ARM e TSMC, accordo di collaborazione per il processo FinFET a 7nm
Le due società estendono un accordo già in essere da qualche anno per la realizzazione e l'ottimizzazione di SoC destinati al mondo networking e datacenter
di Andrea Bai pubblicata il 16 Marzo 2016, alle 17:31 nel canale ProcessoriARMTSMC
ARM e TSMC hanno annunciato una collaborazione per l'uso della tecnologia FinFET a 7 nanometri per i SoC di futura generazione. Grazie ad un accordo pluriennale tra le compagnie, le soluzioni ARM realizzate tramite il processo produttivo a 7 nanometri di TSMC andranno ad espandersi oltre l'universo mobile per arrivare al mondo delle infrastrutture di rete e dei datacenter di prossima generazione. La collaborazione va ad estendere un rapporto avviato con il processo a 16nm e rinnovato con quello FinFET a 10nm.
Peter Hutton, executive vice president per ARM, ha commentato: "Le piattaforme ARM-based esistenti hanno mostrato un incremento del 10x nella densità di computazione per specifici carichi di lavoro datacenter. Le future tecnologie ARM progettate specificatamente per i datacenter e per le infrastrutture di rete e ottimizzate per il processo 7nm FinFET di TSMC permetteranno ai nostri clienti comuni di ottenere una elevata scalabilità delle architetture a basso consumo per tutti i punti prestazionali".
"TSMC investe continuamente in tecnologie avanzate di processo per supportare il successo dei clienti. Con il nostro processo FinFET a 7 nanometri abbiamo espanso le nostre soluzioni Process and Ecosystem dal mobile all'high performance compute. I clienti che progettano i SoC ad alte prestazioni di prossima generazione avranno benefici dal processo finfet a 7 nanometri che offre più prestazioni allo stesso consumo o minor consumo a parità di prestazioni rispetto al nodo di rpocesso 10n FinFET" ha commentato Cliff Hou vicepresidente ricerca e sviluppo per TSMC.
10 Commenti
Gli autori dei commenti, e non la redazione, sono responsabili dei contenuti da loro inseriti - infoAd ogni modo, quello che bisognerebbe specificare per bene, è che TSMC disporrà di un processo HP sui 7nm, mentre i 10nm dovrebbero invece evolvere i 16nm per applicazioni low power come i SOC mobile (come avvenuto per i 20 nm rispetto ai 28nm).
Brrrrr
dai 20 ai 16nm, si sono inventati la scusa dei finfet (vabbè la prima è stata Intel, spacciando i 26nm come 22nm). Dai 10 ai 7nm cosa altro si inventeranno? , se addirittura i 10nm, saranno i 16nm low power. Ma i 16FF lisci (non +)allora cosa sarebbero?
Da 20 a 10nm, nominali, senza nessun tangibile vantaggio di integrazione...
intel nella sua slide (sarà vero) i 10nm di TSMC li paragona agli attuali 14nm attualmente in produzione...
Comunque si, la legge di moore è giunta al termine. Pensa che le SRAM 6T per lavorare ad alta frequenza devono avere dimensioni superiori del 25%. (fonte Samsung). Non si riesce ad integrare bene (o almeno Samsung e GF sono in questa condizione) il componente più voluminoso delle CPU odierne....
Mi riferivo ai nanometri "nominali", senza scendere nel dettaglio di come quei nomi sono stati assegnati.
Quel che volevo sottolineare è che non tutti i nodi sono ad alte prestazioni e quindi adatti alla stampa per esempio di schede video o processori ad alte prestazioni.
In questo caso pare che il prossimo processo adatto alle alte prestazioni siano proprio i 7nm di cui parla questa news, mentre i 10nm saranno sostanzialmente dedicati a SOC mobile e chip in quella fascia.
Comunque si, la legge di moore è giunta al termine. Pensa che le SRAM 6T per lavorare ad alta frequenza devono avere dimensioni superiori del 25%. (fonte Samsung). Non si riesce ad integrare bene (o almeno Samsung e GF sono in questa condizione) il componente più voluminoso delle CPU odierne....
Questo oggi, in futuro non si sà.
Anche in passato c'era questo tipo di dubbi riguardo a PP oggi superati.
Anche in passato c'era questo tipo di dubbi riguardo a PP oggi superati.
Ora che ci penso con i 7nm, dovremmo passare a transistor silicio-germanio. La legge di moore dà anche dei limiti temporali piuttosto precisi. L'unica che potrebbe mantenere il ritmo è Intel, ma anche lei ha deciso di rallentare.
Oggi andrebbe formulata in questo modo il numero di transistor raddoppia ogni 4-5 anni.
PS con le nuove tecnologie che permettono di impilare transistor uno sull'altro, è possibile aumentare il numero di transistor a parità di litografia, ma ahime non ridurre i consumi di energia, anche se con n-mila miliardi di transistor in più, la rivoluzione potrebbe partire proprio dal design delle moderne architetture... le prestazioni e l'efficienza continueranno a salire...su questo, esattamente come te, ne sono assolutamente certo.
Beh, se l'è anche cercata: un attacco gratuito e ingiustificato si meritava almeno una battutina.
Come già detto altre volte, ormai da tempo Intel non è legata strettamente a x86: è un'azienda di semiconduttori.
Riguardo a x86, si difendono già molto bene anche adesso che non ci sono ancora i 10nm.
Oggi andrebbe formulata in questo modo il numero di transistor raddoppia ogni 4-5 anni.
E' ancora presto per estenderla così tanto.
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