Da Toshiba nuove memorie FeRAM

Toshiba Corporation ha annunciato la realizzazione di nuovi prototipi di nuove memorie FeRAM - Ferroelectric Random Access Memory - con densità di 128 megabit e velocità di lettura e scrittura di 1,6GB al secondo, caratteristiche che rappresentano la migliore combinazione di prestazioni e densità mai raggiunta. I dettagli delle nuove memorie FeRAM saranno illustrati in occasione dell'International Solid State Circuits Conference 2009 a San francisco questa settimana.

Le nuove memorie FeRAM di Toshiba sono basate su un'architettura differente rispetto all'originaria chainFeRAM sviluppata dal colosso nipponico. La nuova architettura permette di ottenere una maggiore scalabilità del chip, ovvero maggiore possibilità di ridurne le dimensioni, e controbuisce a contenere la degradazione del segnale elettrico, il principale problema nella riduzione delle dimensioni di un chip.

Toshiba ha così potuto realizzare un chip FeRam di ridotte dimensioni a 128 megabit di densità. Il nuovo chip include inoltre un nuovo circuito in grado di predire e controllare le fluttuazioni dell'alimentazione e che supporta il trasferimento dati ad alta velocità. Grazie a questa caratteristica è possibile integrare un'interfaccia di tipo DDR2 per massimizzare il trasferimento dati ad elevata velocità e a basso consumo, raggiungendo così una velocità di lettura e scrittura di 1,6GB al secondo. Con lo sviluppo di queste nuove memorie FeRAM Toshiba ha superato il proprio record di 32-megabit di densità e 200 megabit di trasferimento dati, ottenendo prestazioni otto volte superiori a quanto raggiunto da qualunque memoria RAM non volatile.

Le memorie FeRAM sono in grado di unire la velocità operazionale delle memorie DRAM alla capacità di mantenere le informazioni anche in assenza di refresh, caratteristica tipica delle memorie SRAM. Toshiba continuerà a portare avanti le attività di ricerca e sviluppo nel campo delle memorie FeRAM, con l'obiettivo di raggiungere nuovi livelli di densità e per allargare l'impiego ad una vasta gamma di applicazioni, incluse memorie per i telefoni cellulari, memorie cache in prodotti come PC e SSD e più in genere soluzioni di memorizzazione per dispositivi mobile computing.

Maggiori informazioni disponibili sul comunicato ufficiale.