Samsung inaugura una nuova fabbrica per le memorie a 20nm

Samsung Electronics ha avviato le operazioni della nuova fabbrica di produzione di memorie Line-16 che rappresenta il più grande stabilimento produttivo al mondo per questo settore. L'avvio delle operazioni presso la nuova fabbrica coincide inoltre con l'avvio della produzione in volumi di memorie DDR e NAND flash con processo a 20 nanometri.

"L'industria dei semiconduttori si trova in un periodo di feroce volatilità ciclica, per questo l'apertura di questa fabbrica e l'avvio della produzione delle prime memorie DRAM al mondo con tecnologia a 20 nanometri sono importanti pietre miliari per rafforzare la leadership di Samsung nel settore" ha commentato Kun-hee Lee, presidente dell'azienda.

Il nuovo stabilimento è situato presso il Nano City Complex di Samsung, nella provincia di Gyeonggi, e dispone di uno spazio di lavoro di circa 198 mila metri quadrati. La costruzione dello stabilimento è stata avviata dall'azienda coreana nel mese di maggio 2010 ed il completamento dei macchinari per le camere bianche è avvenuto nel maggio dell'anno in corso. La produzione di prova è stata condotta nel mese di giugno, e nel mese di agosto sono state portate avanti tutte le attività per rendere la fabbrica pronta alla produzione in volumi.

Con l'avvio della produzione presso la nuova fabbrica, che costituirà un investimento complessivo di oltre 10 miliardi di dollari USA per il completamento, Samsung ha l'obiettivo di rafforzare ulteriormente la propria posizione di leader nel segmento di mercato dei semiconduttori per memorie, mettendo inoltre a disposizione la tecnologia e la capacità per supportare la crescita a lungo termine dell'industria IT.

A partire da questo mese Samsung ha avviato la produzione di chip di memoria NAND flash a 20 nanometri, con un volume di produzione mensile stimato che supera i diecimila wafer da 300mm. L'azienda ha inoltre annunciato la prima produzione in volumi di chip da 2Gb a 20 nanometri. La possibilità di impiegare il processo produttivo a 20 nanometri consentirà a Samsung di incrementare la produttività del 50% e di ridurre il consumo energetico del 40% rispetto al precedente processo produttivo a 30 nanometri.

Guardando al futuro, Samsung ha intenzione di utilizzare entro la fine dell'anno in corso il processo a 20 nanometri per la produzione di chip DDR3 dalla densità di 4Gb, che verranno impiegati il prossimo anno per la produzione in volumi di moduli DDR3 da 4GB, 8GB, 16GB e 32GB. Sempre nel corso del prossimo anno l'azienda si dedicherà a sviluppare un nuovo processo nella classe dei 10 nanometri per la realizzazione di chip di memoria NAND.