Samsung: chip di memoria NAND flash da 16 gigabit

Samsung annuncia l'avvio della produzione in volumi di memorie NAND da 16Gbit con processo a 51 nanometri
di Andrea Bai pubblicata il 01 Maggio 2007, alle 08:50 nel canale MemorieSamsung
Samsung Electronics ha annunciato l'avvio della produzione in volumi di chip di memoria NAND Flash da 16 Gigabit. I chip saranno realizzati con processo produttivo a 51 nanometri, attualmente il processo più affinato impiegato per la produzione in volumi di chip di memoria.
I chip di memoria NAND flash sono prodotti con un'efficienza maggiore del 60% rispetto ai chip prodotti a 60 nanometri. I nuovi chip da 16Gb sono caratterzzati da una struttura MLC (Multi-Level Cell) che facilitano l'espansione di capacità, permettendo di realizzare schede di memoria da 16GB. Il nuovo processo produttivo permette inoltre di incrementare dell'80% le velocità di lettura e scrittura.
Le memorie a 51 nanometri hanno una dimensione di pagina di 4KB, che consente di raggiungere una velocità di lettura di 30MB al secondo e una velocità di scrittura di 8MB al secondo. Le memorie MLC a 60 nanometri sono invece caratterizzate da una velocità di lettura di 17MB/s e di 4,4MB/s per quanto riguarda la velocità di scrittura.
La disponibilità sul mercato mainstream è prevista per la seconda metà dell'anno.
Maggiori informazioni sul comunicato ufficiale.
8 Commenti
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ottima notizia, non vedo l'ora di avere un harddisk solid state da 32 GB a un prezzo ragionevole. Se non sbaglio di questi chip ne basterebbero 16, giusto?Quindi NO, non ne bastano 2 di questi chip per fare un HDD
Quindi NO, non ne bastano 2 di questi chip per fare un HDD
Cavolo non me ne sono proprio reso conto che erano 2 Gb
Capirai che innovazione... stai sicuro che se gli altri potessero, farebbero i chip altrettanto piccoli.
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