Roundup schede madri SiS648

Analizzate caratteristiche tecniche, prestazioni velocistiche e stabilità operativa di 4 schede madri per processori Intel Pentium 4 basate su chipset SiS 648 e memoria DDR333: Abit SR7-8x, Asus P4S8X, ECS L4S8A e Shuttle AS45 GT/R.
di Paolo Corsini pubblicato il 17 Dicembre 2002 nel canale Schede Madri e chipsetShuttleIntelASUSECS
Asus P4S8X: bios e memory test
Il bios della scheda madre Asus P4S8X mette a disposizione un numero molto elevato di settaggi; è possibile configurare i timings di accesso della memoria in modo molto dettagliato, funzionalità molto utile per configurare al meglio la stabilità operativa della scheda quando vengono utilizzati più moduli memoria contemporaneamente.
Tutti i principali parametri di funzionamento del processore possono essere variati manualmente da bios; la frequenza di bus è selezionabile a passi di 1 Mhz alla volta sino a 166 Mhz, il voltaggio Core sino a 1.8V con cpu Northwood, il voltaggio AGP sino a 1.7V e quello della memoria DDR sino a 2.7V. La frequenza di lavoro della memoria DDR può essere impostata a 100, 133, 166 oppure 200 Mhz, corrispondenti a modalità DDR200, DDR266, DDR333 e DDR400. Quest'ultimo settaggio non è certificato ufficialmente da Asus e da SiS, cosa del resto valida per tutte le schede madri basate su chipset SiS648.
Con la revision di bios 1.002 è stato possibile eseguire buona parte dei test di stabilità alla frequenza di lavoro della memoria di 166 Mhz (DDR333); il benchmark 3D Mark 2001 SE si è però sempre bloccato durante l'esecuzione alla frequenza della memoria di 166 Mhz, a prescindere sia dai timings di accesso sia dalle impostazioni AGP utilizzate. Abbassando la frequenza di lavoro della memoria a 133 Mhz (DDR266) non si sono più verificati problemi di sorta. Sempre a 166 Mhz di bus, con questa revision di bios, gli stress test hanno evidenziato blocchi di sistema di vario tipo.
Con la versione di bios 1.04 e 1.05 beta 2 il sistema si è rivelato essere estremamente stabile con frequenza di lavoro della memoria di 166 Mhz; anche impostando i timings di accesso più aggressivi non vi sono stati problemi di nessun tipo legati alla stabilità operativa. Le prestazioni velocistiche compelssive sono però state inferiori a quelle di altre schede madri Pentium 4 basate su chipset SiS648, con evidenti limiti dati dalla superiore latenza di accesso della memoria.
Sandra 2003 |
Abit
SR7-8x |
Shuttle
AS45 |
ECSL4S8A |
Asus
P4S8X |
Asus
P4S8X |
Asus
P4S8X |
Asus
P4S8X |
RAM Int Buffered |
2579 |
2570 |
2563 |
2496 |
2553 |
2040 |
2554 |
RAM Float Buffered |
2579 |
2567 |
2561 |
2499 |
2542 |
2039 |
2554 |
Sciencemark 2.0 |
Abit
SR7-8x |
Shuttle
AS45 |
ECSL4S8A |
Asus
P4S8X |
Asus
P4S8X |
Asus
P4S8X |
Asus
P4S8X |
Memory Bandwidth |
2381 |
2379 |
2406 |
2184 |
2354 |
1939 |
2372 |
Memory Latency |
72 |
72 |
71 |
81 |
76 |
87 |
73 |
Memory Latency |
272 |
270 |
255 |
331 |
305 |
292 |
284 |
Memory Latency |
275 |
273 |
257 |
333 |
305 |
295 |
287 |
I risultati con il benchmark Sciencemark 2.0 mostrano chiaramente come la latenza di accesso della scheda Asus P4S8X sia sensibilmente superiore a quella delle altre schede SiS648 in prova; il bios 1.002 ha timings più aggressivi ma comunque non tali da raggiungere pienamente i livelli prestazionali delle altre schede.
La revision di bios 1.03 ha invece permesso di ottenere le migliori prestazioni velocistiche complessive, allineate a quelle delle altre schede madri in prova basate sul medesimo chipset.
Questi sono i settaggi di bios utilizzati con un modulo memoria Corsair XMS PC3200 (DDR400) alla frequenza di clock di 166 Mhz (DDR333); la configurazione è quella utilizzata per i test prestazionali.
DDR333 (166 Mhz) |
1 banco |
SDRAM Configuration |
User Define |
SDRAM Cas Latency |
2 |
SDRAM RAS to CAS Delay |
2T |
SDRAM RAS Precharge Time |
2T |
SDRAM Active Precharge Time |
6T |
Chipset Clock Mode |
Performance |
SDRAM Comamnd Lead Off |
1T |
I test con 3 moduli memoria alla frequenza di lavoro di 166 Mhz (DDR333) sono stati superati, utilizzando moduli Corsair XMS PC3200 (DDR400), con i seguenti settaggi:
DDR333 (166 Mhz) |
3 banchi |
SDRAM Configuration |
User Define |
SDRAM Cas Latency |
2T |
SDRAM RAS to CAS Delay |
3T |
SDRAM RAS Precharge Time |
2T |
SDRAM Active Precharge Time |
6T |
Chipset Clock Mode |
Performance |
SDRAM Comamnd Lead Off |
2T |
Entrambi i test sono stati superati con revision di bios 1.04 e 1.03; ovviamente è da preferire la seconda per via delle più elevate prestazioni velocistiche complessive.