Da Samsung nuovo storage iperveloce per gli smartphone di ultima generazione

Samsung ha annunciato di aver avviato la produzione in volumi delle prime memorie eUFS 3.1 da 512GB di capacità, specificamente destinate all'utilizzo in abbinamento agli smartphone di fascia più alta presenti in commercio. Oltre a questa capacità Samsung prevede di rendere disponibili anche tagli inferiori, da 256GB e 128GB.

Si tratta di memorie capaci di un netto balzo in avanti delle prestazioni rispetto a quelle eUFS 3.0 disponibili sino ad ora: la velocità di scrittura dei dati, ad esempio, è aumentata sino a 3 volte. Memorie di questo tipo saranno particolarmente utili con gli smartphone di nuova generazione, per i quali ci si attendono capacità di registrazione di video a risoluzione 8K.

Samsung dichiara un valore di picco, nella scrittura sequenziale di dati, sino a 1.200MB/s per queste nuove memorie. Il dato di scrittura random è superiore del 60% rispetto a quanto ottenibile con i moduli eUFS 3.0 attualmente utilizzati sugli smartphone di fascia più alta presenti in commercio.

Nulla cambia per quanto riguarda la velocità di lettura sequenziale dei dati, con un valore di 2.100 MB/s, rispetto alle memorie di precedente generazione. Completano il pacchetto dei dati tecnici valori di 100.000 IOPs per letture 70.000 IOPs per le scritture dei dati.

Per quantificare l'impatto generato da queste nuove soluzioni storage sugli smartphone top di gamma possiamo prendere questo esempio fornito da Samsung: il trasferimento di 100 Gbytes di data avviene in circa 90 secondi, contro un valore di oltre 4 minuti richiesto per la stessa operazione da uno smartphone dotato di memoria eUFS 3.0.