Intel: processo produttivo a 45 nanometri

Intel mantiene fede allo slogan collegato al nuovo marchio (Leap Ahead, un balzo oltre), presentando il primo chip dotato di processo produttivo a 45 nanometri, contro i 65 nanometri dei processori più evoluti attualmente prodotti. Per chi ha poca dimestichezza con l'argomento possiamo sintetizzare affermando che un processo produttivo caratterizzato da un valore numerico dell'unità di misura più basso indica drastici miglioramenti sotto diversi punti di vista.

Il valore 45 nanometri indica la distanza fra i gate del transistor; ciò permette di stipare più transistor a parità di superficie rispetto ad un processo produttivo "più ingombrante", oltre a garantire un consumo inferiore ed una ottimizzazione dei costi di produzione una volta raggiunta la produzione in grandi volumi.

Il chip realizzato con questa nuova tecnologia è di fatto un chip memoria SRAM (Static Random Access Memory), di quelli utilizzati per intenderci per le memorie cache dei processori. La capacità raggiunta su una superificie di soli 119 mm² (un quadrato di poco meno di 11 mm di lato) è di ben 152Mbit, ovvero oltre 19 MB, mentre il numero di transistor complessivi supera il miliardo.

Ogni cella di memoria di questo nuovo chip misura più o meno la metà di una cella di memoria di un chip equivalente ma realizzata con processo a 65 nanometri. Il lavoro iniziale si è focalizzato sulla realizzazione delle celle di memoria a 45 nanometri, ognuna di esse composta da 6 transistor e caratterizzata da un'area di 0.346 µm².

E' ovviamente nelle intenzioni di Intel sfruttare il processo produttivo a 45nm per la produzione di massa, che avverrà verosimilmente nella seconda metà del 2007. Il prossimo passo? Nel mirino si intravedono i 32nm, con ogni probabilità stravolgendo l'attuale tecnologia applicata in questo campo con l'introduzione di transistor 3D non planari, allo studio da tempo e attesi per il 2009.

Fonte: EETimes