Samsung: nuove memorie eMMC da 64GB

Samsung: nuove memorie eMMC da 64GB

L'azienda coreana annuncia l'avvio della produzione delle nuove memorie embedded con processo produttivo di classe 10nm, per dispositivi mobile quali smartphone e tablet

di pubblicata il , alle 08:21 nel canale Memorie
Samsung
 

Samsung Electronics ha annunciato l'imminente avvio della produzione di soluzioni embedded multimedia card (eMMC) da 64GB impiegando il processo produttivo di classe 10 nanometri (tra i 19 e i 10 nanometri). Le memorie NAND da 64 gigabit sono entrate in produzione lo scorso mese.

Myungho Kim, vicepresidente Memory Marketing per Samsung Electronics, ha commentato: "Le nuove eMMC ad alta velocità rafforzano la leadership di Samsung nelle soluzioni di storage basate su memorie flash. Non vediamo l'ora di espandere la nostra lineup di soluzioni di memoria embedded con nuovi chip, perseguendo un'adozione a livello di sistema di processori applicativi ed altri componenti chiave che formino le fondamenta per le più avanzate piattaforme mobile. Questo ci permetterà di meglio rispondere alla domanda di tempestività sul mercato permettendo la progettazione di nuove caratteristiche per la prossima generazione di applicazioni mobile".

Le memorie embedded rappresentano un componente chiave nelle applicazioni mobile come smartphone e tablet. Le soluzioni eMMC ad elevate prestazioni e densità permettono agli utenti di accedere a contenuti multimediali di particolare spessore, come ad esempio i flussi video full HD sui loro dispositivi mobile e aiutano a offrire una migliore esperienza di utilizzo nell'esecuzione di giochi e applicazioni particolarmente esigenti.

I chip NAND a 64Gbit realizzati con processo di classe 10nm saranno impiegati per la realizzazione delle soluzioni eMMC Pro Class 2000 da 64GB. Le nuove memorie embedded superano i livelli prestazionali delle soluzioni Pro Class 1500 basate su interfaccia eMMC 4.5. Le nuove memorie eMMC saranno inviate il prossimo anno al JEDEC per l'adozione come standard del settore.

La nuova soluzione di memoria ha una velocità di scrittura casuale di 2000 IOPS e una velocità di scrittura casuale di 5000IOPS. In aggiunta le velocità di lettura e scrittura sequenziale sono di 20MB al secondo e di 50MB al secondo, ovvero 10 volte più veloci di una memoria esterna classe 10 che legge a 24MB/s e scrive a 12MB/s.

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3 Commenti
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buziobello16 Novembre 2012, 09:18 #1
In aggiunta le velocità di lettura e scrittura sequenziale sono di 20MB al secondo e di 50MB al secondo, ovvero 10 volte più veloci di una memoria esterna classe 10 che legge a 24MB/s e scrive a 12MB/s.


Io direi che lettura è leggermente migliore e scrittura è 4 volte più veloce, che dite?
djfix1316 Novembre 2012, 10:08 #2
correggete l'articolo!! GB sono gigabyte mentre Gb sono gigabit...in oltre è scritto 2 volte velocità di scrittura:
"La nuova soluzione di memoria ha una velocità di scrittura casuale di 2000 IOPS e una velocità di scrittura casuale di 5000IOPS"

immagino che 5000 siano IOPS in lettura.

poi mi sembra vogliate fare casino sul concetto di "classe": scrivendo classe 10nm ci possono essere grossi fraintendimenti con la stessa classe 10 delle SD card; evitate questi accostamenti (io stesso ho dovuto rileggere più volte la frase per comprenderne il senso)
Spectrum7glr16 Novembre 2012, 10:59 #3
l'originale recita:

The new memory solution has a random write speed of 2,000 IOPS (input/output per second) and a random read speed of 5,000 IOPS. In addition, sequential read and write speeds are 260 megabytes per second (MB/s) and 50MB/s respectively, which is up to 10 times faster than a class 10 external memory card that reads at 24MB/s and writes at 12MB/s, Samsung said.


questo risponde ai dubbi qui sopra

è effettiavemnte un bel balzo in avanti...e considerando che questo genere di soluzioni sono quelle che si vedono sui tablet arm-powered direi che è stato fatto un altro passo per ridurre il gap tra tablet e pc veri.

Spero di vederne presto in circolazione con SO potenzialmente adatti alla produzione di contenuti (tipo winRT)

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