OCTRAM, transistor in verticale per la 3D DRAM di Kioxia e Nanya

La giapponese Kioxia ha annunciato di aver sviluppato OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM) insieme a Nanya Technology. Nello specifico, le due società hanno prodotto un array OCTRAM funzionante da 275 Mbit (~34 MB). La nuova soluzione, sostanzialmente una 3D DRAM, vuole prendere due piccioni con una fava: aumentare ulteriormente la densità di archiviazione e ridurre i consumi.

OCTRAM è un nuovo tipo di "4F² DRAM", una struttura delle celle di memoria in cui i transistor sono disposti verticalmente e che consente una riduzione della superficie del die del 30% rispetto alla precedente tecnologia 6F² DRAM.

La soluzione di Kioxia è costituita da un transistor a ossido-semiconduttore a forma di cilindro che presenta contemporaneamente un'elevata corrente di spunto e una bassissima corrente di spegnimento. "Questa tecnologia dovrebbe permettere di realizzare una DRAM a basso consumo, sfruttando le proprietà di bassissima dispersione del transistor InGaZnO". La sigla InGaZno sta per un composto di indio (In), gallio (Ga), zinco (Zn) e ossigeno (O).

In una nota stampa Kioxia spiega che il transistor verticale InGaZnO raggiunge un'elevata corrente di spunto di oltre 15μA/cella (1,5 x 10-5 A/cella) e una bassissima corrente di spegnimento inferiore a 1aA/cella (1,0 x 10-18 A/cella) grazie all'ottimizzazione del dispositivo e del processo.

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Nella struttura OCTRAM, il transistor verticale InGaZnO è integrato sopra un condensatore ad alto aspect ratio (processo capacitor-first), una disposizione che consente di disaccoppiare l'interazione tra il processo avanzato del condensatore e le prestazioni dell'InGaZnO.