Samsung, nella roadmap tecnologica arrivano i processi produttivi SF2Z e SF4U

SF2Z e SF4U sono i nomi dei due processi produttivi che Samsung ha inserito nella sua roadmap e che i clienti possono selezionare per produrre i primi chip. L'azienda ha ribadito inoltre che sta lavorando per spingersi oltre gli 1,4 nanometri.
di Manolo De Agostini pubblicata il 13 Giugno 2024, alle 08:00 nel canale ProcessoriSamsung
Samsung Electronics ha svelato i nuovi processi produttivi e le tecnologie che metterà in campo per rispondere alla richiesta di chip sempre più avanzati. La casa sudcoreana l'ha fatto al Samsung Foundry Forum (SFF) U.S., evento annuale che si tiene a San Jose, California, quest'anno accompagnato dal motto "Empowering the AI Revolution".
Per quanto riguarda la roadmap dei processi produttivi, Samsung ha annunciato due novità denominate SF2Z e SF4U. Il primo, definibile volgarmente un processo a 2 nanometri, integra una backside power delivery network (BSPDN) ottimizzata, che colloca i canali di alimentazione sul retro del wafer per eliminare i colli di bottiglia tra le linee di alimentazione e di segnale.
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Secondo Samsung, applicare la tecnologia BSPDN a SF2Z non solo migliora i parametri PPA (consumi, prestazioni e area occupata) rispetto a SF2, il processo a 2 nm di prima generazione, ma riduce anche in modo significativo la caduta di tensione (IR drop), migliorando le prestazioni dei progetti HPC. La produzione di massa di SF2Z è prevista per il 2027.
SF4U, invece, è una variante a 4 nm che offre miglioramenti dei valori PPA grazie all'integrazione di uno scaling ottico (optical shrink), con una produzione di massa prevista per il 2025.
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Nel corso dell'evento Samsung ha ribadito che i lavori sul già annunciato processo SF1.4 (1,4 nm) procedono senza intoppi, con prestazioni e rese in linea per arrivare alla produzione di massa nel 2027. Inoltre, la società ha reso noto che sta lavorando anche a processi più avanzati puntando su innovazioni materiali e strutturali, ma ancora non è pronta per fare annunci.
Samsung è stata la prima a puntare sui transistor GAAFET, dove GAA sta per gate-all-around (GAA), meglio noti anche come successori dei FinFET: ebbene, arrivata al terzo anno di produzione di massa, Samsung è ora fiduciosa di poter produrre la seconda generazione del processo a 3 nm, nota come SF3, nella seconda metà di quest'anno e applicare i transistor GAA anche nei processi a 2 nanometri. "Dal 2022 la produzione GAA è aumentata costantemente ed è destinata ad espandersi in modo sostanziale nei prossimi anni", ha assicurato il colosso asiatico.
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Nel corso dell'evento la società ha anche parlato di come le sinergie interne tra le divisioni Foundry, Memory e AVP possano garantire ai clienti prodotti ad alte prestazioni, basso consumo ed elevata bandwidth che rispondono a requisiti specifici, nel campo dell'IA ma non solo. Samsung può produrre memoria, packaging avanzati e logica con processi di ultima generazione, riducendo i tempi di arrivo sul mercato dei prodotti grazie al lavoro di squadra.
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