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#1 |
www.hwupgrade.it
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75173
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Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/memorie/22243.html
I due colossi hanno annunciato un piano di ricerca e sviluppo congiunto per la realizzazione delle memorie Magnetic RAM Click sul link per visualizzare la notizia. |
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#2 |
Junior Member
Iscritto dal: Feb 2005
Messaggi: 11
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azz
Memorie non volatili... però. |
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#3 |
Senior Member
Iscritto dal: Feb 2002
Messaggi: 7052
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momento angolare di spin non mi suona molto...non mi risulta che lo spin generi momento angolare
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#4 |
Member
Iscritto dal: Feb 2004
Messaggi: 264
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lo spin è il momento angolare...
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#5 |
Junior Member
Iscritto dal: Feb 2007
Città: Bergamo
Messaggi: 20
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Ciò significa che in futuro la ram non essendo volatile permetterà tempi di avvio e spegnimento praticamente immediati ed il confine con lo stand-by come lo conosciamo oggi praticamente non esisterà più!
Bello! per riavviare il pc basterà solo riattivare cpu, hd, dvd e Mb quasi come una lampadina!!! |
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#6 |
Member
Iscritto dal: Jul 2007
Messaggi: 65
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se lavorassero anke 1 pochino + intensamente sulle memorie a cambiamento di fase nn sarebbe male,anke se secondo me l'esercito si è accaparrato la tecnologia x i prossimi 15 anni... daltronde sono 500 volte + veloci delle memorie flash... e si può incrementare ancora notevolmente riducendo il processo produttivo... come dar torto all'esercito,e fatalità è da quasi 1 anno ke nn si sente + nulla in merito a questa tecnologia mmmmmmmmmmm qui gatta ci cova
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#7 |
Senior Member
Iscritto dal: Feb 2002
Messaggi: 7052
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sto leggendo in questi giorni un libro di brian greene e non mi sembra di capire che lo spin sia il momento angolare....
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#8 |
Senior Member
Iscritto dal: May 2007
Messaggi: 1081
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Lo spin puo' essere pensato come il momento angolare di una particella atomica. In realta' non lo e', e' una proprieta' intrinseca delle particelle atomiche e subatomiche.
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#9 |
Senior Member
Iscritto dal: Feb 2002
Messaggi: 7052
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infatti, il momento angolare ha degli effetti a livello di forze. Non mi risulta che lo spin abbia un corrispettivo a livello di forza. Anche perchè, sempre per quelle che sono le mie conoscenze, lo spin non ha un'asse propriamente detto, essendo comunque la particella, bosone o fermione che sia, non intrinsecamente "presente", ma caratterizzata da proprietà in parte definite al momento dell'esame delle stesse.
Per questo mi sembra strano che lo spin abbia effetti di "trasferimento di momento angolare" che già di per se come frase non capisco cosa significhi. Trasferimento in che senso? il momento angolare come lo trasferisci? Forze si intende che si misura l'influenza che lo spin di una particella ha sullo spin di un'altra? |
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#10 |
Senior Member
Iscritto dal: Jan 2006
Città: Bologna
Messaggi: 818
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Senza offesa, ma forse è meglio se parti da qualche lettura più vicina al tuo livello di conoscenza della fisica...
Lo spin è una proprietà fondamentale di TUTTE le particelle elementari, non certo solo di bosoni o fermioni (anche l'elettrone ha uno spin, tanto per fare un esempio) ed esiste un fenomeno per il quale i portatori di carica possono trasferire parte del proprio spin. Inoltre in termini puramente dimensionali è esattamente un momento angolare. In generale è il momento angolare intrinseco di un corpo. Nelle particelle elementari, si parla di momento angolare senza che però questo sia effettivamente associato ad una rotazione. Il fatto poi che nelle scuole si studi il momento angolare in relazione alle forze (alle leve in genere), non vuol dire che debba sempre e comunque essere associato a discorsi sulle forze. |
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#11 | |
Senior Member
Iscritto dal: May 2007
Messaggi: 1081
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Quote:
![]() (scusate, ma quando uno vuole fare lo sborone sulla fisica e poi non sa nemmeno questo... ![]() La cosa e' molto semplice: nella meccanica classica lo spin si puo' definire come la rotazione di un corpo intorno al proprio asse. Dato che in meccanica quantistica parlare di "asse" non ha senso, perche' di una particella non si puo' sapere posizione e velocita' allo stesso momento (per il principio di indeterminazione di Heisenberg), si parla di spin. http://it.wikipedia.org/wiki/Spin http://it.wikipedia.org/wiki/Princip..._di_Heisenberg PS: probabilmente per "trasferimento" intendono fenomeni di accoppiamento, o di entaglement: http://it.wikipedia.org/wiki/Entanglement_quantistico ma di preciso non lo so. Ultima modifica di Lucas Malor : 26-08-2007 alle 00:20. |
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#12 | |
Senior Member
Iscritto dal: Jan 2006
Città: Bologna
Messaggi: 818
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Quote:
Il senso della frase infelice voleva essere che lo spin è una proprietà che si può considerare al di là del modello preso in esame, visto che il concetto è stato inizialmente introdotto (col termine spin) già nella meccanica classica e poi trasposto in quantistica e fisica delle particelle, mea culpa comunque... mi sono espresso male... tutta la questione dello spin transfer e della spintronica in generale, riguarda lo spin dell'elettrone, da qui l'esempio. Ultima modifica di MexeM : 26-08-2007 alle 13:01. |
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#13 |
Senior Member
Iscritto dal: May 2007
Messaggi: 1081
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Dunque, su Wikipedia inglese c'e' qualche informazione sul trasferimento di spin:
http://en.wikipedia.org/wiki/Spin_Transfer_Switching http://en.wikipedia.org/wiki/MRAM#Description A quanto ho capito la cosa e' "semplice". Se una cella di memoria passa da uno stato 0 ad uno stato 1 o viceversa, ad esempio cambiando magnetizzazione lungo la direzione positiva di un asse Z dalla direzione positiva a quella negativa, lo spin degli elettroni cambia. Cio' e' abbastanza facile da capire, se si considera l'elettrone come una particella carica sferica che gira intorno al proprio asse (dite una cosa del genere ad uno studioso di fisica quantistica e vi uccide... :P). La rotazione genera un momento magnetico che puo' cambiare grazie ad un campo magnetico esterno (ossia gli strati ferromagnetici della MRAM). Naturalmente, il cambio di spin genera un momento torcente, che puo' essere trasmesso alle celle di memoria vicine. Questa energia trasmessa permette di poter utilizzare meno energia, e quindi meno corrente, per cambiare lo stato delle celle, e cioe' per scrivere sulla MRAM. Questo permette quindi di ridurre le dimensioni stesse delle celle. Infatti una corrente elettrica troppo intensa potrebbe casualmente influire anche su celle di memoria vicine su cui non si vuole scrivere. Ultima modifica di Lucas Malor : 26-08-2007 alle 13:12. |
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