NAND Flash più veloci grazie a Micron e Intel

Intel e Micron hanno annunciato nella giornata di oggi lo sviluppo di una nuova tecnologia di realizzazione delle memorie NAND flash che consente di raggiungere una velocità di cinque volte superiore rispetto a quanto possibile attualmente.

La nuova tecnologia permetterebbe una velocità di lettura di 200MB al secondo e di 100MB al secondo in scrittura rispetto ai 40MB7s e 20MB/s delle attuali memorie NAND single level cell.

Il raggiungimento di questo obiettivo è in parte dovuto alle nuove specifiche ONFI (Open Nand Flash Interface) 2.0 che prevedono la riduzione del tempo di trasferimento dati da e verso il buffer dati utilizzando la tecnologia Double Data Rate e permettono di utilizzare frequenze operative elevate grazie ad un preciso allineamento al segnale di clock.

Queste specifiche, abbinate all'architettura di tipo four-plane e a maggiori velocità di clock, hanno permesso ad Intel e Micron di realizzare chip particolarmente veloci.

Frankie Roohparvar, Vicepresidente della divisione NAND di Micron, ha dichiarato: "Stiamo lavorando assieme ai partner per ottimizzare le tecnologie di sistema che possono trarre vantaggio da questo incremento di prestazioni. Micron è impegnata nell'innovazione delle memorie NAND e nella progettazione di nuove caratteristiche per la realizzazione di soluzioni per lo storage dei dati destinate ai dispositivi consumer e computing più diffusi".

Non è dato sapere quando la nuova tecnologia sarà pronta per la fase di produzione in volumi e la conseguente commercializzazione per l'utilizzo all'interno dei dispositivi consumer.

Fonte: PR Intel