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Recensione Samsung Galaxy Z Fold7: un grande salto generazionale
Recensione Samsung Galaxy Z Fold7: un grande salto generazionale
Abbiamo provato per molti giorni il nuovo Z Fold7 di Samsung, un prodotto davvero interessante e costruito nei minimi dettagli. Rispetto al predecessore, cambiano parecchie cose, facendo un salto generazionale importante. Sarà lui il pieghevole di riferimento? Ecco la nostra recensione completa.
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Old 15-09-2011, 13:59   #1
Redazione di Hardware Upg
www.hwupgrade.it
 
Iscritto dal: Jul 2001
Messaggi: 75173
Link alla notizia: http://www.hwupgrade.it/news/cpu/tec...tel_38504.html

Confermati i piani di sviluppo tecnologico dell'azienda americana per le proprie future architetture. Progressivo allineamento tra Core e Atom anche da questo versante

Click sul link per visualizzare la notizia.
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Old 15-09-2011, 14:13   #2
solidsnake87
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Messaggi: 1114
Scusate l ignoranza, che cosa si indica con il termine processo produttivo? E che differenza c è tra 65nm, 45nm, 32...?
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Old 15-09-2011, 14:14   #3
calice
Bannato
 
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Messaggi: 37
14 nanometri, ed è RECORD DEL MONDO
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Old 15-09-2011, 14:15   #4
theraizen
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Iscritto dal: Feb 2008
Messaggi: 35
solidsnake: processo produttivo indica la modalità con la quale fanno determinati chip. La differenza sta nella grandezza (anche se poi i vantaggi sono su mille altri fronti, ad esempio consumi).

Ma il limite fisico a quanto sta?
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Old 15-09-2011, 14:29   #5
Cappej
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L'Avatar di Cappej
 
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14 nm?!?!?!
minchia!
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Old 15-09-2011, 14:31   #6
Rikardobari
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Città: Bari
Messaggi: 2697
il limite fisico un po' di tempo fa si mormorava fossero 11nm fino a quando uno studente giappones/cinese in una università della california aveva scoperto come produrre transistor di 5nm
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Old 15-09-2011, 14:35   #7
Cappej
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Originariamente inviato da solidsnake87 Guarda i messaggi
Scusate l ignoranza, che cosa si indica con il termine processo produttivo? E che differenza c è tra 65nm, 45nm, 32...?
"Spiegazione da: ragioniere ad un bambino al bar"

14 nano metri sono le dimensioni dei transistor che compongono il processore.

Il processo produttivo è appunto la tecnologia, le risorse, le conoscenze che permettono ad un transistor prodotto a 14 nm di funzionare!...

Più piccolo è il processo produttivo, maggiore sarà il numero di transistor presenti nel DIE della cpu (ovvero il cuore pensante della cpu... quello dove metti la pasta siliconata...).

Più transistor nella CPU = Più potenza della stessa ovvero maggiore potenza di calcolo e minor produzione di calore... quest'ultima cosa non me la chiedere perchè non me la ricordo... (in teoria più transistror= più calore; inoltre più sono piccoli = più resistenza al passaggio di corrente, ovvero + calore, invece è l'esatto contrario...)

ciao
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Old 15-09-2011, 14:37   #8
piererentolo
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il limite fisico un po' di tempo fa si mormorava fossero 11nm fino a quando uno studente giappones/cinese in una università della california aveva scoperto come produrre transistor di 5nm
Penso che con 11 nanometri siano molto vicini al limite del silicio, per altri materiali non sò
__________________
Vi metto i miei gusti, almeno non ci sono fraintendimenti.
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Ultima modifica di piererentolo : 15-09-2011 alle 14:50.
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Old 15-09-2011, 16:06   #9
gondsman
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Messaggi: 210
@Cappej: Facendo un discorso a spanne, piu' transistor consumano di piu', per evidenti motivi di numero. I processori costruiti con ecnologie "downscaled" consumano di meno perche' le capacita' ai nodi sono piu' piccole per le ridotte dimensioni dei dispositivi (anche se ci sarebbero da fare considerazioni sulla corrente di leakage e altre menate). Quindi l'aumento della complessita' viene bilanciato dalla diminuzione dei consumi della singola cella, e per questo puoi continuare a raffreddare ad aria un processore 100 volte piu' potente di uno di 10 anni fa. Inoltre parte di quella complessita' aggiuntiva viene usata per sistemi di risparmio energetico (clock gating, pulsed power e roba del genere). Aggiungi inoltre che la tensione di alimentazione dei dispositivi scende insieme alle dimensioni dei gate perche' altrimenti i campi elettrici nel canale dei transistor sarebbero sufficienti a far acquisire agli elettroni abbastanza energia per "fare danni", e con buona approssimazione i consumi di un chip prettamente digitale variano col quadrato della tensione di alimentazione. Ergo, nonostante tutto, il downscaling e' FONDAMENTALE per la riduzione dei consumi.
Per quanto riguarda il limite fisico, dubito fortemente si arrivera' a 4nm (tenete presente che il pitch del reticolo cristallino del silicio e' poco superiore a 0.5nm, vorrebbe dire avere un gate lungo SETTE ATOMI). Questo non vuol dire che la tecnologia si fermera', ma sicuramente si dovra' pensare a qualcosa di nuovo, sia come materiali che magari come elemento costitutivo dei circuiti (la "fine" del transistor come lo conosciamo?). Il problema e' che il processo produttivo del silicio era (ed e' ancora anche se di meno rispetto a prima) estremamente poco costoso per produzioni su larga scala. L'introduzione di High-K, Low-K, metal gate, litografia EUV e roba del genere sta incrementando i costi di ricerca e di fabbricazione in maniera sostanziale e le produzioni non possono crescere all'infinito per contrastare questo trend. Nonostante ci sia la volonta' scientifica ad andare oltre, ho paura possa non esserci quella economica in futuro...
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Old 15-09-2011, 19:18   #10
Sergio_Di_Rio
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Old 15-09-2011, 22:58   #11
gnellone
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Per processo produttivo si intende non la grandezza del transistor ma la lunghezza di canale del transistor. Ovvero la distanza che separa source e drain di un transistor ad effetto di campo 8 ( dico genericamente transistor perchè con i MOS si realizzano i condensatori integrati, ad esempio).
la difficolta nella miniaturizzazione del processo produttivo risiede nella ricerca di materiali adatti alla funzione di gate, altamente resistivo. Infatti con la diminuzione del canale cresce la probabilita che la corrente, invece che scorrere tra source e drain, scorra in parte attraverso il gate. Ciò da luogo alla cosi detta corrente parassita....consumi maggiori
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Old 16-09-2011, 11:07   #12
Cappej
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@Cappej: Facendo un discorso a spanne, piu' transistor consumano di piu', per evidenti motivi di numero. I processori costruiti con ecnologie "downscaled" consumano di meno perche' le capacita' ai nodi sono piu' piccole per le ridotte dimensioni dei dispositivi (anche se ci sarebbero da fare considerazioni sulla corrente di leakage e altre menate). Quindi l'aumento della complessita' viene bilanciato dalla diminuzione dei consumi della singola cella, e per questo puoi continuare a raffreddare ad aria un processore 100 volte piu' potente di uno di 10 anni fa. Inoltre parte di quella complessita' aggiuntiva viene usata per sistemi di risparmio energetico (clock gating, pulsed power e roba del genere). Aggiungi inoltre che la tensione di alimentazione dei dispositivi scende insieme alle dimensioni dei gate perche' altrimenti i campi elettrici nel canale dei transistor sarebbero sufficienti a far acquisire agli elettroni abbastanza energia per "fare danni", e con buona approssimazione i consumi di un chip prettamente digitale variano col quadrato della tensione di alimentazione. Ergo, nonostante tutto, il downscaling e' FONDAMENTALE per la riduzione dei consumi.
Per quanto riguarda il limite fisico, dubito fortemente si arrivera' a 4nm (tenete presente che il pitch del reticolo cristallino del silicio e' poco superiore a 0.5nm, vorrebbe dire avere un gate lungo SETTE ATOMI). Questo non vuol dire che la tecnologia si fermera', ma sicuramente si dovra' pensare a qualcosa di nuovo, sia come materiali che magari come elemento costitutivo dei circuiti (la "fine" del transistor come lo conosciamo?). Il problema e' che il processo produttivo del silicio era (ed e' ancora anche se di meno rispetto a prima) estremamente poco costoso per produzioni su larga scala. L'introduzione di High-K, Low-K, metal gate, litografia EUV e roba del genere sta incrementando i costi di ricerca e di fabbricazione in maniera sostanziale e le produzioni non possono crescere all'infinito per contrastare questo trend. Nonostante ci sia la volonta' scientifica ad andare oltre, ho paura possa non esserci quella economica in futuro...
... credo di aver capito un terzo di quello che hai scritto...
..ma approfondirò... grazie!
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Old 16-09-2011, 11:08   #13
Cappej
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Penso che con 11 nanometri siano molto vicini al limite del silicio, per altri materiali non sò
[OT]
adoro il tuo avatar!
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Old 17-09-2011, 17:22   #14
bluv
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io per ora sono ancora a 65 nm ...
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Old 18-09-2011, 13:57   #15
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65nmnel 2006->45nm nel 2007->32nm nel 2009->22nm nel 2012->16nm nel 2014->forse 8nm nel 2017 dove andremo a finire?
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