In produzione Tualatin

Assago (Milano), 16 novembre 2000 -- HILLSBORO, Oregon, 7 novembre 2000 - Intel Corporation ha recentemente annunciato il completamento dello sviluppo della sua tecnologia per circuiti logiciper cicuiti logici della generazione a 0,13 micron (130 nanometri), che consente di produrre chip con transistor che misurano circa 1/1000 di un capello umano. Pietra miliare nel continuo impegno Intel per ridurre le dimensioni dei chip rendendoli più potenti, questa tecnologia evoluta di processo entrerà in produzione in volumi il prossimo anno e porterà ad una nuova generazione di microprocessori ad elevate prestazioni, che possono contenere oltre 100 milioni di transistor e funzionare a velocità di clock di vari GHz. L’azienda ha creato RAM e microprocessori statici funzionali utilizzando questa tecnologia, che presenta una larghezza di transistor gate di 70 nm, uno spessore del gate oxide (ossido di controllo) di 1,5 nm, connessioni in rame e dielettrico a bassa costante k. e low-k dielectric. (Un nanometro è la miliardesima parte di un metro). Intel è la prima azienda che ha completato lo sviluppo della tecnologia di processo della generazione a 130 nm e ha dimostrato di essere pronta per la produzione presentando circuiti integrati complessi. Intel presenterà i dettagli di questa tecnologia di processo all’International Electron Devices Meeting (IEDM) in dicembre 2000. “Questo risultato sottolinea ancora una volta la nostra fiducia nella legge di Moore”, ha affermato Sunlin Chou, Intel Vice President e General Manager del Technology and Manufacturing Group. “Bisogna elogiare i nostri team di sviluppo che hanno superato più volte i problemi tecnici che si sono presentati per accelerare l’arrivo della nuova generazione della tecnologia basata su silicio”. ”.

Il recente annuncio si va ad aggiungere all’impegno decennale di Intel per l’introduzione di una nuova tecnologia ogni due anni. “Il processo a 130 nm di Intel incorpora un numero veramente elevato di avanzamenti progressi tecnologici simultanei”, ha aggiunto Chou. “Abbiamo cominciato a lavorare in queste direzioni su questi progressi parecchi anni fa. Riteniamo che il nostro processo a 130 nm sarà il primo ad entrare in produzione in volumi e a offrire prodotti con prestazioni, densità ed efficienza di potenza eccezionali”.

I transistor più veloci del mondo e le connessioni ad elevate prestazioni La tecnologia di processo a 130 nm di Intel si basa sui transistor più veloci del mondo: i transistor sono gli elementi di base, ovvero la base dei microprocessori veloci. Per ottenere questo risultato, Intel utilizza un gate molto piccolo transistor gate e la più sottile delle pellicole sottili (thin film) utilizzate per realizzare questi transistor ultra veloci. Il gate del transistor gate di Intel misura solo 70 nm (0,07 micron di lunghezza), ed è il più piccolo del settore. Questa tecnologia presenta utilizza inoltre uno spessore di ossido sul gate un gate oxide di 1,5 nm che è il più basso piccolo del settore per una tecnologia di produzione. Il gate oxide di 1,5 nm offre la migliore prestazione di transistor del settore a una tensione di esercizio più bassa. Oltre al piccolissimo transistor gate e agli ossidi sottili, la tecnologiail processo per circuiti logici logica a 130 nm di Intel presenta una tecnologia di interconnessione ad elevate prestazioni che si basa su sei strati di rame Dual Damascene. Il rame è un conduttore di corrente elettrica migliore della corrente elettrica rispetto all’alluminio, che era il materiale utilizzato da Intel per la metallizzazione nelle prime generazioni di tecnologia di processo. Le connessioni metalliche mantengono un elevato rapporto spessore/larghezza (aspect ratio)Intel mantiene una elevata aspect ratio (spessore/larghezza)pari a di 1,6:1, per quanto riguarda le linee di metallo, così che, pur diminuendo la larghezza della linea per fornire una migliore densità, il metallo viene mantenuto spesso per ridurre la resistenza della linea. La capacita’nza del conduttore viene mantenuta bassa grazie a isolanti dielettricilow-k dielectric SiO2 fluorine-doped drogati con fluorine a bassa costante dielettrica (costante dielettrica di 3,6). Questo Low-k dielectric costituisce il materiale isolante tra gli strati della metallizzazione. Un buon isolante è in grado di isolare i segnali elettrici evitando che interferiscano tra loro.

La combinazione di transistor più veloci e connessioni ad elevate prestazioni presenti neldel processo a 130 nm di Intel consentirà di aumentare la velocità dei circuiti dei microprocessori sino al 65% rispetto a quella ottenuta con la tecnologia a 180 nm.

Bassi consumi e costi Il processo logico a 130 nm di Intel funzionerà a tensioni 1,3 volt o anche menoinferiori, e cio’ costituisce abbassando una riduzione dila tensione del 20% rispetto alle tecnologie allo stato dell’arte di oggi. Questo porterà ad una riduzione del consumo di energia e prolungherà la durata delle batterie nei microprocessori per PC portatili. Dato l’aumento dellal momento che le quantita’dimensioni della memoria cache presente nei microprocessori aumentano, le dimensioni delle celle di SRAM hanno un maggiore impatto sull’area del chip e sui costi di produzione. Intel ha concentrato i propri sforzi sulla riduzione delle dimensioni delle celle di SRAM nel suo processo a 130 nm. Sono state ottenute alte rese di I chip ad elevato rendimento con SRAM a 18 Mbit, sono stati realizzati con una cella di SRAM a sei transistor delle dimensioni di 2,45 micron quadrati, ovvero 2,3 volte più piccola rispetto a quelle del processo a 180 nm. È in via di sviluppo una cella di SRAM di 2,09 micron quadrati, quindi ancora più piccola, che farà sì che queste celle di SRAM siano le più piccole conosciute nel settore. Come annunciato in precedenza, Intel prevede di cominciare la produzione del processo a 130 nm su wafer da 300 mm nel 2002, circa un anno dopo l’inizio della produzione su wafer da 200 mm. Il costo di produzione dei chip su wafer da 300 mm sarà inferiore di circa il 30% rispetto alla produzione su wafer da 200 mm.

Intel dimostra di essere pronta per la produzione

Come sempre Intel porta avanti la sua abitudine utilizza circuiti di testdi utilizzare elementi di prova simili ai prodotti per dimostrare e raffinare le nuove capacità di processo. Nell’ultimo anno sono stati fabbricati wafer contenenti un circuito di testelemento di prova con SRAM a 18 Megabit con il processo a 130 nm. Questo elemento di provacircuito di test con SRAM funziona attualmente a oltre 1,6 GHz, ementre si prevedono velocità anche maggiori man mano che il processo viene perfezionato. Sono stati fabbricati anche microprocessori che funzionano a velocità maggiori rispetto alla tecnologia a 180 nm.