Freescale annuncia la disponibilità di memorie MRAM

Fin dal 2003 numerosi colossi del settore delle memorie, tra cui IBM, Infineon, NEC, Toshiba e Motorola, sono al lavoro sull'ambizioso progetto di produzione delle memorie MRAM, acronimo che sta significare Magnetoresistive (o Magnetic) Random Access Memory.

La prima compagnia a scendere in campo relativamente a questo nuovo tipo di memorie è Motorola, ovviamente con la propria sussidiaria Freescale che, tramite un comunicato stampa, annuncia la disponibilità commerciale di un chip di memoria MRAM da 4Mbit e tempo di accesso di 35ns.

Si tratta, in estrema sintesi, di memorie RAM che si basano sulle proprietà del magnetismo ed in particolare sulle resistenze create dai campi magnetici: quando un piccolo campo magnetico viene creato all'interno di una cella di memoria, è possibile risalire al valore di "0" o "1" a seconda della resistenza che si sviluppa.

Il vantaggio delle memorie MRAM sta nen fatto che sono memorie di tipo non volatile, ovvero che conservano l'informazione immagazzinata anche in assenza di corrente, caratteristica che consente, almeno sul piano teorico, di poter ridurre notevolmente i tempi di avvio. Inoltre, fattore non secondario, le memorie MRAM sono in grado di effettuare operazioni di lettura e scrittura molto più velocemente delle memorie convenzionali.

Le memorie MRAM sono in grado, almeno secondo le prime stime, di una velocità di lettura e scrittura di 200MB al secondo. A titolo di confronto il nuovo chip 2Gb OneNand da 60 nanometri, recentemente annunciato da Samsung, è in grado di leggere dati alla velocità di 108MB al secondo ed effettuare operazioni di scrittura a 17MB al secondo.

Ulteriori dettagli circa il nuovo chip di memoria MRAM di Freescale sono disponibili a questo indirizzo.