A 55 nanometri le tecnologie delle GPU nel 2007

A 55 nanometri le tecnologie delle GPU nel 2007

Per la metà del prossimo anno TSMC metterà a disposizione queste tecnologie produttive per le future generazioni di GPU

di pubblicata il , alle 16:01 nel canale Schede Video
 

Taiwan Semiconductor Manufacturing Co, meglio nota come TSMC, è la più importante fonderia taiwanese, specializzata nella produzione di chip per vari partner tra i quali i due colossi delle schede video ATI e NVIDIA.

In quetsi giorni TSMC ha anticipato la propria intenzione di avviare, nel corso della metà del prossimo anno, la produzione di chip con processo produttivo a 55 nanometri. La finalità è quella di offrire prodotti tecnologicamente più avanzati ai propri clienti, e parallelamente distanziare le fonderie concorrenti UMC e Chartered proprio sul piano tecnologico.

Al momento attuale TSMC ha avviato la produzione in volumi di GPU, sia per ATI che per NVIDIA, basate su tecnologia a 80 nanometri. Il primo risultato di questo sforzo tecnologico è nella soluzione GeForce Go 7700, presentata alcuni giorni fa in abbinamento ad un nuovo notebook Asus (maggiori informazioni a questo indirizzo).

TSMC prevede inoltre che dal prossimo trimestre sarà possibile avviare la produzione dei primi chip con tecnologia a 65 nanometri; è questo processo produttivo, in effetti, che potrebbe venir utilizzato sia da ATI che da NVIDIA per future architetture video. Mancano conferme ufficiali, ma pare lecito attendersi che le GPU G80 di NVIDIA non adotteranno tecnologia a 65 nanometri, a favore di quella a 80 nanometri da poco disponibile.

Ulteriori informazioni sono disponibili a questo indirizzo.

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17 Commenti
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MuadDibb29 Settembre 2006, 16:16 #1

Scusate eh...

Ma come diamine faranno a raffreddare dei chip cosi piccoli?? Non è che alla fine sarà controproducente??
Feanortg29 Settembre 2006, 16:21 #2
Ehmmm il titolo parla di 55 nanometri... Non sono 65?
ChiHuaHua8629 Settembre 2006, 16:22 #3

scusa ma...

io ho sempre saputo:
tecnologia d'integrazione piu piccola=minor consumo=minor calore....
Feanortg29 Settembre 2006, 16:22 #4
Altro errore... "Grazie per aver commentato questa news, fra pochi secondi verrai RIPORATO alla pagina precedente"

DevilsAdvocate29 Settembre 2006, 16:35 #5
Originariamente inviato da: MuadDibb
Ma come diamine faranno a raffreddare dei chip cosi piccoli?? Non è che alla fine sarà controproducente??

Piu' sono piccoli meno dissipano e quindi meno scaldano.
Se intendi dire che la superfice di dissipazione e' piccola, quella non
dipende dal chip in se' ma anche dal package, che resta immutato
(il package e' il contenitore del chip, quello col nome sopra e i piedini sotto)
MenageZero29 Settembre 2006, 16:39 #6
diciamo che ora siamo a 80nm sia per ati che nvidia, almeno per le gpu che iniziano ora produzione massiccia con i "nuovi stampi"...
(ma mi pare dicapire da precedenti news che nelle serie 7xxx e X1xxx 80 e 90 coesisteranno sino allo stop di produzione delle gpu di queste serie o almeno ancora per diversi mesi...)

entro un 3 mesi si inizia a produrre a 65...

ma almeno il nuovo g80 (e derivati se sarà seguito a "brevissimo" da altri modelli della stessa serie), non so quando "esce", sarà ancora a 80 ...

verso metà 2007 si passa a 55...

... mai visti, né su gpu né su cpu, tanti "sbalzi d'umore" prima !

ma come fanno a risparmiare cmq sui costi di produzione con così tante transizioni in poco tempo e "convivenza" di alcuni processi produttivi ?

( così poi, tsmc, sbaglio o "fregherebbe" sul tempo intel o ibm, non so chi è più avanti, nella miniaturizzazione, almeno per quel che riguarda gli "stampi" per chip poi effettivamente da commercializzare ? )
sirus29 Settembre 2006, 16:40 #7
Originariamente inviato da: MuadDibb]Scusate eh...

Ma come diamine faranno a raffreddare dei chip cosi piccoli?? Non è
Non è mai controproducente per una ragione, alla diminuzione della dimensione del transistor corrisponde quasi sempre una nuova architettura che porta in genere all'aumento del numero di transistor necessari, tutto questo permette di non diminuire la dimensione complessiva del die che potrebbe effettivamente diventare controproducente.
Quello che importa non è tanto la dimensione del transistor (che potrebbe portare più che altro a dei current leakage) ma la dimesione del die.

Originariamente inviato da: ChiHuaHua86]scusa ma...

io ho sempre saputo:
tecnologia d'integrazione piu piccola=minor consumo=minor calore....

Vero, ma se la dimensione del die diminuisce troppo (causa processo produttivo inferiore) la superficie dissipante diminuisce e dissipare il calore può
Ehmmm il titolo parla di 55 nanometri... Non sono 65?

La produzione a 65 nm. è già pronta e funzionante, quella a 55 nm. è in fase di test e sarà pronta per H207.
MenageZero29 Settembre 2006, 16:42 #8
Originariamente inviato da: Feanortg
Altro errore... "Grazie per aver commentato questa news, fra pochi secondi verrai RIPORATO alla pagina precedente"


"verrai riporato" non è un errore ma una minaccia perché non hai fatto un commento positivo... anzi scommetto che ad ora se già stato "riporato" e per te non c'è più nulla da fare...
MenageZero29 Settembre 2006, 16:58 #9
Originariamente inviato da: sirus
Non è mai controproducente per una ragione, alla diminuzione della dimensione del transistor corrisponde quasi sempre una nuova architettura che porta in genere all'aumento del numero di transistor necessari, tutto questo permette di non diminuire la dimensione complessiva del die che potrebbe effettivamente diventare controproducente.
Quello che importa non è tanto la dimensione del transistor (che potrebbe portare più che altro a dei current leakage) ma la dimesione del die.

lo stavo pensando anch'io... ma c'è qualcosa che non mi torna:

se io ho un die, diciamo "molto miniaturizzato" per i tempi attuali, con n transistor e ci metto intono altro silicio inerte o tansitor inutillizzati (la circuiteria in cui passa corrente rimane invariata), ho aumentato la superficie e quindi questo die modificato, a parità di tutto il resto del mondo tranne la dimensione della superficie di contatto, lavorerà a temperatura minore in quanto circondato da silicio inutile ?

o ancora se metto transistor utilizzati in più rispetto al tremine di paragone originale, fino ad un totale per es 2*n, (cioò quello che dicevi tu praticamente, ma non sto parlando di cambio di processo produttivo, tutto il discorso a parità di processo, che con il num di transistor iniziale dà die molto piccoli), sempre a parità di tutto il resto tranne superficie di contatto che è cresciuta e calore prodotto che stavolta aumenta (+ transistor funzionanti), questo chip pure in questo caso lavorerà a temperatura minore rispetto all'originale ?

Bulfio29 Settembre 2006, 17:09 #10
Originariamente inviato da: ChiHuaHua86
scusa ma...
io ho sempre saputo:
tecnologia d'integrazione piu piccola=minor consumo=minor calore....

Purtroppo non è così. Si riducono le dimensioni, perchè così, per avere le prestazioni del relativo processo con canale di gate più lungo, serve meno tensione. Ma se usi un canale più corto e una tensione minore, ottieni le stesse potenze del chip più grosso. E dove sta il guadagno? Inoltre se ad ogni variazione di processo cambi le tensioni di alimentazione, insorgono problemi di compatibilità.
Quindi, quello che si fa è ridurre le dimensioni e mantenere le stesse tensioni (o comunque vengono diminuite poco), in modo tale da aumentare la velocità.
Però questo porta a un aumento vertiginoso della dissipazione per unità di area, che è a livelli assurdi (passa più corrente in meno spazio). E' per questo che rispetto a 20 anni fa ci sono devi ventoloni assurdi e siamo a 120W per cpu.

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