Primo chip SRAM a 32nm da IBM

IBM assieme ai partner tecnologici, AMD, Chartered Semiconductor, Freescale, Infineon e Samsung, ha annunciato di aver realizzato il primo chip di memoria SRAM a 32 nanometri utilizzando la tecnologia High-K/Metal Gate.

Si tratta di una tecnica che IBM ha presentato nel corso del passato mese di gennaio e che prevede l'impiego di un particolare tipo di metallo ad elevata costante dielettrica K in una porzione strategica del transistor, in modo tale che sia possibile superare alcuni limiti fisiologici imposti dai materiali utilizzati per i precedenti processi produttivi e poter, così, avanzare verso processi produttivi più affinati.

I chip prodotti a 32 nanometri saranno così di dimensioni più ridotte rispetto agli attuali e consumeranno meno energia, oltre a dissipare ovviamente una minor quantità di calore. A titolo di confronto IBM dichiara che il processo a 32 nanometri permette di realizzare chip con dimensioni complessive inferiori del 50% rispetto al processo di precedente generazione (45 nanometri) e con un risparmio di energia nell'ordine del 45%. La nuova tecnica sarà resa disponibile a tutti i membri della IBM Alliance nel corso della seconda metà del 2009.

IBM ed i partner, grazie anche all'impiego di un'aggiornata tecnologia SOI appositamente riveduta per il processo a 32 nanometri, hanno così potuto realizzare il primo chip di memoria SRAM a 32 nanometri caratterizzato da dimensioni della cella di memoria al di sotto dei 0,15 micron quadri. Quando si sviluppa un processo produttivo, i chip di memoria SRAM rappresentano il primo, tradizionale, banco di prova per saggiare la qualità del processo.

La nuova tecnica sarà resa disponibile a tutti i membri della IBM Alliance nel corso della seconda metà del 2009.

Fonte: IBM