GDDR6W, Samsung raddoppia capacità e bandwidth della memoria grafica grazie allo stacking

GDDR6W, Samsung raddoppia capacità e bandwidth della memoria grafica grazie allo stacking

Samsung ha annunciato GDDR6W, una memoria grafica che tramite tecniche di stacking verticale raddoppia capacità e bandwidth delle GDDR6: l'obiettivo è proporre una memoria efficace come le HBM ma a costi inferiori.

di pubblicata il , alle 09:21 nel canale Schede Video
SamsungGDDR6
 

Non paga dei miglioramenti compiuti sulle memorie GDDR6, capaci di operare fino a 24 Gbps, Samsung ha annunciato GDDR6W, una memoria grafica che attraverso tecniche di stacking verticale raddoppia capacità e bandwidth pur mantenendo le dimensioni di una GDDR6 tradizionale.

Basata sulla tecnologia Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), la GDDR6W di Samsung può essere "facilmente inserita negli stessi processi di produzione che i clienti hanno usato per le GDDR6", sottolinea il colosso sudcoreano.

Come si può evincere dalle immagini, poiché la GDDR6W può essere dotata del doppio di chip di memoria nelle stesse dimensioni di una GDDR6 tradizionale, la densità della DRAM grafica passa da 16 a 32 Gb, mentre la bandwidth e il numero di I/O viene raddoppiato da 32 a 64. "In altre parole, l'area richiesta per la memoria è stata ridotta del 50% rispetto ai modelli precedenti".

La tecnologia FOWLP ha permesso a Samsung di non incrementare la dimensione del package, ma anche di affrontare problemi come la dissipazione del calore e il raggiungimento delle massime prestazioni. "La tecnologia FOWLP monta direttamente il die di memoria su un wafer di silicio, anziché su un PCB. In tal modo, viene applicata la tecnologia RDL (Re-distribution layer), consentendo schemi di collegamento molto più precisi. Inoltre, poiché non viene coinvolto alcun PCB, ne consegue una riduzione del package e una migliore dissipazione del calore".

L'altezza di una GDDR6W è inoltre di 0,7 mm, il 36% in meno delle GDDR6 da 1,1 mm. Quanto alla bandwidth raddoppiata, le nuove GDDR6W mettono nel mirino le soluzioni HBM2E con una bandwidth di 1,4 TB/s e un tasso di trasmissione di 22 Gbps per pin. Le nuove DRAM riducono anche il numero di I/O di un ottavo rispetto alle HBM2E, eliminando la necessità di usare microbump. In questo modo non è richiesto un interposer, con una conseguente riduzione dei costi.

  GDDR6W HBM2E
Numero di I/O a livello di sistema 512 4096
Velocità di trasmissione per pin 22 Gbps 3,2 Gpbs
Bandwidth a livello di sistema 1,4 TB/s 1,6 TB/s

Samsung ha completato la standardizzazione JEDEC della GDDR6W nel secondo trimestre di quest'anno ed estenderà l'applicazione della memoria a dispositivi come notebook e nuovi acceleratori usati per applicazioni AI e HPC grazie alla collaborazione con i partner del settore GPU.

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