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#21 |
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Iscritto dal: Apr 2005
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prova
bello al punto giusto
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#22 |
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Senior Member
Iscritto dal: Aug 1999
Città: Vares
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Vabeh cosa vuol dire... intel ah concentrato le sue stronzate sul P4 che è un progetto partito male, pero' in altre cose ha fatto abbastanza bene: sul centrino difficile sparare, perchè comunque è un buon prodotto, e non andando a frequenze stratosferiche non ha i problemi che ha avuto il P4 al passaggio dai 130 ai 90nm.
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Quanto tutti sono d'accordo con me ho l'impressione di avere torto. |
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#23 |
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Senior Member
Iscritto dal: Oct 2004
Messaggi: 12390
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Scusate ma questo è anche dual core? AMD in questo caso nn sembra aver fatto meglio. Andate a leggervi anche questa news http://news.hwupgrade.it/14403.html
"AMD, nella seconda metà del 2005, dovrebbe invece lanciare per primi i processori dual core della serie Opteron 200 e Opteron 800 a frequenze operative di 1,80GHz, 2,0GHz e 2,20GHz con un TDP (Thermal Design Power) di 95 Watt." 95 watt!!!!! Ultima modifica di zephyr83 : 14-04-2005 alle 01:30. |
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#24 | |
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Bannato
Iscritto dal: Dec 2000
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#25 |
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Senior Member
Iscritto dal: Oct 2004
Messaggi: 12390
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I nortwood sn sempre e solo stati a a 0.13 micron mentre i prescott sempre e solo 0.09
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#26 |
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Bannato
Iscritto dal: Dec 2000
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appunto, per questo il confronto non regge
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#27 | |
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Senior Member
Iscritto dal: Aug 1999
Città: Vares
Messaggi: 3831
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http://users.erols.com/chare/main.htm Qui c'è il riassunto di tutti i datasheet intel, via e AMD, dove trovi i consumi e soprattutto gli assorbimenti di corrente di ogni core prodotto che sia x86 compatibile o no. Se è vero che il prescott ha 70m di transistor in più è anche vero che non voglia dire per forza un maggiore consumo. Stiamo parlando di Ampere assorbiti e Volt di alimentazione con la data frequenza X, che sono completamente indipendenti dal numero di transistor che una CPU ha, perchè puoi tranquillamente vederla a scatola chiusa, senza sapere quello che c'è dentro. Quindi il discorso dei transistor in più o in meno non regge, al massimo puoi guardare la superficie del DIE che influisce molto sulla temperatura, ma sui consumi anche qua non ha niente a che vedere. Puoi prendere un SOLO transistor che assorbe 78A a 1,4V e amplifica le casse de tuo stereo oppure puoi prendere un Prescott a 90nm che non cambia, sono sempre 78A assorbiti e 1,4V di alimentazione, il consumo è pressochè identico. Se proprio non vuoi capire basta che guardi il Banias (77M e 130nm) rispetto al Dothan (140M e 90nm) che nonostante i 63M di transistor in più consuma meno, perchè non è mal progettato come il P4 e non salendo di frequenza oltre la soglia critica i fenomeni di leakage sul gate non si verificano. Infatti il Dothan assorbe sempre 21A come il Banias, pero' riesce a rimanere stabile a 1.4V e da qui il consumo inferiore, indipendentemente dal fatto che il Dothan abbia 1MB L2 in più.
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Quanto tutti sono d'accordo con me ho l'impressione di avere torto. |
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#28 | |
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Senior Member
Iscritto dal: Aug 1999
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In ogni caso sbagli: "cedar mill" non è dual core, perchè se fosse così il "TDP" intel non lo avrebbe dichiarato (sarebbe stato imbarazzantemente alto).
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#29 |
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Bannato
Iscritto dal: Dec 2000
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clap clap clap
sempre il solito dread. 10 righe di post sul nulla, battendo i piedi per terra perchè ha ragione lui. ti riassumo così cogli meglio: dread: il processo produttivo di 90 nm di intel è peggiore di quello a 130 nm perchè il p4 a 90 nm consuma di più del p4 a 130 nm a parità di frequenza fx: non puoi fare confronti tra il processo produttivo a 130 e 90 nm di intel perchè non hai un riferimento, non essendoci uno stesso core a 130 e a 90 nm dread: leggiti i miei link ignorante data sheet ampere transistor e alla fine conclude che il numero di transistor non conta perchè nel dothan aumentando i transistor diminuisce la potenza assorbita la logica evidentemente non è il tuo forte. se accade una cosa nel passaggio da banias a dothan non vedo perchè debba succedere la stessa cosa nel passaggio da northwood a prescott, questa è una tua deduzione un tantinello fuorviante e semplicistica. è ovvio che nel prescott intervengono i fenomeni di leakage, ma che questo significhi che lo stesso core a 90 nm consumi di più è una tua opinione, niente di più. facciamo un passo indietro. la questione non è solo quantitativa ma anche qualitativa. dipende cosa fanno, insomma, i transistor. dato che fare un'analisi qualitativa oltre che quantitativa dei transistor contenuti nei vari core dei pentium 4 e pentium m citati è molto difficile a meno che tu non abbia lavorato alla loro progettazione, l'unico sistema di fare un raffronto tra processi produttivi diversi è porre una costante: il core. questa costante non c'è tra i 130 nm e i 90 nm del pentium 4, ergo solo tu puoi arrivare a sentenziare che il processo a 90 nm mangia più corrente del processo a 130 nm, in virtù della tua infinita sapienza. tra l'altro prima di dire al sottoscritto che non ha letto il link che hai riportato vorrei invitarti a farlo tu stesso, dato che ti è sfuggito che il dothan consuma DI PIU' di un banias a pari frequenza (27 watt di TDP vs 24.5 watt, vado a memoria). eppure è una cosa risaputa, forse lassù non è arrivata la notizia. inoltre, sul sito di intel trovo alcuni dati interessanti: il p4 ee a 3.4 ghz a 130 nm con 2 mb di cache l3 (SL7RR), core gallatin, ha un TDP di c.ca 110 watt, il p4 a 3.4 ghz a 90 nm con 2 mb di cache l2 (SL7Z7) ha un TDP di 84 watt. il p4 northwood a 2.4 ghz con 512 Kb di cache l2 e 533 mhz di bus (SL6DV) ha un TDP di c.ca 60 watt, mentre il p4 prescott a 2.4 ghz con 1 mb di cache l2 e 533 mhz di bus (SL7YP) ha un TDP di c.ca 89 watt. eppure a 2.4 ghz i fenomeni di leakage dovrebbero essere estremamente contenuti! accipicchia. com'è che non torna niente di quel che dici? ci sono esempi che dicono tutto e il contrario di tutto. sarà forse che il TDP presente nei data sheet non è un dato che bisogna anche saper interpretare, oltre che leggere, e tu non sai nemmeno leggere (vedasi il TDP del dothan)? sarà che solo tu puoi avere l'arroganza di pensare di trarre delle conclusioni da un diverso consumo di 2 core diversi costruiti con 2 metodi diversi? sarà che in anni e anni non ti ho mai sentito dire "si in effetti mi sono sbagliato" e non cambi mai? |
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#30 | ||
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Senior Member
Iscritto dal: Aug 1999
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Ma porc... mi pareva che l'esempio del transistor unico che assorbiva tanta corrente quanto una CPU intera era un esempio abbastanza semplice per farti capire come funziona l'assorbimento di potenza. Pero' vedo che non ti basta nemmeno quello... vabhe ormai ci sono abituato alle tue orecchie da mercante.
Tornando a noi: il dothan assorbe 21A, il Banias 21A, il primo ha Vcore 1.34V il secondo 1.484V. Prendo il banias che ha il valore più vicino al TDP dichiarato da intel, ovvero il più alto in frequenza (1.7G/400FSB) e lo confronto con il dothan di pari frequenza (1.7G/400FSB) ![]() Se vuoi possiamo confrontare il 738 con il banias a (1.4G) allora i consumi sono leggermente a favore del dothan: questo 50% in meno... (chiaro: con 1.18V di Vcore vorrei ben vedere...) Complicato? Poi vabeh lo so che non sai nemmeno che Potenza=I*V ] mi pare che un po' della tua spocchia l'hai persa Quote:
Quote:
Oppure semplicemente puoi usare google e le tue manine così cerhci articoli ingiro tipo questi: - http://www.theregister.co.uk/2004/08/31/intel_65nm/ Leakage has proved something of a problem for Intel's 90nm process following the shift down from 130nm chip production. While smaller transistor ought to consume less power, their more compact size also increases the opportunity for current to leak through, forcing chip makers to up the power in order to get each transistor to operate efficiently. That's why a 90nm Pentium 4 consumes more power than a 130nm version, not less. However, according to Intel, its 65nm process will "cut leakage by four times at constant performance compared to 90nm transistors", presumably its own ones. - http://www.elecdesign.com/Articles/A...9548/9548.html The biggest leakage problem at 90 nm is source-drain leakage, according to Eric Naviasky, VP of engineering services at Cadence Design Systems. "At 90 nm, we can pack two to four times the number of gates per square millimeter of silicon than we used to. But we don't have two to four times the number of power-busing layers. When that's running at 1 V, we could be talking about 10 A or more. That's an electromigration risk," he says. Smaller geometries and lower supply rails, then, comprise some of the larger obstacles to designers' achieving of power integrity in their ICs. Another aspect is the increasing number of metal layers. "To address this, we can adopt the practice of the power grid, which is helpful," says Naviasky. "But analytically, the power grid is a mess. When you had just a bus, the extractor could break it into a limited number of nodes for analysis. A power grid, though, is made up of tens of millions of elements." - http://www.xbitlabs.com/articles/cpu...64-90nm_5.html For a more illustrative comparison we also measured the power consumption of the Pentium 4 processors based on Northwood and Prescott cores and working at 3.4GHz core clock. The results turned out simply impressive: under maximum workload Pentium 4 processor on Northwood core consumed about 100W of power, while the Prescott based CPU (with a C0 core stepping) required about 132W. This way, we have every right to call all Athlon 64 processors very economical solutions, and certainly this first of all refers to the new CPUs based on 90nm Winchester core. Vabeh oh io mi sono svenato abbastanza, tra l'altro sei abbastanza cocciuto, visto che altri utenti già ti hanno confermato quello che ho scritto, se vuoi capire bene, altrimenti non penso ti cambi molto, rimani come prima.
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Quanto tutti sono d'accordo con me ho l'impressione di avere torto. Ultima modifica di Dreadnought : 14-04-2005 alle 23:59. |
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- per l'1.6 è a 27 watt, in virtù del bus a 533 - per il 2.13 è sempre a 27 watt - se il 2.13 avesse il bus a 400 (non sarebbe 2.13 ma 2.0 o 2.2, ok) che TDP avrebbe? 21? potrebbe essere? - a 2.1 ghz il leakage non si sente e a 2.4 per il pentium 4 si? - il TDP è calcolato a cazzo per il pentium 4 2.4 e invece per il dothan dove l'1.6 ha un TDP identico a un 2.13 è affidabile? te lo chiedo perchè di fatto affidamento ce lo fai, dato che prendi il TDP come punto di riferimento Quote:
cmq come si calcolano i watt sulla base di volt e ampere lo so da quando avevo dodici anni, e tu? Quote:
stiamo confrontando due processi produttivi. fine. Quote:
Quote:
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per quanto ne so io e per quanto ne sai tu, un northwood a 90 nm può consumare meno di un northwood a 130 nm (io ci scommetterei pure), e un prescott a 130 nm può consumare di più di un prescott a 90 nm (e scommetterei pure su questo). tuttavia quello che non capisci è che io dico "NON SI PUO' DIRE", almeno con i dati che abbiamo; mentre tu giungi a conclusioni che ti contesto per la banalità dei ragionamenti che stanno dietro (che prendono in considerazione solo una parte dei parametri che sono in gioco)... oltre al fatto che sorvoli sulla questione qualitativa dei transistor, che è il punto fondamentale della questione. Quote:
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#32 | |||||
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I TDP non contano!! (...e 3...) Vedi per caso una voce "Max power Consumption?" Non mi pare. Guardati i datasheet se vuoi http://download.intel.com/design/mob...s/25261203.pdf http://download.intel.com/design/mob...s/30218905.pdf http://download.intel.com/design/mob...s/30526201.pdf Banias 1.484V * 25A = 37.1W Dothan (FSB400) 1.312 * 25A = 32.8W Dothan (FSB533) 1.308 * 27A = 35.3W *dato che i dothan hanno vari valori di Vcc che dipendono dalla zona del core metto il valore medio che mi pare il più corretto. Allora? Ora che abbiamo guardato gli Icc massimi di ogni core (ICC for Intel Pentium M processors Recommended Design Target) gli Ampere che intel specifica come valore per "questa CPU avrà un massimo assorbimento di..." quale ti sembra consumi di più? Sono curioso di saperlo! E ora abbiamo guardato i datasheet intel non il mio "vangelo", così non si scappa. Quote:
E questo lo dico perchè è scritto più o meno su ogni articolo serio che confronta i due modelli di P4. Quote:
The biggest leakage problem at 90 nm is source-drain leakage, according to Eric Naviasky, VP of engineering services at Cadence Design Systems. "At 90 nm, we can pack two to four times the number of gates per square millimeter of silicon than we used to. But we don't have two to four times the number of power-busing layers. When that's running at 1 V, we could be talking about 10 A or more. That's an electromigration risk," he says. 10A non mi paiono pochi, e quello è il minimo valore che considera l'articolo, e siamo proprio nel caso del prescott, che ha più gate del northwood per millimetro quadro. A parte che al massimo non considero la questione "quantitativa", cque non ha senso considerare i transistor in più del prescott, perchè a parte le SSE3 (estensione delle SSE2 tra l'altro, quindi un aggiunta di qualche transistor alla vecchia unità) per il resto fa le medesime cose del Northwood, e i 512KB di L2 in più non si possono considerare come la causa dell'apporto di consumo esagerato, visto che ogni bit di cache ha 6 transistor e sono accesi per frazioni di nanosecondo (per commutare il condensatore), mentre i transistor del core logic hanno tempi di attività molto più elevati, essendo continuamente utilizzati. Considera quello che sai di per certo: Northwood -> 130nm Prescott -> 90nm Il prescott non fa tanto più del northwood (tantovero che a parità di frequenza ha prestazioni inferiori) eppure consuma di più, nonostante il Vcc inferiore, ci sarà un motivo no? Williamette -> 180nm Northwood -> 130nm Il northwood consuma di meno (questo per quasi tutti i modelli, anche senza guardare la parità di frequenza) Eppure il northwood ha più transistor del williamette perchè allora non consuma di più? Athlon XP 1700+ Palomino -> 180nm Athlon XP 1700+ Thoro -> 130nm Qua se vuoi abbiamo 2 CPU identiche, una a 180nm e una a 130nm e il thoro consuma molto meno del palomino. Quote:
più che cocciuto non sai argomentare, e costruisci i tuoi discorsi sul dubbio e sul "non puoi sapere" quando invece datasheet alla mano non è così.
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Quanto tutti sono d'accordo con me ho l'impressione di avere torto. Ultima modifica di Dreadnought : 15-04-2005 alle 12:43. |
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#33 |
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Bannato
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eddaje... e insisti eh. ora mi scomodi le performance. che c'entrano le performance con il consumo, ora
facciamo il punto di quello che stai dicendo: il prescott preforma circa come il northwood a parità di frequenza, quindi fa le stesse cose, quindi i transistor in più sono solo la cache ma vedi che non capisci un cazzo? allora dato che in realtà performa anche un pelo meno, allora ha meno transistor il prescott è, al di là della cache, DIVERSO dal northwood... spero tu sappia che ha una pipeline moolto più lunga e una serie di "rattoppi" che servono a COMPENSARE questo aspetto. quindi branch prediction più raffinata, hyperthreading più elaborato e così via... tutte cose che si traducono in TRANSISTOR. oltre al fatto che quelli che sono "disabilitati" non vuol dire che non vengano alimentati, dato che c'è una cosetta che si chiama "static power" che comunque viene assorbita al di là della frequenza a cui lavora la cpu. oltre al fatto che comunque c'è si più cache, ma QUESTA NON GIUSTIFICA UNA CRESCITA COSI' ELEVATA NEL NUMERO DEI TRANSISTOR. e dato che come giustamente dici la cache non consuma molto, ci basta far due conti per vedere che ci sono TANTI transistor in più, al di là della cache northwood 55 milioni prescott 125 milioni 512 kb di cache non sono nemmeno 30 milioni di transistor. ergo ci sono QUARANTA MILIONI DI TRANSISTOR IN PIU' AL DI LA DELLA CACHE, il che vuol dire che il totale di transitor è PIU' DEL DOPPIO rispetto ai 25/30 milioni c.ca del northwood (senza L2)... infatti il prescott (senza L2) dovrebbe avere c.ca 65/70 milioni di transistor. ora: NON MI PUOI IGNORARE QUESTO DATO, dai cazzo... e non me ne puoi ignorare un altro: I FENOMENI DI LEAKAGE CI SONO ANCHE A 130 NM... a 90 nm semplicemente AUMENTANO, ma nel contempo STAI PASSANDO ALLO STEP SUCCESSIVO, che ti dà un vantaggio in termini di consumi imho ben più ampio, e non mi puoi dire che gli stessi 90 nm di intel sul dothan in effetti comportano un consumo inferiore ma nel prescott no perchè a 2.1 ghz il leakage non c'è e a 2.4 si... non si regge in piedi dai. come non si regge in piedi la storiella che il leakage aumenta così tanto con il salire della frequenza, tant'è che un 540 (3.2) full load consuma 87.8 watt e un 570 (3.8) 104.5... guarda qua: http://www6.tomshardware.com/cpu/200...m4_570-20.html se il leakage fosse così dipendente dalla frequenza, ciao... schizzerebbe su come una saponetta. e invece sono solo poco più di 16 watt... basta fare una DIVISIONE: per il 540 si parla di 27,43 watt per ghz e per il 570 si parla di... 27.5! cazzo, quanto influisce eh? ora... sei d'accordo con me che il leakage dovrebbe influire molto ma molto di più? in conclusione: - sappiamo che aumentando la frequenza la potenza consumata cresce in modo quasi lineare, quando i fenomeni di leakage dovrebbero farla crescere molto più velocemente - sappiamo che al di là della cache il core del prescott è molto più grosso (più del doppio) di quello del northwood - sappiamo che con lo stesso processo produttivo da 90 nm laddove il core è rimasto pressochè invariato (leggasi dothan, se togli la cache è grosso poco più del banias, ma è pressochè identico) il consumo SCENDE io concludo che IL PROCESSO A 90 NM DI PER SE CONSUMA DI MENO DI QUELLO A 130, e che la conclusione contraria perchè un prescott consuma di più di un northwood è determinata unicamente da un calcolo che non tiene in considerazione un fattore: come è cambiato il core. fammi indovinare: di fronte a queste argomentazioni ferree e semplici, scriverai un papiro di 40 righe arrampicandoti sugli specchi, riportando datasheet e facendo illazioni a tutto spiano per giustificare la tua tesi. prova una sensazione nuova: prova per un attimo ad ascoltare |
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#34 | |
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Dreadnought: cerca di stare un po' più calmo... Ultima modifica di cionci : 15-04-2005 alle 16:57. |
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#35 |
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In realtà se guardiamo al core nudo e crudo senza cache (che consuma poco e possiamo escluderla) abbiamo circa:
31M di transistor per il northwood 75M di transistor per il prescott Ora puoi anche venire a dire che un transistor a 90nm consuma meno di uno a 130nm, questo posso anche dartelo come buono anche se in alcuni casi non è detto sia così. Ma questo non vuol dire che progettando il prescott intel non debba aver dovuto aumentare i transistor "per forza di cose": - tipo per avere una pipe più lunga altrimenti non riusciva a superare i 3.2GHz - semplicemente per inserire le EMT64 che sono poi state disabilitate sui primi core (in questo caso sarebbero stati un bel po' di transistor in più ma mai attivi) e attivate solo da qualche mese nei nuovi xeon. - Oppure più probabilmente intel ha inserito gate aggiuntivi su alcuni transistor creando vari transistor a doppio gate (per quale motivo? proprio per migliorare la stabilità e ridurre i consumi) o se non ha usato i dual gate avrà messo alcuni transistor in coppia, sempre per stabilizzare i segnali. Ma non importa tanto quello che c'è dentro conta quanto dissipi, e se un core ti assorbe di più con prestazioni inferiori vuol dire che hai sbagliato qualcosa. Se io ho un amplificatore che consuma 100W non mi importa che abbia 4 finali che assorbono 25A l'uno con 1V di tensione oppure 10 finali in cascata da 10A l'uno. Per il semplice motivo che dipende tutto da quanto consuma un transistor. Se nei 90nm un singolo transistor puo' consumare meno (teoricamente dovrebbe consumare il 60% rispetto a un transistor a 130nm), messo nel contesto di una CPU il consumo aumenta, vuoi perchè i transistora 90nm quando sono tutti impacchettati diventano instabili, vuoi perchè intel non ha usato tecnologie come SOI o Low-K da subito, ma ha sfruttato solo il suo pessimo Strained Silicon (per altro usato anche da IBM, ma con un procedimento ben più efficente), il consumo al passagigo dai 130 ai 90nm nel P4 è aumentato, punto. Da qui il succo del discorso: passare da 130nm a 90nm non ha comportato il semplice abbassamento dei consumi come da 180nm a 130nm, questo per i motivi che ti sto spiegando da vari post: come la mancanza di soluzioni per ridurre il leakage e l'idea sbagliata di fondo ovvero di progettare un core perchè possa salire il più possibile in frequenza. Il prescott è esempio lampante, perchè nonostante l'abbassamento del Vcc da 1.75 a 1.55V molto elevato (che a parità di core e frequenza farebbe consumare ben il 20% in meno) gli ampere sono aumentati in modo problematico, che sono più o meno i "10A or more" dell'articolo che ti ho citato, circa 10 quano le frequenza erano attono ai 3GHz e più di 20 quando le frequenze sono salite.
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Quanto tutti sono d'accordo con me ho l'impressione di avere torto. Ultima modifica di Dreadnought : 15-04-2005 alle 19:16. |
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Scusa, ma hai postato tu stesso i dati... Un Banias 1.7 Ghz consuma 24.5 Watt...un Dothan 1.7 Ghz consuma 21 Watt... Il Dothan ha 1 Mb di L2 in più...
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#37 | |
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I dati corretti di massimo consumo sono specificati un post dopo ed estrapolati dai 3 datasheet che ho linkato dal sito intel. Poi comunque la cache in più non è da considerare come fonte di consumi, in quanto non è necessaria corrente per mantenerla in funzione (essendo SRAM) ma solo per farla commutare (cosa che accade si spesso ma non tanto rapidamente quanto ad esempio un NAND o un NOR di una ALU all'inteno del core).
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Addendum, per chiudere il discorso:
il P4EE è stato fatto sia a 130nm che a 90nm (e si che me lo ricordavo che c'era un P4 che era stato scalato di processo produttivo, ma guardavo tra gli xeon, e invece era il P4EE!!). Ecco i datasheet dal sito intel per non sbagliare: - P4EE 130nm: http://download.intel.com/design/Pen...s/30235002.pdf - P4EE 90nm: http://download.intel.com/design/Pen...s/30638201.pdf Per far contenti tutti sono tutti e due da 169M di transistor Core P4EE 130nm Icc(max)*Vcc(nominale) -> 83A*(1,6-0,14)V = ~123W Core P4EE 90nm Icc(max)*Vcc(nominale) -> 119A*(1,4-0,19)V = ~163W * ai valori della tensione nominale vengono sottratti gli scostamenti secondo le tabelle riportate nei datasheet: ~0.14V per il core a 130nm a 80-90A e ~0.19V per il core a 90nm a 120A. Se vogliamo fare i pignoli possiamo anche aumentare i W dissipati dal core a 130nm per portarlo a 3,6GHz dai suoi 3,46: con un semplice calcolo il nuovo consumo del core a 130nm è: 123W * 3,6 / 3,46 = 128W Sempre ben al di sotto dei 160W e passa della versione a 90 nanometri. Mi pare di aver detto tutto ormai... n8
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Quanto tutti sono d'accordo con me ho l'impressione di avere torto. Ultima modifica di Dreadnought : 16-04-2005 alle 04:12. |
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#39 | |
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Bravo! almeno sei uno che sa quello che dice e non parla a vanvera come fanno molti Cmq alla fine tutto ruota attorno al fatto che Intel ha puntato tutto sui MHZ visto che il mondo pullula di Polli
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#40 |
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P = I*V*Freq
Cioe' dimensionalmente: W=A*V*1/t ????????? Dreadnought.... in ginocchio sui ceci per questa tavanata enorme Cmq, se posso dire la mia su questo argomento scottante, una riduzione del processo produttivo in se' porta sempre a una riduzione della resistenza di canale e quindi ad una diminuzione di potenza assorbita (e di conseguenza, in generale, di potenza dissipata). Stiamo parlando "a parita' di altre condizioni" ovviamente.... come si fa in ogni sacrosanto confronto! Questo in virtu' del fatto che riducendo le dimensioni si diminuisce la resistenza... e questo e' inoppugnabile. E' per questo motivo (oddio... uno dei principali motivi...) che c'e' la rincorsa alla diminuzione del processo produttivo. Se poi stiamo lavorando a frequenze tali, che fenomeni di trasporto di carica sono tanto influenti da oscurare il risparmio energetico introdotto dal processo produttivo.... beh questo e' un altro paio di maniche. Anche perche' tali fenomeni non si studiano semplicemente con P=VI La corrente massima assorbita non e' direttamente legata al numero di transistor. Una gran parte sono per le cache e quelli del core non si attivano mai tutti insieme. Quali si possono attivare al massimo contemporaneamente? (con quale particolare sequenza di istruzioni in coda?)... beh dipende dall'architettura. Il TDP, come dice il nome stesso, serve come dato di partenza per progettare il dissipatore termico adeguato perche' ad una data temp ambiente il dispositivo non fonda. E BASTA! E' un dato fornito per ogni componente che richieda una dissipazione aggiuntiva (ovvero la cui superficie non sia sufficiente per smaltire il calore generato). Ogni casa e' libera di calcolarselo e fornirtelo come le pare. Se poi viene usato come dato su cui basare battaglie pubblicitarie.... beh questo e' un altro paio di maniche. |
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] mi pare che un po' della tua spocchia l'hai persa








