Vecchi brevetti Intel potrebbero mettere nei guai TSMC e Samsung: indaga l'ITC statunitense
Daedalus Prime chiede alla USITC di bloccare l'importazione e la vendita negli Stati Uniti di qualsiasi prodotto basato su presunti brevetti violati. L'aspetto interessante è che le tecnologie sono state create da Intel, ma ora sono nelle mani di Daedalus Prime che le ha comprate per farne fruttare la licenza.
di Manolo De Agostini pubblicata il 18 Ottobre 2022, alle 10:11 nel canale MercatoIntelTSMCSamsung
Samsung e TSMC devono affrontare un'indagine da parte della US International Trade Commission (USITC) per accuse di violazione di brevetto che coinvolgono chip e dispositivi mobile contenenti tali chip. La USITC ha avviato il procedimento sulla base di una denuncia depositata da Daedalus Prime LLC di Bronxville, New York.
Un nome di certo estraneo al mondo della progettazione di chip, infatti viene definito come una non-practicing entity (NPE), ovvero una società che detiene un brevetto ma che non lo usa per realizzare prodotti concreti. In poche parole, guadagna concedendo in licenza le proprietà intellettuali a realtà interessate.

L'aspetto curioso è che i brevetti in causa si rifanno a tecnologia sviluppata da Intel, di cui Daedalus Prime ha acquisito i diritti all'inizio di quest'anno. Si tratta di brevetti vecchi che non sono ancora scaduti, e che Intel ha conferito al miglior offerente in modo da massimizzare l'entrate.
Secondo Daedalus Prime, i brevetti infranti coinvolgono chip prodotti da Samsung basati sui processi a 14nm e inferiori, oltre a chip realizzati da TSMC con tecnologia a 16 nm e inferiore. La denuncia copre anche smartphone, tablet e smartwatch contenenti i chip in questione e, a quanto pare, la società ha denunciato anche Qualcomm in procedimento separato.
Daedalus Prime, rivolgendosi alla USITC, richiede sostanzialmente di bloccare l'importazione e la vendita negli Stati Uniti di qualsiasi prodotto basato sui brevetti in questione. Una delle proprietà intellettuali al centro della denuncia, lo US Patent 9,831,306, è intitolata "Self-aligned Gate Edge and Local Interconnect and Method to Fabricate Same" e sembra rifarsi a un metodo per creare il gate di un transistor FinFET.










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