Samsung, memoria V-NAND di nuova generazione pronta a staccare la concorrenza

Samsung sarebbe a buon punto nello sviluppo della memoria V-NAND di nuova generazione. Il sito sudcoreano ETNews riporta che il colosso asiatico, intenzionato a mettere distanza tra sé e la concorrenza, avrebbe in cantiere la settima generazione della NAND caratterizzata da 160 o più layer. Non è ancora chiaro quando la vedremo a bordo degli SSD, ma ci aspettiamo nuove soluzioni nell'ultima parte dell'anno.

La concorrenza, Micron e Sk hynix, ha realizzato memoria NAND fino a 128 layer, stesso traguardo raggiunto recentemente dalla cinese YMTC. Stando a quanto dichiarato da Samsung, l'attuale generazione di V-NAND (sesta) conta fino a 136 layer. Ogni anno l'azienda sudcoreana porta sul mercato una nuova generazione di V-NAND per i propri SSD e negli ultimi due l'annuncio è arrivato tra maggio e giugno.

Al cuore della nuova memoria vi sarebbe un'architettura Double Stack, ovvero contraddistinta dall'unione di due die collegati tra loro da interconnessioni verticali elettriche e stringhe di bit al fine di formare una memoria con più layer. Finora Samsung ha adottato un design a singolo stack, mentre altri produttori usano da tempo il design a doppio stack.

In base ad alcune stime, la V-NAND a 160 layer dovrebbe garantire un aumento della densità per package del 67% rispetto ai chip a 96 layer. Non sono però da escludere differenze ancora più marcate grazie al passaggio a nuovi processi produttivi o a una struttura capace di salvare più bit per cella: non dimentichiamo che c'è chi come Kioxia sta lavorando su memoria di tipo PLC (5 bit per cella). Non ci sono informazioni sulle velocità o sui prodotti che adotteranno la nuova memoria, ma sono dettagli che certamente scopriremo al lancio.