Da Samsung primo chip MLC a 64Gb prodotto a 32nm

Samsung Electronics ha annunciato di aver sviluppato il primo chip di memoria NAND flash di tipo Multi-Level Cell utilizzando il processo produttivo a 30 nanometri. Si tratta di un importante passo avanti per quanto concerne la realizzazione di soluzioni di storage flash ad alta densità.

Il processo produttivo a 30 nanometri per memorie NAND flash da 64Gb fa segnare l'ottavo anno consecutivo per ciò che concerne il raddoppio della densità di memoria, ed il settimo anno consecutivo in termini di avanzamento del processo produttivo per le memorie NAND flash, a partire dal processo a 100 nanometri per i chip da 1Gb NAND sviluppato nel 2001.

I nuovi chip flash sono stati realizzati grazie ad una nuova tecnica chiamata "self-aligned double patterning technology" (SaDPT), che permette di risolvere una serie di problemi riscontrati con i processi produttivi da 30 nanometri e inferiori, permettendo così di avanzare a nuove possibilità di sviluppo.

La tecnica SaDPT permette di utilizzare i convenzionali macchinari impiegati per il processo fotolitografico, ottimizzando così i costi di produzione senza dover affrontare ulteriori investimenti per l'espansione e l'aggiornamento delle linee produttive.

Accanto al chip MLC a 64Gb, Samsung ha inoltre sviluppato una versione single level cell a 32Gb, utilizzando le medesime tecniche e tecnologie produttive.

La produzione in volumi dei chip NAND flash da 64Gb a 30 nanometri prenderà il via nel corso del 2009. Secondo quanto stimato da Garnter Dataquest, le memorie realizzate impiegando questi chip potrebbero generare un volume d'affari di circa 20 miliardi di dollari in appena tre anni.

Fonte: NewsWire