Intel annuncia di aver sperimentato con successo a 0.065 micron

[Lauro]

il problema è che facendo i transistor(meglio i mosfet non vorrei che qualcuno pensasse ai bjt) più piccoli aumentano i problemi riguardo all'isolamento.Mi spiego i mosfet il terminale di comando possiamo pensarlo come un condensatore che va caricato e scaricato(potenza che non porta segnale utile di informazione). Il dielettrico che costituisce questo condensatore è SiO2 cioè diossido di silicio("quarzo") che è un buon isolante ma ai livelli tecnologici a cui siamo arrivati non è poi mica tanto isolante(lo spessore di questo isolante è di 4 strati atomici).Risultato si consuma più corrente sul gate (non dovrebbe esser così) che per l'informazione che si trasmette.
Per avere una svolta servono nuovi materiali a basso costo tecnologico con cui realizzare gli interuttori.Il massimo sarebbe avere superonduttori ma ho sentito parlare di giunzioni carbonio diamante ma in ambito di potenze elevate

[kurt81]

ecco la soluzione di ripiego che useranno se al raggiungimento del limite fisico non ci sarà una tecnologia valida... ovviamente è solo una mia personalissima opinione, eh...

[kurt81]

anche te stessa idea, eh? CMQ scusa non volevo ripeterti è che con 15 finestre di explorer che apro su hwupgrade prima che le ho lette tutte... sucecde che posto con un pò di ritardo....

[zerothehero]

spero che il concetto di perfezione non sia uguale a quello ottenuto con i prescott a 90 nanometri..

[Dreadnought]

Tempo fa ho letto un articolo sullo sviluppo di CMOS su base di SiC invece che SiO2, questo permette di far lavorare i processori tranquillamente a 300°C invece delle temperature odierne di 100-150°

Già da tempo si conosceva l'utilizzo di Carburo di Silicio, ma non si potevano usare sistemi di litografia per produrre DIE come nel caso dell'SiO2.

Cercate SiC Cmos su google e avrete vari articoli, mi pare che una azienda giapponese sia in grado di metter in produzione questa tecnologia entro pochi anni.
Però ho perso la news.

[midian]

Tempo fa ho letto un articolo sullo sviluppo di CMOS su base di SiC invece che SiO2, questo permette di far lavorare i processori tranquillamente a 300°C invece delle temperature odierne di 100-150°



cosa?????????????????????????????????
mamma mia ke temperature

[midian]

(x me nn puo essere possibile...sono troppi 300°C)

[Dreadnought]

Scritto qua: http://www.ecn.purdue.edu/WBG/Device_Research/CMOS_ICs/Index.html

The CMOS test chip, shown in Fig. 2, contains a variety of digital circuits including inverters, NAND gates, NOR gates, XOR gates, half adders, flip-flops, and two 11-stage ring oscillators. All circuits operate properly from room temperature to 300 C on a single power supply at any voltage between 5 - 15 V. These are the first SiC CMOS circuits to operate on a 5 V supply. Figure 3 shows p-channel and n-channel MOSFET I-V characteristics at 300 C. Threshold voltages are 3.4 V and 1.4 V, respectively.

[MiKeLezZ]

Fare processori che possano arrivare a 300°C mi pare una presa per i fondelli nei nostri ocnfronti di utenti sia perchè giustificherebbe un totale menefreghismo nei confronti dei W dissipati (e ovviamente delle potenze assorbite) sia perchè renderebbe semplicemente invivibile l'ambiente in cui è posto il pc
-ma fortunatamente siamo andando nel teorico andante-

la discesa dei micron per essere efficace deve esser accoppiata ad altrettanto efficaci metodi per la riduzione di calore dissipato -e quindi consumi- e tutto questo per raggiungere, imho, l'obbiettivo non dei ghz ma dell'ottimizzazione del processore (vedi il controller di memoria integrato e vedi le soluzioni multi core)

[Car|o]

... ma dei calcolatori quantistici non si parla più? Per quanto riguarda i computer ottici credo che il vantaggio principale risieda nel fatto che l'impulso luminoso viaggia più in fretta di quello elettrico...

[Dreadnought]

Mikelezz che cosa stai dicendo? il fatto che lavorino bene a 300°C ha il grande vantaggio di non diminuire di prestazioni all'aumentare delle temperatura, il che vuol dire più stabilità generale alle temperature basse.

[leddlazarus]

visti i problemi gia con i 90 nano non so se si riuscira' a fare proc con 65 nano.
anche perchè + si rimpicciolisce e + si cerca di aumentare la freq. e + si aumenta la freq + si scalda.
a questo punto si dovrà dare ragione ad AMD: per aumentre le prestazioni bisogna migliorare l'architettura e non aumentare semplicemente la freq.

[cionci]

Originariamente inviato da Dreadnought
Mikelezz che cosa stai dicendo? il fatto che lavorino bene a 300°C ha il grande vantaggio di non diminuire di prestazioni all'aumentare delle temperatura, il che vuol dire più stabilità generale alle temperature basse.

Ma come risolverebbero il problema della miniaturizzazione ?

[lamp76]

X kurt81
Usa Firefox o Opera e non avrai + bisogno di usare 15 finestre ma una sola.

Il SiC è stato testato finora già fino a 650°C, ma è un processo altamente costoso e che lo stanno sviluppando per ambienti operativi estremi ti satelliti, elettronica per i propulsori ad alta temperatura e sonde spaziali con altissima affidabilità dell'elettronica.

Mentre per i processori ci sono nuove tecnologie promettenti come i tansistors molecolari etc...

[nightmare82]

si ok...ma quei 300°C andranno pur dissipati in qualche maniera...comee??

[Negadrive]

Penso che ci sia un po' di confusione. A leggere il seguente titolo, mi pare che questa tecnologia consenta di operare in condizioni di alta temperatura ambientale, piuttosto che sviluppare essa stessa tutto questo calore:
http://www.compoundsemiconductor.net...azine/7/11/8/1

[barabba73]

Come postato da altri, i processi produttivi 'nuovi' sono sicuramente in fase di sperimentazione/test/sviluppo, solo che se ne parla poco perchè non conviene divulgare informazioni, comunque non penso abbiano già definito la tecnologia da usare, staranno testando più strade. Inoltre il multicore darà loro qualche anno di tempo in più. Le decine di miliardi di $ spese in ricerche andranno ben da qualche parte...

[Banus]

Originariamente inviato da nonikname
Le nuove tecnologie sono in fase di collaudo già da qualche anno , solo che nessun produttore divulga i propri "progressi" per ovvi motivi commerciali.....

Qualcosina trapela sempre
Dello strained silicon e di SOI si parlava prima ancora che Intel e AMD li usassero nella corsa per la CPU più potente:

http://www.lithium.it/articolo.asp?code=48
http://www.lithium.it/articolo.asp?code=18

AMD ha costruito un transistor sperimentale a 10nm con tecnologia double gate, Intel idem con tecnologia simile.
Per transistor sotto una certa scala la tecnologia più gettonata è data dai transistor multigate:
http://www.intel.com/update/contents/si07031.htm

[3171967]

ma davvero è così necessario avere core così piccoli?non ne vedo l'utilità...diminuire le dimensioni del core per poi aumentare il calore da dissipare su "Punti di aggancio"sempre piu piccoli....bah...ma che utilità ha tutto questo...i processori sono gia veloci...quello su cui si dovrebbe lavorare sono il trAnsfer-rate delle memoria di massa e ram...la ram ancora cosi lenta...un hard disk trasferisce massimo 150mb circa (S-ATA) ma poi realmente è gia un MIRACOLO arrivare a 60 effettivi...ma scherziamo?!?le ram non ne parliamo...hanno inventato il dual channel ddr2 ddr3 che partono da 200 per arrivare ad oltre 667..e poi?bah, che inutilità...

[Hex]

... ma dei calcolatori quantistici non si parla più? Per quanto riguarda i computer ottici credo che il vantaggio principale risieda nel fatto che l'impulso luminoso viaggia più in fretta di quello elettrico...