ARM e TSMC, accordo di collaborazione per il processo FinFET a 7nm

ARM e TSMC, accordo di collaborazione per il processo FinFET a 7nm

Le due società estendono un accordo già in essere da qualche anno per la realizzazione e l'ottimizzazione di SoC destinati al mondo networking e datacenter

di Andrea Bai pubblicata il , alle 17:31 nel canale Processori
ARMTSMC
 

ARM e TSMC hanno annunciato una collaborazione per l'uso della tecnologia FinFET a 7 nanometri per i SoC di futura generazione. Grazie ad un accordo pluriennale tra le compagnie, le soluzioni ARM realizzate tramite il processo produttivo a 7 nanometri di TSMC andranno ad espandersi oltre l'universo mobile per arrivare al mondo delle infrastrutture di rete e dei datacenter di prossima generazione. La collaborazione va ad estendere un rapporto avviato con il processo a 16nm e rinnovato con quello FinFET a 10nm.

Peter Hutton, executive vice president per ARM, ha commentato: "Le piattaforme ARM-based esistenti hanno mostrato un incremento del 10x nella densità di computazione per specifici carichi di lavoro datacenter. Le future tecnologie ARM progettate specificatamente per i datacenter e per le infrastrutture di rete e ottimizzate per il processo 7nm FinFET di TSMC permetteranno ai nostri clienti comuni di ottenere una elevata scalabilità delle architetture a basso consumo per tutti i punti prestazionali".

"TSMC investe continuamente in tecnologie avanzate di processo per supportare il successo dei clienti. Con il nostro processo FinFET a 7 nanometri abbiamo espanso le nostre soluzioni Process and Ecosystem dal mobile all'high performance compute. I clienti che progettano i SoC ad alte prestazioni di prossima generazione avranno benefici dal processo finfet a 7 nanometri che offre più prestazioni allo stesso consumo o minor consumo a parità di prestazioni rispetto al nodo di rpocesso 10n FinFET" ha commentato Cliff Hou vicepresidente ricerca e sviluppo per TSMC.

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11 Commenti
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matrix201516 Marzo 2016, 17:57 #1
Intel comincia a far paura
calabar16 Marzo 2016, 18:18 #2
Intendevi forse dire "ad avere paura"?

Ad ogni modo, quello che bisognerebbe specificare per bene, è che TSMC disporrà di un processo HP sui 7nm, mentre i 10nm dovrebbero invece evolvere i 16nm per applicazioni low power come i SOC mobile (come avvenuto per i 20 nm rispetto ai 28nm).
cdimauro16 Marzo 2016, 22:29 #3
Originariamente inviato da: matrix2015
Intel comincia a far paura

Brrrrr
PaulGuru17 Marzo 2016, 08:20 #4
la legge di Moore non era giunta al termine ?
tuttodigitale17 Marzo 2016, 08:32 #5
@calabar
dai 20 ai 16nm, si sono inventati la scusa dei finfet (vabbè la prima è stata Intel, spacciando i 26nm come 22nm). Dai 10 ai 7nm cosa altro si inventeranno? , se addirittura i 10nm, saranno i 16nm low power. Ma i 16FF lisci (non +)allora cosa sarebbero?

Da 20 a 10nm, nominali, senza nessun tangibile vantaggio di integrazione...
tuttodigitale17 Marzo 2016, 08:42 #6
Originariamente inviato da: PaulGuru
la legge di Moore non era giunta al termine ?

intel nella sua slide (sarà vero) i 10nm di TSMC li paragona agli attuali 14nm attualmente in produzione...
Comunque si, la legge di moore è giunta al termine. Pensa che le SRAM 6T per lavorare ad alta frequenza devono avere dimensioni superiori del 25%. (fonte Samsung). Non si riesce ad integrare bene (o almeno Samsung e GF sono in questa condizione) il componente più voluminoso delle CPU odierne....
gridracedriver17 Marzo 2016, 08:53 #7
Originariamente inviato da: cdimauro
Brrrrr


CVD

...a parte sentirsela, diciamo che Intel a livello x86 può stare tranquilla con i suoi 10nm HP, verso TSMC, fino anche nel 2019 altro che 2018, a meno che Samsung/GF non se ne esce fuori con dei 10nm HP nel 2018...
calabar17 Marzo 2016, 10:10 #8
@tuttodigitale
Mi riferivo ai nanometri "nominali", senza scendere nel dettaglio di come quei nomi sono stati assegnati.
Quel che volevo sottolineare è che non tutti i nodi sono ad alte prestazioni e quindi adatti alla stampa per esempio di schede video o processori ad alte prestazioni.
In questo caso pare che il prossimo processo adatto alle alte prestazioni siano proprio i 7nm di cui parla questa news, mentre i 10nm saranno sostanzialmente dedicati a SOC mobile e chip in quella fascia.
PaulGuru17 Marzo 2016, 11:26 #9
Originariamente inviato da: tuttodigitale
intel nella sua slide (sarà vero) i 10nm di TSMC li paragona agli attuali 14nm attualmente in produzione...
Comunque si, la legge di moore è giunta al termine. Pensa che le SRAM 6T per lavorare ad alta frequenza devono avere dimensioni superiori del 25%. (fonte Samsung). Non si riesce ad integrare bene (o almeno Samsung e GF sono in questa condizione) il componente più voluminoso delle CPU odierne....

Questo oggi, in futuro non si sà.
Anche in passato c'era questo tipo di dubbi riguardo a PP oggi superati.
tuttodigitale17 Marzo 2016, 16:19 #10
Originariamente inviato da: PaulGuru
Questo oggi, in futuro non si sà.
Anche in passato c'era questo tipo di dubbi riguardo a PP oggi superati.


Ora che ci penso con i 7nm, dovremmo passare a transistor silicio-germanio. La legge di moore dà anche dei limiti temporali piuttosto precisi. L'unica che potrebbe mantenere il ritmo è Intel, ma anche lei ha deciso di rallentare.
Oggi andrebbe formulata in questo modo il numero di transistor raddoppia ogni 4-5 anni.

PS con le nuove tecnologie che permettono di impilare transistor uno sull'altro, è possibile aumentare il numero di transistor a parità di litografia, ma ahime non ridurre i consumi di energia, anche se con n-mila miliardi di transistor in più, la rivoluzione potrebbe partire proprio dal design delle moderne architetture... le prestazioni e l'efficienza continueranno a salire...su questo, esattamente come te, ne sono assolutamente certo.

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