Samsung annuncia le prime DRAM a 10nm al mondo

Samsung annuncia le prime DRAM a 10nm al mondo

Samsung ha annunciato l'avvio della produzione in volumi delle prime memorie DRAM DDR4 a 10nm. Arriveranno anche in versione mobile e saranno la base degli imminenti smartphone Ultra HD

di pubblicata il , alle 09:21 nel canale Memorie
Samsung
 

La compagnia sudcoreana ha appena dato il via alla produzione in massa dei primi moduli di memoria DRAM con chip DDR4 da 8 gigabiti. Samsung dichiara di essere la prima società a passare ai 10nm, dopo essere stata due anni fa la prima a produrre moduli DRAM DDR3 a 20nm, quella volta con chip da 4 gigabit ciascuno.

"La DRAM Samsung a 10nm consentirà il massimo livello di efficienza nell'investimento dei sistemi IT, diventando così un nuovo motore di crescita per l'industria delle memorie in tutto il mondo", ha commentato Young-Hyun Jun, Presidente della divisione memorie di Samsung Electronics. "Nel prossimo futuro lanceremo anche prodotti DRAM mobile di prossima generazione a 10nm per aiutare i produttori a sviluppare prodotti ancor più innovativi".

Stando alla nota rilasciata dalla società il processo produttivo dovrebbe permettere un aumento nella produttività del singolo wafer del 30% rispetto alle tecnologie precedenti. Il nuovo chip offre un data transfer rate di 3.200Mbps, che si contrappone ai 2.400Mbps delle memorie DRAM DDR4 da 20nm, il tutto con un risparmio energetico dal 10 al 20% rispetto a queste ultime. Grazie alla caratteristica i nuovi moduli possono essere integrati su diverse tipologie di prodotti.

Si parte dal mercato consumer, ad esempio all'interno di sistemi ad elevate prestazioni, sino ad arrivare ai mercati enterprise e server mainstream. I nuovi chip utilizzano una tecnologia proprietaria per il design chiamata Quadruple Patterning Technology (QPT): a differenza delle memorie NAND in cui ogni singola cella è formata da un solo transistor, ogni cella DRAM richiede la presenza di un condensatore e di un transistor, i quali devono essere collegati.

Si tratta di una struttura che diventa sempre più difficile da realizzare con la miniaturizzazione dei processi produttivi, visto che i condensatori devono essere sempre più sottili e al tempo stesso immagazzinare una grande carica elettrica su transistor grandi solo poche decine di nm. Samsung c'è riuscita mediante l'uso del nuovo design QPT che può essere realizzato anche utilizzando l'attuale apparecchiatura fotolitografica. QPT sarà la base delle tecnologie DRAM a 10nm future della società.

Samsung ha preannunciato l'arrivo della tecnologia anche nel segmento smartphone entro la fine dell'anno, laddove la DRAM DDR4 a 10-nm rappresenterà la base per l'imminente mercato UltraHD degli smartphone (sarà questa una caratteristica del prossimo phablet della serie Galaxy Note?). La tecnologia verrà usata all'interno di moduli da 4 a 128GB per PC, notebook e server enterprise, e sarà offerta durante l'anno parallelamente alle attuali tecnologie da 20nm.

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11 Commenti
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emanuele8306 Aprile 2016, 10:25 #1
Incredibile: 8 gigabit[SIZE="7"][COLOR="Red"]i[/COLOR][/SIZE] in un singolo chip.
Bellaz8906 Aprile 2016, 10:47 #2
Quindi, se ho capito bene, in questi chip non viene utilizzata(o meglio non solo) la capacità parassita dei transistor ma ne viene realizzata una vera e propria.

Mi chiedo se questo dimiunisca la frazione di tempo di refresh e quanto questa operazione, ovvero incorporare condensatori 'veri', nel design costi.
Rubberick06 Aprile 2016, 11:05 #3
edit
Raghnar-The coWolf-06 Aprile 2016, 11:55 #4
Originariamente inviato da: emanuele83
Incredibile: 8 gigabit[SIZE="7"][COLOR="Red"]i[/COLOR][/SIZE] in un singolo chip.


E' un proof of principle, e per [B][U]10[/U][/B]nm avere un modulo funzionante in questo periodo è da :hail:

"La tecnologia verrà usata all'interno di moduli da 4 a [U]128GB [/U]per PC"
emanuele8306 Aprile 2016, 12:02 #5
Originariamente inviato da: Raghnar-The coWolf-
E' un proof of principle, e per [B][U]10[/U][/B]nm avere un modulo funzionante in questo periodo è da :hail:

"La tecnologia verrà usata all'interno di moduli da 4 a [U]128GB [/U]per PC"


Sisi ma era la [SIZE="7"][COLOR="Red"]i[/COLOR][/SIZE] di "La compagnia sudcoreana ha appena dato il via alla produzione in massa dei primi moduli di memoria DRAM con chip DDR4 da 8 gigabiti." che era importante :P
Mparlav06 Aprile 2016, 12:09 #6
Entro l'anno avremo i kit da 2x16GB DDR4 3200 a 100 euro al massimo.
A confronto, le G.skill F4-3200C16D-32GVK ora viaggiano sui 180 euro.
lzeppelin06 Aprile 2016, 13:36 #7
Originariamente inviato da: Mparlav
Entro l'anno avremo i kit da 2x16GB DDR4 3200 a 100 euro al massimo.
A confronto, le G.skill F4-3200C16D-32GVK ora viaggiano sui 180 euro.


100 euro per 32 Gb DDR4 3200 ?
lo spero, ma cosa può far dimezzare i prezzi nel giro di così pochi mesi?
Già hanno avuto una riduzione del 30% negli ultimi 5 mesi.
Raghnar-The coWolf-06 Aprile 2016, 15:12 #8
Originariamente inviato da: Mparlav
Entro l'anno avremo i kit da 2x16GB DDR4 3200 a 100 euro al massimo..


Io più che altro vorrei avere i kit da 4x32GB se non x64GB a prezzi ragionevoli

e' da un po' che la memoria massima stalla!
ziobepi06 Aprile 2016, 15:15 #9
Secondo alcuni se le annuncia Samsung ce le ha anche Globalfoundries...

ROTFL
Mparlav06 Aprile 2016, 15:57 #10
Originariamente inviato da: lzeppelin
100 euro per 32 Gb DDR4 3200 ?
lo spero, ma cosa può far dimezzare i prezzi nel giro di così pochi mesi?
Già hanno avuto una riduzione del 30% negli ultimi 5 mesi.


I banchi da 16GB da 2133 sono crollati di prezzo.
Un esempio:
http://geizhals.eu/?phist=1376197

col nuovo processo produttivo, le troverai da 3200 ma ad un prezzo ancora inferiore.

Originariamente inviato da: Raghnar-The coWolf-
Io più che altro vorrei avere i kit da 4x32GB se non x64GB a prezzi ragionevoli

e' da un po' che la memoria massima stalla!


C'è voluto un po' per diffondersi, ma ora si trova a prezzi più che ragionevoli:
http://geizhals.eu/?phist=1376197

queste sono le 2400, le 3200 le paghi oltre 100 euro in più, oggi.
Ma non sarà per molto, presto saranno il nuovo standard.

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