DDR2 Low Latency da Kingston

non male

bhe non male direi...

quando arriveremo a situazioni del tipo 2-2-2-5 o massimo 6 /8 le comprerò

spero arrivino al 2,5...tra un annetto queste memorie forse saranno interessanti..

beh 3-3-3-10 non è affatto male per la ddr2, non credo che si potrà scendere oltre come timings, ma sicuramente si salirà come frequenze!

Ho visto dei test sulle DDR2 e sembra che aldila' dei timings rendano molto bene + si avvicinano agli 800mhz.
Quello che c'e' e' che per sfruttare una banda simile in dual channel ci vuole un bus da 1600mhz quad pumped, anche le 675mhz qui riportate hanno bisogno di un bus da 1350mhz.
Con i sistemi multiprocessori la cosa non cambia visto che le piattaforme DDR2 sono intel e hanno il bus condiviso,quindi lo stesso limite di banda di un monoprocessore.
A mio parere queste memorie sono premature visto la situazione di stallo delle piattaforme DDR2.

bah.. alla fccia della bassa latenza... al momento direi chi son proprio inutili

E' troppo sperare in un 3-1-1-1 ?
Cmq quello che va a 12-4-4-4 a 675MHz sicuramente funziona 5-2-2-2 a 500MHz

Ragazzi chi è così gentile da spiegarmi come vanno letti i Timings e come questi incidono sulle prestazioni???? Grazie mille!!! Pinius

Come fate a lamentarvi di un 10-3-3-3 su delle DDR-2 @ 533MHz?
Sono ottimi direi

lezioncina sui timings

le celle che dcostituiscono la memoria ram vengono organizzate in righe e colonne che, a loro volta, costituiscono delle matrici. la caacità di memorizzazione di ogni singolo modulo è determinata dalla quantità di righe e di colonne che formano la matrice. per poter scrivere e recuperare i dati inseriti nella memoria, è necessario utilizzare dei segnali di controllo capaci di gestire sia l'indrizo della rga sia quello della colonna. i segnali di controllo relativi alla riga prendono il nome di RAS o Row Address Strofe mentre quelli relativi alla colonna sono indicati con CAS o Column Address Strofe. questo meccanismo genera un ritardo fr il momento nel quale viene richiesto l'accesso in lettura e scrittura alla ram e il momento nel quale effettivamente i dati vengono letti o scritti sulla memoria. il ritardo, che viene misurato in cicli di elaborazione, prende il nome di latenza.
quando vogliamo accedere a un particolare dato presente nella memoria, eseguiamo una precisa serie di operazioni ognuna legata a una specifica latenza. inizialmente il controller della memoriaseleziona la riga che contiene la cella. poi, dopo una certa latenza tRCD cioè RAS to CAS Delay, ragguinge la colonna corretta. a questo punto invia un comando di lettura seguito da una latenza CAS e da un'ulteriore tempo tRAS, Active to Precharge Delay, nel quale la riga deve rimanere attiva. completata la lettura, il controller può disattivare la riga ma, prima che il ciclo possa essere ripetuto per la successiva posizione di memoria, deve aspettare un tempo minimo di ricarica: la latenzatRP RAS Precharge.nei moduli di memoria, queste latenze vengono indicate da una serie di quattro cifre elencate generalmente in ordine di importanza. per esempio, la serie "2-3-2-6" indica che la latenza CAS ha una durata di 2 cicli, la tRCD dura 3 cicli, la tRP dura 2 cicli e infine che la tRAS ha una durata di altri 6 cicli.

grazie per la pazienza