Samsung SAINT-D, entro l'anno pronta la tecnologia per impilare la memoria HBM su GPU e CPU?

Dopo aver sostituito i vertici della divisione semiconduttori, Samsung Electronics vuole riguadagnare terreno nel mondo della memoria HBM, quella che serve agli acceleratori di intelligenza artificiale per mettere a terra tutti i loro cavalli. Al momento a guidare il gruppo, grazie al rapporto con NVIDIA su HBM3 e HBM3E, troviamo la sudcoreana SK hynix.

Di recente la casa sudcoreana ha fatto il punto sulla roadmap dei processi produttivi, ma non ha condiviso pubblicamente informazioni legate alle memorie HBM: ciò non significa che qualcosa non stia bollendo in pentola.

Secondo il Korea Economic Daily, Samsung introdurrà entro l'anno servizi di 3D packaging per memorie HBM. Oggi le memorie HBM sono realizzate su package 2.5D, ovvero poste accanto (e non sopra) a un chip logico con cui comunicano mediante un interposer.

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Questo passaggio è funzionale all'approdo della memoria HBM4 nel 2026, con la quale il settore andrà verso il 3D stacking della memoria direttamente sui chip logici. Non è un caso che TSMC e SK hynix abbiano rafforzato la loro cooperazione, perché lo sviluppo in 3D elimina sì l'interposer ma richiede la creazione di un base die con processi avanzati (TSMC userà N12FFC+ e N5).

Per quanto riguarda il packaging 3D, Samsung ha creato la piattaforma chiamata SAINT (Samsung Advanced Interconnect Technology) che comprende tre distinte tecnologie di stacking 3D: SAINT-S per la SRAM, SAINT-L per la logica e SAINT-D per apporre la DRAM sopra chip logici come possono essere una CPU ma soprattutto una GPU.

L'azienda sta lavorando su SAINT-D da diversi anni, l'ha annunciata formalmente nel 2022, e ora sembra avvicinarsi il momento della maturità, sebbene sia bene specificare che si tratterà di un'introduzione ai partner, affinché la usino per i loro progetti, non un vero e proprio debutto sul mercato. L'obiettivo di Samsung è quello di non farsi trovare impreparata per il debutto di Rubin e Rubin Ultra, le due soluzioni di NVIDIA con memoria HBM4 e HBM4E annunciate da Jensen Huang al COMPUTEX.

Nelle scorse settimane sono trapelate indiscrezioni su presunti problemi di Samsung nel certificare le memorie HBM3 e HBM3E per l'uso sugli acceleratori di NVIDIA, ma sono state prontamente respinte dalla società. Jensen Huang di NVIDIA, interrogato in merito al COMPUTEX, ha affermato che Samsung non ha fallito alcun test, ma semplicemente deve ottimizzare ulteriormente il prodotto e che non c'è alcun problema di surriscaldamento e consumo.

Per Samsung riguadagnare terreno nel mondo della memoria HBM è fondamentale: secondo TrendForce, una società di ricerca taiwanese, si prevede che la HBM rappresenterà il 30% del mercato DRAM nel 2025 dal 21% nel 2024. Non solo, MGI Research prevede che il mercato dei package avanzati, compresi quelli 3D, crescerà fino a 80 miliardi di dollari entro il 2032, rispetto ai 34,5 miliardi di dollari del 2023.