioni che vedremo sul mercato tra alcuni anni.

Secondo quanto comunicato finora, il processo N2 di TSMC permetterà ai progettisti di incrementare le prestazioni del 10-15% fermo restando lo stesso consumo rispetto al processo N3E basato su transistor FinFET. Allo stesso tempo sarà possibile ridurre i consumi del 25-30% mantenendo la stessa frequenza, il tutto aumentando la densità del 10% sempre rispetto al processo N3E. TSMC, inoltre, promette la possibilità di integrare facilmente i chip prodotti con processo N2 all'interno di package costituiti da chiplet realizzati con processi produttivi diversi.

TSMC non ha ancora svelato i dettagli sul processo a 1 nanometro (N1): molte cose potrebbe cambiare nei prossimi anni, è ancora troppo presto. Non così presto, però, da discuterne con il governo locale in vista della futura espansione: anche a Taiwan, per quanto l'industria hi-tech sia agevolata, non mancano le lungaggini burocratiche.