IDF Fall 2006 day 3, flash memory e HPC

Oltre ai primari campi di ricerca per quanto riguarda lo sviluppo di processori e chipset, Intel ha all'attivo anche un reparto dedicato allo sviluppo e alla produzione di memorie flash. Non può quindi mancare all'IDF Fall 2006 una sessione dedicata a questo ambito per fare il punto della situazione sulle memorie flash in casa del colosso di Santa Clara.

In particolare Intel si sta focalizzando sulla produzione e lo sviluppo delle memorie flash NOR, attualmene impiegate principalmente all'interno di dispositivi cellulari e palmari, oltre che per la realizzazione di sistemi industrial PC e sistemi Embedded. Intel intende spingere per il settore dei cellulari le memorie Intel StrataFlash (M18), mentre per il mercato dei sistemi embedded la compagnia ha presentato le nuove memorie Multi-level Cell (MLC)P30 e P33 da 64Mbit a 512Mbit. Attualmente inoltre la compagnia ha già avviato la fase di sampling per quanto riguarda le memorie NOR MLC da 1Gbit a 65 nanometri di processo produttivo, mentre sono in corso i test per i primi chip da 2Gbit a 45 nanometri di processo produttivo.

Sul versante delle memorie NAND Intel si trova nella situazione di dover portare avanti un progetto che sostenga la tecnologia Robson che verrà implementata nella futura piattaforma mobile Santa Rosa. Intel ha inoltre confermato di avere in programma la realizzazione di due nuovi stabilimenti produttivi nel 2007 e nel 2008.

Assieme all'aiuto di Micron, Intel sta lavorando allo sviluppo del primo chip di memoria NAND da 4Gbit con processo produttivo di 50 nanometri. Secondo la roadmap mostrata in occasione dell'IDF, le due compagnie dovrebbero essere pronte per il 2007 con questo tipo di chip, mentre per il 2008 è prevista la produzione pilota dei primi chip di memoria NAND a 35 nanometri.

Anche Intel, oltre a Samsung, sta lavorando allo sviluppo delle memorie a cambiamento di fase, ovvero quelle memorie realizzate tramite particolari materiali che a seconda dell'energia applicata possono variare la loro struttura atomica da cristallina ad amorfa. In collaborazione con ST Microelectronics, Intel ha realizzato il primo chip di memoria PCM da 128Mbit. Il colosso di Santa Clara punta molto su questo tipo di memorie, che unisce i vantaggi sia delle memorie NOR, sia delle memorie NAND, sia delle normali memorie RAM. La vera sfida, come evidenziato anche dal grafico, sarà riuscire a portare le memorie PCM ad un livello in cui possano essere confrontabili con le memorie NAND e NOR dal punto di vista del processo produttivo e dal punto di vista delle dimensioni delle celle di memoria.