DDR6, GDDR7 e V-NAND V8, Samsung svela alcuni dettagli sulle memorie del futuro

Durante il Tech Day 2021, Samsung ha fatto il punto sulle memorie del futuro, a tutto tondo. L'azienda sudcoreana ha parlato di DDR6, ma anche di GDDR7, HBM3 fino ad arrivare alla memoria 3D V-NAND V8 destinata agli SSD PCI Express 5.0.

Si tratta di prime informazioni di massima, soprattutto per quanto concerne le memorie RAM, ambito in cui stimo accogliendo proprio in queste settimane le prime soluzioni DDR5 (supportate dalle CPU Intel Core di dodicesima generazione desktop). In base agli standard JEDEC, le DDR5 raddoppiano il data rate rispetto alle DDR4 spingendosi fino a 6400 MT/s, ma i produttori si stanno già spingendo oltre e Samsung promette fino a 8400 MT/s.

Con le DDR6 si punterà nuovamente a un raddoppio del data rate, arrivando a 12.800 MT/s, ma i produttori dovrebbero riuscire a spingersi fino a 17000 MT/s. Samsung sta lavorando insieme agli altri membri del JEDEC per completare le specifiche dello standard, passaggio che dovrebbe concretizzarsi nel 2024. L'azienda sudcoreana, di fatti, ha ammesso che siamo ancora nella "fase di sviluppo iniziale" delle DDR6.

Parallelamente proseguono anche i lavori per definire le Low Power DDR (LPDDR) che verranno. A pochi giorni dall'annuncio della produzione delle prime LPDDR5X, Samsung prevede LPDDR6 fino a 17000 MT/s, ma in grado di consumare il 20% in meno.

Per quanto concerne la memoria grafica, con le GDDR6 e le GDDR6X ormai consolidate si guarda al futuro. Prima delle GDDR7, almeno nella roadmap di Samsung, viene indicato l'arrivo nel breve periodo di GDDR6+ da 24000 MT/s prodotte con processo a 1z nanometri. Per quanto concerne le GDDR7 si punta ai 32000 MT/s e all'integrazione di una funzionalità "di protezione dagli errori in tempo reale" non ancora dettagliata.

Sul fronte della High Bandwidth Memory, dopo l'annuncio della HBM3 di SK hynix, anche Samsung ha confermato la produzione della terza generazione della memoria nel secondo trimestre 2022 con una bandwidth nell'ordine degli 800 GB/s. 

Infine, il colosso asiatico ha parlato della memoria 3D NAND "Vertical NAND", meglio nota come 3D V-NAND, destinata allo storage - in particolare con connettività PCIe 5.0. Per l'ottava generazione si punta a creare memoria NAND di tipo TLC con oltre 200 layer e una densità di 512 Gbit e 1 Tbit. Per quanto concerne la velocità di I/O, si dovrebbe passare dai 2 Gbps della settima generazione a 2,4 Gbps.

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